説明

Fターム[4F073AA00]の内容

高分子成形体の処理 (12,894) | 処理目的 (2,235)

Fターム[4F073AA00]の下位に属するFターム

Fターム[4F073AA00]に分類される特許

1 - 2 / 2


【課題】基板上の複雑な構造物を必要とせず、効率よく配向された構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による規則的な構造体は、各セグメントの誘電率及び透磁率が異なるブロックポリマー薄膜に、互いに直交する電場と磁場とを印加させることによって得られることを特徴とする。また、本発明による構造体の製造方法は、複数のセグメントからなり該複数のセグメントのそれぞれのセグメントの誘電率と透磁率とが異なるブロックポリマーに、互いに直交する電場と磁場とを印加する工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ガス透過性に優れる炭化水素系高分子電解質を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、過酸化水素溶液を用いて、炭化水素系高分子電解質の分子量を低下させる炭化水素系高分子電解質の分子量制御方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


1 - 2 / 2