【課題】半導体製造装置等からの原料ガスからＫｒ、Ｘｅなどを高濃度、高回収率で回収する。
【解決手段】２種以上の成分を含む原料ガスを、１成分に易吸着性で、他成分に難吸着性の吸着剤を充填した下部筒１０Ｂと上部筒１０Ｕとに流し、易吸着分を吸着し、難吸着分を回収する工程、易吸着成分貯留槽２のガスを下部筒１０Ｂに導入し、これの空隙に残る難吸着分を上部筒１０Ｕに導出し、筒１０Ｕにおいて易吸着分を吸着し、筒１０Ｕより難吸着分を回収する工程、下部筒１０Ｂを減圧し、易吸着分を易吸着成分貯留槽２に回収する工程、上部筒１０Ｕを減圧し、吸着ガスを脱着して下部筒１０Ｂに導入し、筒１０Ｂの流出ガスを原料ガス貯留槽１に回収する工程、先に回収した難吸着分を減圧し、パージガスとして上部筒１０Ｕ、下部筒１０Ｂに導入し、易吸着分を脱着して下部筒１０Ｂの流出ガスを回収する工程をシーケンスに従って行う。 （もっと読む）

本発明は、化合物からＣＯ_２排ガス流を浄化しかつ浄化されたガス流を製造プロセスに返送するための方法に関する。本発明は、特にガスを、以下の順序：すなわち、ａ）水によって洗浄するかまたはメチルメルカプトプロピオンアルデヒド（ＭＭＰ）が最大で溶解限度にまで溶解されて存在する水によって洗浄し、ｂ）次いで、ＭＭＰによって洗浄し、ｃ）その後、水によって洗浄し、ｄ）こうして浄化されたＣＯ_２を製造プロセスに返送して、メチオニンを製造するための方法に対して適している。
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【課題】 炭素質材を利用する乾式排ガス処理装置を用いて、排ガス中の窒素酸化物、塩化水素、ダイオキシン類等を効率よく除去する。
【解決手段】 流下する炭素質材からなる移動層を内部に形成してなる反応塔４０に少なくとも窒素酸化物、塩化水素及びダイオキシン類を含む排ガス４４を前記移動層に対して直交流で供給して処理する排ガス処理方法において、窒素酸化物、塩化水素及びダイオキシン類の除去を目的として、前記反応塔における炭素質材の滞留時間をＲＴ≧１．５×１０⁶／（ＳＶ×Ｃ_HCl）、ＲＴ≦５．０×１０⁶／（ＳＶ×Ｃ_HCl）、ＲＴ≧６．７Ｈを満たす範囲とする。
ここで、ＲＴ：滞留時間（ｈ）、ＳＶ：空塔速度（ｈ^-1）、Ｃ_HCl：塩化水素濃度（ｐｐｍ）、Ｈ：移動層の高さ（ｍ）
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大気汚染を制御するための方法において、燃焼ガスが硫化アルカリ土類金属とレドックス緩衝液（例えば、リン酸塩）のスラリを通過し、アルカリ土類炭酸化合物、及び／又は水酸化物と組み合わせることが好ましい。燃焼ガスから重金属を除去するための組成も、硫化アルカリ土類金属のエアロゾル化された水性分散体、又はスラリと緩衝液として提供される。大気汚染制御プロセスの固体残留物も記載される。
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この発明の排ガス処理方法では、半導体装置の製造設備内で励起状態にある排ガスを処理部のプラズマ処理部に減圧下で導入し、プラズマ処理部で発生しているプラズマによって励起状態を維持したまま、反応除去部の反応器に導入し、反応器に充填されている粒状酸化カルシウムからなる反応除去剤と反応させて排ガス中の有害ガス成分を除去する。プラズマ処理部に酸素を供給してプラズマの存在下、有害ガス成分を酸化分解したうえ、反応除去剤と反応させてもよい。 （もっと読む）

プロセスは、化石燃料を燃焼する炉から排出されるＣＯ₂、ＳＯ₂、Ｎｏｘ及びＣＯ等の温室効果ガスを集める工程；ガスの浄化及びスクラブが行われる金属イオン封鎖装置にガスを供給する工程；スクラブされたガスを、ガスの体積を減少させるために圧縮機へ移送する工程；ガスを荷電成分にイオン化するプラズマアークにガスを導入する工程；自由電子源を供給する工程；自由電子を高濃度自由電子ゾーンで捕獲する工程；プラズマアークから架電成分を高濃度自由電子ゾーンに導入し、イオンを、炭素、酸素ガス、窒素、炭化水素、及び他の元素成分の元素フラグメントに転換する工程；炭素及び他の元素の元素フラグメントを集める工程；酸素ガスを炉へ送って、さらなる化石燃料を燃焼させる工程、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコストの低減をはかること。
【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 （もっと読む）