基板ｗを収容して洗浄するように適合されたタンク１０３と、該タンク内に配置されたスクラバーブラシ１０６ａ、１０６ｂの端部に結合するように適合された、該タンクの外部の支持体１０７、１０９と、該支持体の各々に取り付けられ、かつ該スクラバーブラシを回転させるように適合されたモータ１１１と、該支持体が、該スクラバーブラシのトーインを可能にするように適合された球面軸受１２７を介してそれに対して枢動的に取り付けられているベース１１３と、該スクラバーブラシが、該基板との接触または該接触の中断を実質的に同時に実現できるように、クランクおよびロッカー機構１１７を介して、該支持体を互いに向けてまたは互いに対して離して実質的に同時に枢動させるように適合されたブラシギャップと、該スクラバーブラシ間のトーイン角度を調整するために、２つの球面軸受を互いに向けてまたは互いに離して動かすように適合されたトーインアクチュエータとを含むスクラバーボックス１０１が提供される。 （もっと読む）

プラズマを用いて複数の基板（２６）を処理するプラズマ処理装置（１０）。プラズマ処理装置の処理チャンバ（１２）は、通常は垂直方向に向いた少なくとも一対の電極（２４）を有し、この一対の電極（２４）間に、プラズマ処理のために基板（２６）が配置される。各電極（２４）は、水平方向のプロセスガス及びプラズマの流れを可能にする穿孔板（４２、５０）を有し、これによりプラズマ均一性が向上する。ポリマー基板（２６）に付着しているとともにポリマー基板（２６）から突出している、バリ又は穿孔カス等の薄いポリマー領域を除去するのに有効な処理方法が規定される。

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本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの基板を回転させながら、薬液処理、洗浄処理、乾燥処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。本発明はまた、半導体ウエハなどの基板を回転させながら保持する基板保持装置に係り、特に、洗浄装置やエッチング装置などに好適に使用される基板保持装置に関する。本発明の基板処理装置は、基板を回転保持する基板保持部を有し、基板を回転させて基板に流体を供給して処理を行い、前記基板保持部には前記流体を吸引する保持部吸引部が配置されている。また、本発明の基板保持装置は、基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、複数のローラは基板の半径方向に沿って移動する。

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流体微小電気機械システム(MEMS)デバイス(200)が説明される。基板(120)上に堆積されたポリマー層(42)上に、少なくとも１つの少なくとも部分的に覆われた流体チャネル(124)が形成される。一態様では、部分的に覆われた流体チャネル(124)は単一の構造体として製造される。一具現化形態では、ポリマー層(42)に強い露光工程(706)が適用され、深く架橋されたポリマー領域(620)が作成される。ポリマー層(42)に弱い露光工程(708)が適用され、浅く架橋されたポリマー領域(622)が作成される。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニックデバイス構造およびプロセス装置から望ましくない物質を除去するために、たとえば超臨界二酸化炭素などの超臨界流体を用いる組成物および方法。フラックスおよびはんだプリフォーム表面膜を除去するための有用性を有する、このようなタイプの一組成物には、たとえば超臨界ＣＯ_２などの超臨界流体、およびたとえばキシレンなどの有機共溶媒が含まれる。半導体基板から金属、金属酸化物、金属含有エッチング後残渣およびＣＭＰ粒子を除去するための有用性を有する、このようなタイプの別の組成物には、超臨界流体および少なくとも１つのβ−ジケトンが含まれる。

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