【課題】ハロゲンガスに対する耐食性が高く、静電チャックとして用いたときの吸着性能に優れたセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】主成分がＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３から成るスピネル質焼結体であり、４Ａ、５Ａまたは６Ａ族元素から選ばれる少なくとも一つの元素が酸化物換算で０．０２質量％以上、３質量％未満含まれ、体積抵抗率が１×１０^８〜１×１０^１４Ωｃｍであり、気孔率が０．３％以下であることを特徴とするセラミックス焼結体。 （もっと読む）

金属不純物の含有量が１０ｐｐｍ未満であり正の温度係数を有するセラミック材料を含む、射出成形された成形体を供給するステップと、流体を加熱するために該射出成形された成形体を用いるステップと、を含む、流体を加熱するための方法が記載される。 （もっと読む）

射出成形体は、含まれる金属不純物が１０ｐｐｍ未満であり、正の温度係数を有するセラミック材料を含む。射出成形体を生産する方法は、含まれる金属不純物が１０ｐｐｍ未満である、射出成形のための原料を供給することと、原料を型に射出することと、結合材を取り除くことと、成形体を焼結することと、成形体を冷却することと、からなる。 （もっと読む）

原料、および原料を調製する方法が示され、該原料は射出成形が可能であり、金属不純物の含有量が１０ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】厚み縦振動の三次高調波モードを利用する発振子に用いられたときに、十分に高いＱ_ｍａｘ、及び発振周波数Ｆ_０の良好な温度特性を得ることを可能にする圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト構造を有する複合酸化物を含有し、該複合酸化物が、（Ｐｂ_αＬｎ_β）（Ｔｉ_{１−（ｘ＋ｙ＋ｚ)}Ｚｒ_ｘＭｎ_ｙＮｂ_ｚ）Ｏ_３［式中、ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。］で表される組成を有し、０．９１≦α≦１．００、０＜β≦０．０８、０．１２５≦ｘ≦０．３００、０．０２０≦ｙ≦０．０５０、及び０．０４０≦ｚ≦０．０７０を満たす。 （もっと読む）

【課題】厚み縦振動の三次高調波モードを利用する発振子に用いられたときであっても、発振周波数Ｆ_０の良好な温度特性を得ることを可能にする圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】正方晶系のペロブスカイト型結晶構造を有し、ペロブスカイト型結晶構造の結晶格子におけるａ軸の長さが３．９１〜４．０２オングストロームである圧電磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な圧電特性を有するとともに、優れた機械強度を有する圧電体用組成物および圧電アクチュエータの提供。
【解決手段】第１セラミックス相と、第２セラミックス相とを含む少なくとも２種以上のセラミックス相で構成される圧電体用組成物であって、前記第１セラミックス相を構成する結晶粒子の平均粒径Ｄ１と、前記第１セラミックス相の熱膨張係数Ｌ１と、前記第２セラミックス相を構成する結晶粒子の平均粒径Ｄ２と、前記第２セラミックス相の熱膨張係数Ｌ２とが、Ｄ１＜Ｄ２、かつＬ１＞Ｌ２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄層化しても、高い比誘電率および良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】主成分としてＢａＴｉＯ_３系誘電体材料を有し、副成分としてＭｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｒ（ＲはＹ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｙｂから選ばれる１つ以上）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗから選ばれる１つ以上の元素の酸化物を有し、焼結助剤を有し、針状結晶が存在しており、一般式ＡＢＯ_３で表した場合、Ａ元素がＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｒからなる群から選ばれ、Ｂ元素がＴｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれ、０．９８５≦Ａ／Ｂ＜０．９９７であり、２０００倍で、５０×５０μｍを１視野としてＳＥＭ観察したときに、３視野に存在する針状結晶２０の合計個数が１０〜５０個である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】薄層化した場合であっても、高い比誘電率を示しつつ、良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命等の特性が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】主成分としてＢａＴｉＯ_３を有し、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＭｇＯ：０．５０〜２．５０モル、ＭｎＯ：０．０５〜０．３５モル、Ｒ_２Ｏ_３（ただし、ＲはＧｄ以外の希土類元素）：０．４０〜１．５０モル、Ｇｄ_２Ｏ_３：０．０３〜０．１０モル（ただし、０．１０モルは除く）、ＢａＺｒＯ_３：０．２０〜０．７０モル、およびＶ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モルを含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対して、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．０１〜０．０６モルの割合で、イットリウムをＹＯ_３／２換算で０〜０．０３モルの割合で、マンガンをＭｎＯ換算で０．００５〜０．０３モルの割合で、ニオブをＮｂＯ_５／２換算で０．０７〜０．３モルの割合で含有するとともに、Ｃｕｋα線を用いたときの誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、２θが４４．７〜４５．５°の範囲に現れる回折ピークの２５℃における半値幅（ｄ_２５）と１５０℃における半値幅（ｄ_１５０）との差（ｄ_２５−ｄ_１５０）が０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】靱性を向上することのできる圧電磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】組成式：Ｐｂ_ａ[（Ｍｎ_ｂＮｂ_ｃ）_ｄＴｉ_ｅＺｒ_ｆ]Ｏ_３で表される主成分を有し、この組成式において、０．９８≦ａ≦１．０１、０．３４０≦ｂ≦０．３８４、０．６１６≦ｃ≦０．６６０、０．０８≦ｄ≦０．１２、０．５００≦ｅ≦０．５４０、０．３７≦ｆ≦０．４１、ｂｄ＋ｃｄ＋ｅ＋ｆ＝１を満たし、かつ副成分としてＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で１〜１０ｗｔ％含有する圧電磁器に分極処理を施す工程と、分極処理が施された圧電磁器に２００〜３００℃の範囲で１０〜６０分間保持する熱処理を施す工程と、を備える。この熱処理により、靭性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】圧電歪定数ｄ_３３及びキュリー温度Ｔｃがともに高い値である圧電素子を構成する圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）複合ペロブスカイト形のＢｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３、（ｂ）ペロブスカイト形のＢａＴｉＯ_３、及び（ｃ）Ｎｂ_２Ｏ_５を含み、（ａ）成分、（ｂ）成分、及び（ｃ）成分の各々の相対量が、一般式
Ｂｉ_{０．５−０．５ａ}Ｎａ_{０．５−０．５ａ}Ｂａ_ａＴｉＯ_３＋ｂＮｂＯ_２．５
で表して、０．０３≦ａ≦０．０６、且つ０．０１≦ｂ≦０．０４の条件を満足する量である圧電磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 圧電トランスの高寿命化および安定した圧電特性の確保をするために、比誘電率εｒ、電気機械結合係数Ｋおよび振動速度限界Ｖｍａｘのより大きな圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】
圧電磁器組成物は、一般式ａＰｂ（Ｍｎ_１／３Ｓｂ_２／３）Ｏ_３−ｂＰｂ（Ｍｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ｃＰｂ（Ｓｂ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３−ｙＰｂＺｒＯ_３−ｚＰｂＴｉＯ_３と表記される多成分系ジルコンチタン酸鉛において、組成範囲が０．４６≦ｙ／（ｙ＋ｚ）≦０．５４、０．０３＜ａ＋ｂ＋ｃ≦０．１０（但しａ＋ｂ＋ｃ＋ｙ＋ｚ＝１）であり、かつＰｂの一部をＢａに置換した。 （もっと読む）

【課題】高屈折率を有する光吸収率の小さい光学薄膜用材料であり、大電流の電子ビームの照射を行っても材料の割れやビーム照射面の陥没などの起こらない真空蒸着用材料として用いることのできる金属酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】金属成分としてジルコニウムとチタニウムとニオブを含み、化学量論的にＺｒ_ｗＴｉ_ｘＮｂ_ｙＯ_ｚの組成で表され、かつ酸素欠損を有する複合酸化物であり、該ｗ、ｘ、ｙ、ｚは、３．８≦ｗ≦７．９、０．１６≦ｘ≦５．６、０．０１≦ｙ≦１．８３、１３．６≦ｚ＜２０．１５の範囲にあり、および、該酸素欠損の量は、完全酸化に対して０．０８９ｍｏｌ％以上１７．０８４ｍｏｌ％以下の範囲にあることを特徴とする光学薄膜の形成材料。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対す副成分として、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．０１５〜１．０ｗｔ％を含有する焼結体からなる誘電体磁器であって、焼結体は、主相として（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ_４を、また、副相として（Ｚｎ，Ｎｉ）_２ＴｉＯ_４及びＺｒＳｉＯ_４を含む。この誘電体磁器は、式（２）で求められる比誘電率εｒの焼成温度依存性（γεｒ）を、８％以下にできる。
γεｒ＝（ε_ｍａｘ−ε_ｍｉｎ）／ε_ｍａｘ×１００（％）…式（２）
ε_ｍａｘ：焼成温度（１３００〜１４００℃）における比誘電率εｒの最大値
ε_ｍｉｎ：焼成温度（１３００〜１４００℃）における比誘電率εｒの最小値 （もっと読む）

【課題】 発振周波数の温度依存性が低い非鉛系の圧電磁器および圧電素子を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電磁器として、主成分がビスマス層状化合物からなる圧電磁器であって、組成式ｘＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５＋（１−ｘ）ＭＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９で表され、Ｍがアルカリ土類金属元素であり、ｘ＝０．５である成分１００質量部に対して、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０５〜２．０質量部含有するものを用いる。また、ＭがＳｒであることが好ましい。
（もっと読む）

【課題】機械的強度に優れているとともに、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電／電歪特性の良好な圧電／電歪部を比較的低い焼成温度で形成可能な圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】主成分としてのＰｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３−ＰｂＺｒＯ_３三成分固溶系組成物、Ｎｉ、及びＡｇを含有し、Ｎｉの含有割合（ＮｉＯ換算）が、０．０５〜３．０質量％であり、Ａｇの含有割合（ＡｇＯ換算）が、０．０１〜１．０質量％である圧電／電歪磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】より簡便な方法で結晶配向性を高める。
【解決手段】第１温度以上で粒成長する第１無機材料を含む厚さが１０μｍ以下の第１シート２１と、第１温度よりも高い第２温度で粒成長する第２無機材料を含む第２シート２２とを成形し、成形した第１シート２１と第２シート２２とを１以上積層した積層体２０を得て、この積層体２０を第１温度以上第２温度未満の温度で焼成することにより第１無機材料を粒成長させる。このとき、第１シート２１は、厚さが１０μｍ以下であるため、第１無機材料は、第２シート２２との接触面に沿って粒成長がより促される。その後、第２温度以上で焼成することにより第２シート２２に含まれる第２無機材料を粒成長させる。このとき、第２無機材料は、接触面に沿って粒成長した第１無機材料の粒子方向に沿って粒成長する。このように、全体として一定の方向へ粒成長するのである。 （もっと読む）

【課題】 常誘電性を有するとともに、比誘電率が１５０以上で、かつ測定周波数１００Ｈｚ、温度１００℃における誘電損失が１％以下の誘電体磁器およびこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 金属元素として、Ｂａのみ、ＢａおよびＳｒの組合せ、またはＢａ、ＳｒおよびＣａの組合せと、Ｔｉ、ＮｂおよびＹとを含有するとともに、モル比による組成式を（Ｓｒ_{１−ｕ−ｖ}Ｂａ_ｕＣａ_ｖ）（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ｎｂ_ｘＹ_ｙ）Ｏ_３と表したとき、０．３≦ｕ≦１、０≦ｖ≦０．３、ｕ＋ｖ≦１、０．０５≦ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．２の範囲とすることにより、常誘電性を有するとともに、室温での比誘電率が１５０以上、測定周波数１００Ｈｚにおける１００℃での誘電損失が１％以下である誘電体磁器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】緻密な構造と高誘電率を有する誘電体薄膜を得るとともに、それを利用した高寿命の電子部品を提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサ１０は、基板１２上に、下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極２６を積層した構造となっている。前記誘電体薄膜１６では、アクセプタ元素のコーティング層２０によってコア１８の表面が被覆されたＡＢＯ_３構造の第１の粒子２２間の空隙に、ドナー元素を含有するＡＢＯ_３構造であって、前記第１の粒子２２よりも粒径が小さい第２の粒子２４が充填された緻密な構造となっている。このような第１の粒子２２と第２の粒子２４を用いることにより、低温でも緻密な構造で誘電率が高い誘電体薄膜１６が得られる。また、ドナー・アクセプタ設計を行って酸素欠陥の生成と移動を抑制するため、誘電率及び信頼性（ないし寿命）が高い薄膜コンデンサ１０が得られる。 （もっと読む）