【課題】 本発明の目的は、芳香族ポリアミドからなるシート状基材と銅の薄膜層との間の密着性を向上することにある。
【解決手段】 芳香族ポリアミドからなるシート状基材に銅の薄膜層を設けてなるフレキシブルプリント回路用基板であって、該シート状基材と該銅の薄膜層との間に亜鉛を好ましくは１〜１０重量％含有するインジウムからなる薄膜層を介在せしめてなることを特徴とするフレキシブルプリント回路用基板。 （もっと読む）

【課題】 抵抗体のための焼成工程を追加することなく、抵抗体をガラスセラミック配線基板と同時焼成したとしても、抵抗体が導体及びガラスセラミック配線基板の表面に強固に接合された高寸法精度のガラスセラミック配線基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラスセラミックスから成る絶縁基体の表面に配線導体と配線導体に接続された抵抗体とが形成されたガラスセラミックス配線基板において、抵抗体は１５乃至６５質量％のガラスと３５乃至８５質量％の酸化錫とからなり、酸化錫の平均粒径が０．９乃至１．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物１０２をインクジェット法で基板１０１上に描画し、それにレーザ光１０３を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層１０５を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

複数の近接して配置された導線（１０）が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成する、被覆された電気伝導性基体（２６）。そのような基体（２６）は、導線枠、端子ピン及び回路トレースを含む。電気伝導性基体（２６）は、錫ウィスカーが跨がることができる距離（１４）に分離された複数の導線（１６）、少なくとも一つの表面を被覆する銀又は銀基合金層（２８）、及び前記銀層を直接被覆する微粒錫又は錫基合金層（３０）を有する。別の被覆された電気伝導性基体（２６）は、コネクタ組立体の場合のように、フレッチング摩耗からの破片が酸化し、電気抵抗率を増大する場合に、特に有用である。この電気伝導性基体（２６）は、基体（２６）の上に堆積された障壁層（３２）を有する。続いて堆積される層には、障壁層（３２）の上に堆積された、錫と金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層（３４）、低抵抗率酸化物金属層（４０）、及び錫又は錫基合金の最外層（３６）が含まれる。障壁層（３２）は、ニッケル又はニッケル基合金であるのが好ましく、低抵抗率酸化物金属層（４０）は、銀又は銀基合金であるのが好ましい。
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銀系材料を導電層に用い、それを導電保護層により被覆して保護した配線付き基体形成用積層体であって、導電保護層とそれに積層される陰極との間の接触抵抗が極めて低い配線付き基体形成用積層体の提供。 基体と、前記基体上に形成された銀または銀合金を含む導体層と、前記導体層上に該導体層を被覆するように形成された、インジウム亜鉛酸化物を含む導電保護層とを有する、配線付き基体形成用積層体であって、前記導電保護層が、スパッタガス中の酸化性ガスの含有量が１．５体積％以下の雰囲気でのスパッタリングにより形成された導電保護層である、配線付き基体形成用積層体。 （もっと読む）