【課題】 Ａｇの含有割合が高い内部電極を同時焼成する場合のような低い焼成温度で焼成された場合であっても十分な圧電特性を有する圧電磁器を提供すること。
【解決手段】 本発明の圧電磁器は、下記組成式（１）で表される複合酸化物を主成分として含む。
（Ｐｂ_１−βＭｅ_β）_α［（Ｃｕ_１／３Ｎｂ_２／３）_ａＴｉ_ｂＺｒ_ｃ］Ｏ_３ …（１）
［但し、式（１）中、Ｍｅは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であり、α、β、ａ、ｂ及びｃは、下記式（２）、（３）、（４）、（５）、（６）及び（７）で表される条件を満たす値である。
０．９９≦α≦１．００５ …（２）
０≦β＜０．１ …（３）
０．００５≦ａ≦０．１０ …（４）
０．４０≦ｂ≦０．５０ …（５）
０．４０≦ｃ≦０．５８ …（６）
ａ＋ｂ＋ｃ＝１ …（７）］ （もっと読む）

【課題】厚み縦振動の三次高調波モードを利用する発振子に用いられたときに、十分に高いＱ_ｍａｘを得ることを可能とし、且つ焼成温度の変動に起因する発振周波数Ｆ_０の温度特性のばらつきを抑制できる圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸鉛とＭｎ元素とを含有する複合酸化物と、Ｍｏ元素と、を含み、ＭｏＯ_３に換算したＭｏ元素の含有量が、複合酸化物１００質量部に対して、０質量部より大きく０．６質量部以下である、圧電磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇの含有割合が高い内部電極を同時焼成する場合であっても十分に焼成することが可能な圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の圧電磁器組成物は、下記組成式（１）で表される複合酸化物を主成分として含み、副成分として、０．６質量部以下のＴａ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｗ又はＳｎの酸化物、０．２５質量部以下のＤｙ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｅｒ又はＹの酸化物、及び、０．１５質量部以下のＢｉ又はＶの酸化物を含む。
（Ｐｂ_ａ−ｂＭｅ_ｂ）［（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_ｘＴｉ_ｙＺｒ_ｚ］Ｏ_３ …（１）
［式（１）中、Ｍｅは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ及びｚは、下記式（２）〜（７）で表される条件を満たす。
０．９６≦ａ≦１．０３ …（２）
０≦ｂ＜０．１ …（３）
０．００５≦ｘ＜０．０５ …（４）
０．４２≦ｙ≦０．５３ …（５）
０．４５≦ｚ≦０．５６ …（６）
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ …（７）］ （もっと読む）

【課題】適正な添加物を適正な量添加することにより、単位体積当たりの発電量を向上させた圧電体を提供する。
【解決手段】圧電素子構造体において、１は添加物としてニオブが１モル％添加され、分極処理の過程で分極電界が１．５ｋＶ／ｍｍ印加されて作製された圧電体、２は電極、３，４は出力端子である。圧電体１の上下面に電極２が形成されて圧電素子が構成され、積層された各圧電素子の電極２は同極同士が接続されて出力端子３，４が形成される。圧電体の母材としては、圧電発電体であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が好ましい。母材に０．１〜４モル％添加される添加物としては、ニオブ、タングステン、タンタル、ランタン、アンチモン、ビスマス、トリウムの酸化物等の、ペロブスカイト結晶構造のＢサイトに導入され、低弾性率素子として母材にドナーを供給できる元素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電特性及び温度特性に優れた圧電磁器組成物、それを用いた圧電素子、及び非共振型ノッキングセンサを提供する。
【解決手段】Pb_m { Zr_1-x-y-zTi_xSn_y（Sb_1-nNb_n）_z } O₃（式中、1.000≦m≦1.075、0.470≦x<0.490、0.020≦y≦0.040、0<n<1.000、0<z≦0.025を満たす）で表され、結晶子径が30〜39nmである圧電磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、室温の動的圧電定数ｄ₃₃に対する１５０℃の動的圧電定数ｄ₃₃の変化の小さい圧電センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電磁器からなる基体の対向する一対の表面に集電電極を備える圧電センサであって、前記圧電磁器は、１５０℃における体積固有抵抗Ｒ（１５０℃）が２５℃における体積固有抵抗Ｒ（２５℃）より低く、１５０℃における圧電定数ｄ₃₃（１５０℃）が２５℃における圧電定数ｄ₃₃（２５℃）より高く、かつ５０Ｈｚの振動で測定した動的圧電定数ｄ₃₃の温度特性が正である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は発明者らによって提案されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に関して、室温抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下と低く、通電による経時変化を小さくした半導体磁器組成物−電極接合体を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に電極を接合した半導体磁器組成物−電極接合体であって、電極接合後に１００℃以上６００℃以下で０．５時間以上２４時間以下の熱処理を施す半導体磁器組成物−電極接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛の含有量が十分に低減されるとともに、広い温度範囲で十分に優れた圧電特性を有する圧電磁器及び当該圧電磁器を備える圧電素子を提供すること。
【解決手段】本発明の圧電素子２０は、一対の電極２，３と圧電磁器１とを備える。圧電磁器１は、ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との２成分が固溶した固溶体を主成分として含有している。そして、当該固溶体において、２成分の合計に対するＫＮｂＯ_３のモル比率は０．５〜０．９である。 （もっと読む）

【課題】チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電体であって、圧電特性が良好な組成を有する圧電体を提供すること。
【解決手段】本発明の圧電体は、組成式（１）、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙＯ_３・・・（１）（式中、Ｍは、ＴａおよびＮｂの少なくとも一方であり、かつ、ＺｒおよびＴｉの少なくとも一方を置換している。式中、ｘは、０．５１≦ｘ≦０．５７の範囲であり、ｙは、０．０５≦ｙ＜０．２の範囲である。）で示されるペロブスカイト型化合物を含み、ペロブスカイト型化合物は、添加物として、ＳｉＯ_２およびＧｅＯ_２の少なくとも一方を含有し、添加物の添加量は、前記ペロブスカイト型化合物に対して、０．５モル％以上５モル％以下である。 （もっと読む）

【課題】従来に比して低温条件で焼成した場合であっても緻密であるとともに結晶性に優れており、かつ、優れた圧電／電歪特性を示す圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】ＢｉをＡサイトとし、ＢサイトがＢ１、Ｂ２の元素（Ｂ１：Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及び希土類からなる群から選ばれるイオン価数が２価以下の少なくとも１種類以上、Ｂ２：イオン価数が４価以上でＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｍｏ及びＷからなる群から選ばれる少なくとも１種類以上である）からなるＡＢＯ₃型化合物（主成分１）として、Ａサイトに少なくともＰｂが含まれるＡＢＯ₃型化合物（主成分２）に固溶させる。 （もっと読む）

【課題】ソフトＰＺＴをも凌駕する高い圧電係数（ｄ_３３＞５００ｐＣ／Ｎ）を持つことができる非鉛圧電材料を提供する。
【解決手段】Ｐｂ等の有害元素を含まない非鉛系圧電材料であって、｛［（Ｂａ_１−ｘ１Ｍ１_ｘ１）（（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）_１−ｙ１Ｎ１_ｙ１）Ｏ_３］―δ％［（Ｂａ_１−ｙＣａ_ｙ）_１−ｘ２Ｍ２_ｘ２）（Ｔｉ_１−ｙ２Ｎ２_ｙ２）Ｏ_３］｝（Ｍ１，Ｎ1，Ｍ２，Ｎ２は添加元素）の擬二元系固溶体（略称ＢＺＴ−δ％ＢＣＴ）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で誘電体の焼結が可能であり、さらに高誘電率でありながら比較的温度特性がよく、さらには誘電損失が低い上に絶縁抵抗が高く、かつ交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｃａ_ｘ Ｓｒ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】薄層化した場合であっても、高い比誘電率を示しつつ、良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命等の特性が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】 主成分としてＢａＴｉＯ_３を有し、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＭｇＯ：０．５０〜３．０モル、ＭｎＯ：０．０５〜０．５モル、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄからなる群から選ばれる元素の酸化物（ＲＥ^１_２Ｏ_３）、Ｔｂ、Ｄｙからなる群から選ばれる元素の酸化物（ＲＥ^２_２Ｏ_３）、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる元素の酸化物（ＲＥ^３_２Ｏ_３）、ＢａＺｒＯ_３：０．２０〜１．０モル、およびＶ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０５〜０．２５モル、を含み、前記ＲＥ^１_２Ｏ_３、ＲＥ^２_２Ｏ_３およびＲＥ^３_２Ｏ_３の含有量が、ＲＥ^１_２Ｏ_３＜ＲＥ^２_２Ｏ_３および（ＲＥ^１_２Ｏ_３＋ＲＥ^２_２Ｏ_３）≦ＲＥ^３_２Ｏ_３を満たす誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】結晶の配向性を高めるに際して、シート部同士をできるだけ接しないようにし、体積効率を高めて焼成する。
【解決手段】無機粒子をシート厚さが１０μｍ以下のシート状に形成した複数のシート部３２に成形し、このシート部３２の間に上部スペーサ３４及び下部スペーサ３５を入れて積層した積層体に貫通孔２６を設け、この貫通孔２６に吊棒２８を挿入し吊した状態で焼成し、積層焼成体２０を作製する。シート部３２は、シート厚さ方向に存在する材料が限られているため、焼成などにより粒成長すると、シート面方向に結晶粒子が成長する。また、シート部３２の間にはスペーサ３４，３５により空間が形成されているからシート部同士が接しにくい。また、シート部３２を積層し吊した状態で焼成するから、強度が必要な載置部材を省略可能であり、より体積効率を高めた状態で焼成することができる。 （もっと読む）

【課題】高い機械的（衝撃）負荷（ガス着火装置のため）の際に高い減極強度を有し、かつ特に機能的特性の低い温度係数および老化速度、高いキュリー温度（センサーのため）ならびに大きな変形効果（アクチュエーターのため）を有するジルコン酸チタン酸鉛をベースとする変性圧電性セラミックを製造する。
【解決手段】強誘電的に活性な化合物での部分的な置換によってジルコン酸チタン酸鉛（ペロブスカイト構造Ａ^２＋Ｂ^４＋Ｏ_３を有する）の場合において材料の所望の安定化が達成でき、かつ同時に焼結温度の低下が可能である。 （もっと読む）

【課題】分極後の特性変化が小さく絶縁性が高い圧電／電歪セラミックスを提供する。
【解決手段】圧電／電歪素子１は、基体１０２の薄肉部１０４の上に、電極膜１１０、圧電／電歪体膜１１２、電極膜１１４、圧電／電歪体膜１１６及び電極膜１１８をこの順序で積層した積層構造を有している。圧電／電歪体膜１１２，１１６は、Ａサイト構成元素として鉛を含み、Ｂサイト構成元素としてマグネシウム、ニッケル、ニオブ、チタン及びジルコニウムを含むペロブスカイト酸化物を含有するセラミックスの膜である。圧電／電歪体膜１１２，１１６を構成する結晶粒子は、コア部分よりもシェル部分においてニッケルの濃度が高くなり、シェル部分よりもコア部分においてマグネシウムの濃度が高くなるコアシェル構造を有する。このような圧電／電歪体膜１１２，１１６は、コロンバイト化合物を経由して合成した圧電／電歪材料の粉末を焼成することにより、得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率でありながら、薄層化が可能で信頼性に優れた誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
ＭＬＣＣの小型大容量化の要求に応えるため、誘電体層の薄層化を行ったが、従来の誘電体磁器組成物であるとＭＬＣＣの誘電体層内に誘電体層の厚みを超えるような粗大な粒子が含まれ、これがショート不良・信頼性悪化要因となり、薄層化が困難であった。
【解決手段】小型大容量化を達成するため、Ａサイトの一部がＣａで置換され、Ｂサイトの一部がＺｒで置換されたチタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム（ＢＣＴＺ）を主原料として使用し、Ｍｎ₃Ｏ₄、Ｙ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅を添加することで、焼結後におけるＭＬＣＣ内の結晶粒径が微細化するので、薄層化が可能でショート不良が少なく、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電／電歪特性をより高めることができる結晶配向セラミックスを提供する。
【解決手段】結晶核が残存し特定元素を所定濃度範囲で含む結晶面に沿って少なくとも一部が層状である第１領域と、この第１領域と異なる濃度範囲でこの特定元素を含む結晶面に沿って少なくとも一部が層状である第２領域とが交互に繰り返されることにより、結晶面に対して直交する方向に組成分布を有しており、この組成分布が、Ｎａの濃度が第２領域よりも高くＫの濃度が第２領域よりも低くＮｂの濃度が第２領域よりも低くＴａの濃度が第２領域よりも高い領域である第１領域と、Ｎａの濃度が第１領域よりも低くＫの濃度が第１領域よりも高くＮｂの濃度が第１領域よりも高くＴａの濃度が第１領域よりも低い領域である第２領域と、が交互に繰り返されることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部をＢｉ−Ｎａで置換した半導体磁器組成物において、室温抵抗率を低く維持しながら、ジャンプ特性を任意にコントロールすることができる半導体磁器組成物の提供。
【解決手段】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物とし、Ｐ型半導体の存在比率を仮焼条件、添加物の添加量、焼結条件などにより変化させ、それによってジャンプ特性を高く維持しながら、室温抵抗率を任意にコントロールする。 （もっと読む）

【課題】屈曲変位が大きく、応力集中に起因するマイクロクラックや格子欠陥等の不具合が発生し難い圧電／電歪膜型素子を提供する。
【解決手段】セラミックス製の基体と、チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電／電歪磁器組成物からなる多数の結晶粒子１０，２０で構成された圧電／電歪体からなる膜状の圧電／電歪部と、圧電／電歪部に電気的に接続される膜状の電極とを備え、結晶粒子１０，２０が、結晶本体部１３，２３と、結晶本体部１３，２３の外周の少なくとも一部に配置される、結晶本体部１３，２３の結晶構造とは異なる結晶構造を有する表層部１５，２５とを含むものであり、圧電／電歪部が、基体に、直接又は前記電極を介して固着された圧電／電歪膜型素子である。 （もっと読む）