基板上にスラリー組成物の層を形成するスリップキャスト法を用いて、スラリー組成物から放射線照射対象物を製造する方法、およびその放射線照射対象物の組成が開示されている。スラリー組成物の層は、注型圧粉体層を形成するために、基板上で乾燥される。その後、注型圧粉体層を基板から切り取り、切り取った注型圧粉体層を粉砕または機械加工することによって、定められた構造を有する少なくとも１つの中間対象物が形成される。次に、中間対象物を緻密化するために、熱処理が施される。同時に、この熱処理によって、中間対象物中に残余している有機成分は、除去および／または酸化される。緻密化した層（実質的には無機物）の密度は、一次粒子の密度以下である。
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一般式：Ｂａ｛Ｔｉ_ｘ１Ｍ_ｘ２（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種であり、ｘ１＋ｘ２＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ１＋ｘ２≦０．９０、０＜ｘ１≦０．９０、０≦ｘ２≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ≦１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、
屈折率が高く、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

一般式：Ｂａ｛Ｍ_ｘ（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種でありｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ＜１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、屈折率が大きく、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、SiO₂、B₂O₃の何れか１種又は２種の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

本発明は、ｐ型熱電変換材料の一端とｎ型熱電変換材料の一端とを電気的に接続してなる熱電変換素子を複数個用い、該熱電変換素子のｐ型熱電変換材料の未接合の一端を、他の熱電変換素子のｎ型熱電変換材料の未接合の端部に接続する方法で複数の熱電変換素子を直列に接続してなる熱電発電モジュールと、該熱電発電モジュールの一方の面を加熱するように配置された触媒燃焼式熱源とを備えてなる熱電発電装置を提供するものである。本発明の熱電発電装置は、携帯用機器などの電源として適した携帯性に優れた電源装置であり、長時間安定した性能で電力を供給することが可能である。 （もっと読む）

高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式：ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−ｙＣａ（Ａｌ_b/2Ｎｂ_c/2）Ｏ_1+(3b+5c)/4−ｚＣａ（Ｍｇ_d/2Ｗ_e/2）Ｏ_1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅ（ただしｘ、ｙ、ｚはモル比である）は、０．４７５≦ｘ≦０．５８、０．２１≦ｙ≦０．５０５、０．０１８≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．９≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．１、０．９≦ｃ≦１．１、０．９≦ｄ≦１．１、０．９≦ｅ≦１．０５の範囲内にある。
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【課題】 相対密度が高く、成膜中における異常放電が少なくノジュールが発生しにくい、ＩＴＯターゲットの製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末からなる成形体を焼結炉内に入れて焼結させるに際し、焼結炉内に酸素を成形体重量１ｋｇ当り０．５〜３．０リッター／分の割合で、少なくとも成形体片面に沿って酸素が流れるように流入させつつ、成形体中に含まれる成形用バインダを揮発させた後は、２４時間程度かけて１０００℃まで昇温し、１０００℃から１４００〜１６００℃の所望の温度までを１５０分以内で昇温し、１４００〜１６００℃の温度範囲で１０時間以上保持して焼結させる。 （もっと読む）