【解決手段】（１）酸化珪素を還元することで金属珪素を得る工程、
（２）上記金属珪素をガス吹練処理して不純物を除去する工程、
（３）上記不純物を除去した金属珪素を溶解し、一方向凝固する工程、
（４）一方向凝固した金属珪素から純度の低い部分を除去する工程、及び
（５）上記低純度部分を除去した金属珪素を減圧下で電子ビーム溶解して不純物を気化・除去する工程
を含むことを特徴とする金属珪素の精製方法。
【効果】本発明によれば、Ｆｅ等の不純物金属元素はもちろんＢ，Ｐ等の金属成分以外の不純物も短工程で効率よく、しかも安価に除去・精製した高純度化金属珪素を得ることができる。本発明で得られる金属珪素は、太陽電池用として好適に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの析出反応に伴って生成した副生物から高純度のＴＣＳを得ることを可能とすること。
【解決手段】多結晶シリコン製造工程１０１で生成する副生混合物を、塩素化反応器１０２内で塩素と反応させてテトラクロロシラン（ＳＴＣ）留出物を生成させ、当該ＳＴＣ留出物を水素化反応器１０３内で水素と反応させてトリクロロシラン（ＴＣＳ）に転換させる。塩素化工程においてＴＣＳと近沸点のメチルクロロシラン類が高次塩素化されて高沸点化がなされるので、高次塩素化メチルクロロシラン類の高濃度濃縮分離が容易なものとなり、多結晶シリコンへの炭素混入が抑制される。また、ドナー・アクセプタ除去器１０４をＴＣＳ製造の循環サイクル中に設けているので、ＴＣＳ製造に伴って生成する副生物を系外に取り出すことなく、ＴＣＳの高純度化が可能となる。 （もっと読む）

太陽電池ウエハ又は半導体装置の製造から生じる鋸屑又は切屑のような高純度シリコンの残余物又は他の残留Ｓｉを再利用する方法が、ウエハ製造プロセス又は半導体装置の製造プロセスから生じる乾燥切屑、削屑及び／又は他の残留Ｓｉを、四塩化ケイ素、すなわちＳｉＣｌ₄を生成する直接塩素化反応器１において金属級シリコンと共に、供給原料として使用することを特徴とする。未反応の切屑又は反応しないまま反応ゾーンから流出する他の小さい粒子を、それらのサイズにかかわらず、さらなる塩素化のために繰り返し反応器に戻す。本方法に含まれる装置は、反応器１の他に、Ｓｉ材料／切屑を混合及び貯蔵する貯蔵及び混合装置２と、反応器の反応ゾーンから流出すると共に、戻り給送手段９によって反応器の反応ゾーンに戻されるＳｉ含有粒子を分離及び回収する回収装置３と、反応器の反応ゾーン及び回収装置から流出する最小サイズの粒子を、液体ＳｉＣｌ₄とのスラリーの形態で集める凝縮ユニット１０と、ウエハ製造プロセス又は半導体装置の製造プロセスから生じるさらなる切屑、削屑及び他の残留Ｓｉを、冷却及び温度制御のために後で反応器の反応ゾーンに直接加えられる既存のＳｉＣｌ₄／Ｓｉスラリーに加えてこれと混合する混合ユニット１３とを備えることができる。
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本発明は、微細及び／又はアモルファスな二酸化ケイ素と、炭素と、エネルギー供与体との混合物を塩素により変換することによって四塩化ケイ素を製造する方法に関する。エネルギー供与体は、シリコン、フェロシリコン又はカルシウムシリサイドのような金属シリコン又はシリコン合金である。供与体の添加は、一方では自続的な発熱反応をもたらし、他方では反応開始温度の著しい低下をもたらす。微細及び／又はアモルファスな二酸化ケイ素としては、二酸化ケイ素含有灰が主に使用される。これらは、もみ殻又はわらのようなケイ素含有植物の骨格構造の灰化によって製造される。他の供給源としては、塩酸によるアルカリ土類金属ケイ酸塩の温浸からのシリカ、及びシリコンの電気化学的な製造からの濾過粒子、並びに珪藻土のような二酸化ケイ素を含有する天然由来物が挙げられる。 （もっと読む）

本発明では、珪素の精製法、精製珪素を得る方法を提供し、ひいては、精製珪素結晶、精製粒状化珪素、および／もしくは精製珪素インゴットを得る方法も提供する。
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【解決課題】シリカ粒子中のイオン性の高い不純物を短時間に除去することができる精製効果に優れた処理方法と装置および精製シリカ粒子を提供する。
【手段】シリカ粒子を流動状態にし、高温下で流動状態のシリカ粒子に精製ガスを接触させてシリカ粒子の不純物成分を除去する精製方法において、流動状態のシリカ粒子を磁場領域内に位置させて、シリカ粒子の移動により生じる電場によってシリカ粒子に電圧を印加した状態にして精製ガスと接触させることを特徴とするシリカ粒子の精製方法であり、好ましくは、流動状態のシリカ粒子を、１０ガウス以上の磁場領域内に位置させて、１０００℃以上の温度下で精製ガスと接触させるシリカ粒子の精製方法。 （もっと読む）

本発明は、高純度の四塩化珪素または高純度の四塩化ゲルマニウムを、少なくとも１つの水素含有化合物で汚染されている精製すべき四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムを低温プラズマにより処理し、精製された高純度の四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムを、生じる処理された相から分別蒸留によって単離することによって連続的に製造するための反応器、プラントまたは工業的方法であって、この処理を、誘電体（４．４）、高電圧電極（４．３）およびアースされた金属製熱交換器（４．２）の長手軸線が互いに平行に配向され、同時に重力の力の方向ベクトルと平行であるプラズマ反応器（４）中で実施することによって特徴付けられる、精製された四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムを連続的に製造する反応器、プラントまたは工業的方法。
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分散盤Ｂのウインドボックス１１と筒状容器壁１２との間に多孔板１３ が設けられている。多孔板１３の上には、筒状容器壁１２の内側を埋めるようにして、 溶融シリカ等のセラミック粒子が充填された構成を有する充填層１４が形成されている。充填層１４は、セラミック粒子により構成されるので、塩素ガスにより腐蝕損耗が抑制され、また耐久性も向上する。さらに、筒状容器壁１２の内面には耐塩素部材が密着配置されているため、筒状容器壁１２の塩素ガスによる腐蝕損耗も効果的に抑制できる。その結果、塩化炉本体の内壁損傷が少なく、チタン鉱石とコークスからなる流動層４に対して塩素ガスの均一な分散供給状態が長期間にわたり維持される。 （もっと読む）