【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）は、式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有する［Ｚ^＋は有機カチオン；Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数１〜６のフッ素化アルキル基；Ｘは−（ＣＨ_２）_ｍ１−；Ｙは単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−；Ｌ１、ｍ１は１〜６の整数；ＲｘはＣ＝Ｃ不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数２〜３６の２価の脂肪族炭化水素基；Ｒｙは酸解離性基である。］。
［化１］
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【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。Ｒ^２はＲ^５３−Ｒ^５４−（式中、Ｒ^５３は炭素数２〜１０のアルケニル基またはアリール基であり、Ｒ^５４は炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。）で表される基であり、ｎは０であり、Ｙ^１はフッ素置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキレン基である。
［化１］
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【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びそれを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はフッ素原子等を表す。Ｌ^１は単結合等を表す。Ｙは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の一価の脂環式炭化水素基等を表す。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は水素原子等を表す。カチオンのＳを含む脂環に含まれるメチレン基は酸素原子等で置き換わっていてもよい。ｎは、１〜３の整数を表す。ｓは、０〜３の整数を表す。Ｒ^８は炭素数１〜６のアルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用クエンチャーとして好適な化合物、該クエンチャーを含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（ただし、前記化合物（Ｃ１）を除く）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ^Ｎは置換基を有していてもよい含窒素複素環式基であり；Ｘ^０は炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の２価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状若しくは環状の部分構造を有する２価の脂肪族炭化水素基、又はこれらの水素原子の一部若しくは全てがフッ素原子で置換された基であり；Ｍ^＋は有機カチオンである。］。
［化１］
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【課題】得られるパターンのフォーカスマージン（ＤＯＦ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）が良好な塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、ヒドロキシ基又はアルキル基、該アルキル基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい；Ｒ^３はアルキル基；ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ０〜３の整数；ｐは１〜３の整数；スルホニウムカチオンを含む複素環のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基、該基中のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基等、これらの基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１−１）［式中、Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有するレジスト組成物。
［化１］
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【課題】感度、露光ラチチュード、マスクエラーエンハンスメントファクター、パターン形状に優れ、線幅バラツキを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸を発生する少なくとも１種の化合物と（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。
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【課題】通常露光さらには液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、露光ラチチュードが広く、ラインエッジラフネスを抑制できる、優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（一般式(I)における各符号は本明細書及び特許請求の範囲に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】製造が容易で製造コストが比較的低く、光に対する安定性に優れて保管及び取扱の容易な光酸発生剤及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物の提供。
【解決手段】次の式で表示される光酸発生剤とこれを用いた化学増幅型レジスト組成物。


Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は、Ｃ₁〜Ｃ₁₀のアルキル基であるものとＲ₂とＲ₃とが環を形成するものがあり、その環に少なくとも１つのＣＨ₂がＳ、Ｏ、Ｎ、ケトン基で置換が可能で、さらにＣ₁〜Ｃ₂₀のアルキル基、シクロアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、水酸基、シアノ基、ニトロ基またはハロゲン族元素を一つ有してもよい。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。Ｒ^２は置換基を有していてもよい芳香族基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換基を有していてもよい炭素数２〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基であり、ｎは０または１であり、Ｙ^１はフッ素置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキレン基である。
［化１］
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グリコシダーゼ阻害剤として潜在的に有用である、サラシノール、その立体異性体、および類似体、同族体、ならびにそれらのその他誘導体を合成するための方法。本発明の化合物は、一般式（Ｉ）または（ＩＩ）を有すればよい。その合成スキームは、環状硫酸エステルを、ヘテロ原子（Ｘ）を含む５員環糖と反応させることを含む。ヘテロ原子は、好ましくは、硫黄、セレニウム、または窒素からなる。環状硫酸エステルおよび環糖試薬は、Ｄ−グルコース、Ｌ−グルコース、Ｄ−キシロースおよびＬ−キシロースなどの炭水化物前駆体から容易に調製できる。目標化合物は、５員環糖のヘテロ原子の求核的攻撃により環状硫酸エステルを開環して調製される。得られる複素環化合物は、ヘテロ原子陽イオンと硫酸陰イオンから構成される安定な内部塩構造を有する。本合成スキームにより、副反応を制限して、適度から良好な収率で目標化合物の各種立体異性体が得られる。
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