【課題】抵抗発熱体の熱膨張収縮に伴う径方向の移動を許容しつつ抵抗発熱体が重力で下方に移動するのを防止し、抵抗発熱体の耐久性の向上を図る。
【解決手段】被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を囲繞する筒状の断熱材４と、該断熱材４の内周面に沿って配置される螺旋状の抵抗発熱体５と、断熱材４の内周面に軸方向に所定のピッチで設けられ、抵抗発熱体５を径方向に熱膨張収縮可能に支持する支持体１３と、抵抗発熱体５の外側に軸方向に適宜間隔で配置され断熱材４を径方向に貫通して外部に延出された複数の端子板１４と、抵抗発熱体５に所定のターンごとに設けられ、上記支持体１３の一側面に当接して抵抗発熱体５の下方への移動を阻止する移動阻止部材１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 載置面に被加熱物を搭載して加熱処理する際に、ウエハ面内の温度均一性を維持し又は更に向上させ、昇温・降温速度の高速化が可能であって、熱応力による損傷がなく信頼性に優れたヒータユニットを提供する。
【解決手段】 載置台６、抵抗発熱体７、押さえ板９等の２枚以上のプレート状部材を連結ネジ１０で機械的に結合すると共に、連結ネジ１０がベアリングボール１２を有するベアリング機構を備えている。このベアリング機構を備えることによって、縦方向に軸力を加えることで良好な熱伝達を保ちながら、横方向には熱膨張差を吸収できるようにベアリング機構で滑らせ、互いの熱膨張差による平面度変化の発生を防止して、ウエハ面内の温度均一性を確保する。 （もっと読む）

【課題】融着ヒータ線の線同士の貼りつきがなく、また耐水性，耐湿熱性が良く、高温多湿環境下での加水分解による接着性低下がない融着ヒータ線、およびアルミ箔の選定、調達の自由度が高まり、ヒータ製品のコストダウンが可能なアルミ付ヒータを提供する。
【解決手段】巻芯（１）としてポリエステル繊維のより糸を用い、この外周に発熱体（２）として銅線を巻回し、その外周にポリエステルの横巻糸（５ａ）を設け、その外周に耐熱ＰＶＣを溶融押出しして絶縁シース（５）を設けて絶縁ヒータ線体（ｚ１）とし、更にその外周にポリエステル接着剤５０〜９０重量部に対し、ポリオレフィン接着剤５〜４９．９重量部、および耐加水分解剤０．１〜５重量部を添加して溶融混練した融着樹脂を溶融押出しして融着層（６）を設けて融着ヒータ線（１０）とする。
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【課題】本発明は、フィルムシート状の発熱体を有する発熱体ユニットにおいて、発熱体の性能を損なうことなく確実に発熱体を支持することが可能であり、通電立ち上がり時の温度上昇が早く、効率の高い加熱が可能な発熱体ユニット及び加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発熱体ユニットは、炭素系物質を含むフィルムシートを帯形状の発熱体に対して、発熱体の背面側の長手方向にそった直線状の一部分と内部耐熱部材が接触して発熱体を支持するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被加熱体を加熱した際に当該被加熱体の温度均一性を向上できるヒータユニットを得ることを目的とする。
【解決手段】シャフト２２の径方向内側部分である第２熱伝導体３２は、シャフト２２の径方向外側部分である第１熱伝導体３０よりも熱伝導率が低い。このため、抵抗発熱体１８の発熱状態と非加熱状態とが繰り返し切り替えられた場合に、第２熱伝導体３２では、第１熱伝導体３０と比べて、シャフト２２の先端部２２Ｂから基端部２２Ａ側への熱の移動が抑制される。このため、ヒータプレート１６のうちシャフト２２の空洞４２と対峙する部分では、ヒータプレート１６、ひいてはウエハ２８の加熱温度が所望の温度に達するまでの時間が従来のヒータユニットに比べて短縮される。従って、ヒータプレート１６で加熱されるウエハ２８の温度均一性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 加熱板一枚当りの実質的な重量軽減、使用電気容量の低減、分割・軽量による加熱板交換・組立の容易化、加熱板厚み低減による多段段数の確保を可能とした、熱板、複合熱板及びこれらを備えた加熱炉を、提供することを目的とする。
【解決手段】 中空部４を有する支持体５と、この支持体５の上面に積層される発熱体６と、この発熱体６の上に積層される伝熱体７とを備えた熱板１、さらに、中空部４が、上下２枚の支持層と、この支持層を保持する長手方向に走る梁３とに囲まれた熱板。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の形状に起因した熱分布を均一にし、線幅の均一化等を図ると共に、製品歩留まりの向上を図れるようにした基板加熱処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを載置して所定温度に加熱処理する基板熱処理装置において、ウエハを載置する加熱プレート５１を、互いに間隔ｓをおいて分離されると共に、それぞれがヒータとしての電熱線５６を具備する複数の加熱ピース５５にて形成し、各加熱ピースを、ウエハの自重及び変形に追従して変位すべく可変支持手段例えばジェル状シート６０にて支持する。 （もっと読む）

【課題】 ヒータが加熱されるときの熱の影響を抑え、ヒータの均熱性に優れ且つ昇降温特性に優れたヒータ用容器、特にフォトリソグラフィー工程で用いるコータデベロッパなどに好適に使用されるヒータ用容器を提供する。
【解決手段】 半導体を加熱するためのヒータ２を収容支持する容器１であって、その開口部にヒータ２を設置することができ、容器１の熱容量がヒータ２の熱容量の１.５倍以内である。上記容器１の熱容量は、ヒータ２の熱容量と同じか又はそれ以下であることが好ましく、またヒータ２の熱容量の０.２倍以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板加熱面上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面上に反応膜が堆積することを抑制することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１００は、基板が載置される基板加熱面１０ａ及び基板加熱面１０ａの反対側に位置する加熱部材裏面１０ｂを有し、抵抗発熱体１１が埋設された板状の加熱部材１０と、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂ側に配置され、加熱部材裏面１０ｂと対向する対向面２０ａを有する補助部材２０とを備え、加熱部材裏面１０ｂと対向面２０ａとの間には、基板加熱面１０ａ上に噴出するガスの経路である面状ガス経路１４ａが形成されていることを特徴とする加熱装置。 （もっと読む）

【課題】 ヒータが加熱されるときの熱の影響を抑え、ヒータの均熱性に優れ、且つ耐久性に優れたヒータ用容器、特にフォトリソグラフィー工程で用いるコータデベロッパなどに好適に使用されるヒータ用容器を提供する。
【解決手段】 半導体を加熱するためのヒータ２を収容支持する容器１であって、ヒータ２を設置する開口部の反対側の底面又は側面に少なくとも一つの貫通孔３を有し、その貫通孔３の直径が容器１の高さよりも小さい。また、各貫通穴３の間の最短距離をＡ（ｍｍ）及び容器１の板厚をＢ（ｍｍ）としたとき、Ａ×Ｂ≧１.０の関係式を満たすことが好ましい。容器１を支持台４に設置するとき、容器１と支持台４の間に容器支持足５により空隙を設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも１回以上奇数回折り返された形状のヒータを使用した場合に、そのヒータの垂れ下がりを防止できる焼成炉を提供すること。
【解決手段】 この焼成炉１は、少なくとも１つ以上であって奇数個の折り返し部分をそれぞれ有し、被焼成物を焼成するためのメインヒータ３２及びサブヒータ３３と、メインヒータ３２及びサブヒータ３３と被焼成物との間に配置され、メインヒータ３２及びサブヒータ３３を載置するためのヒータプレート１５と、を備え、ヒータプレート１５にはメインヒータ３２が載置される第１の面とサブヒータ３３が載置される第２の面とが形成されており、第２の面は第１の面よりも被焼成物側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 支持容器のセラミック基板と接触する部分の平面度を管理する必要がなく、支持容器とセラミック基板との接触面積を小さくすることができ、セラミック基板からの熱の逃散が少なく、セラミック基板の加熱面の温度を均一にすることができるホットプレートユニットを提供すること。
【解決手段】 その表面または内部に抵抗発熱体が形成されたセラミック基板が、支持容器に配設されてなるホットプレートユニットであって、前記セラミック基板と前記支持容器とは、点接触してなることを特徴とするホットプレートユニット。 （もっと読む）