【課題】本発明は、いかなる機械的、化学的ストレスも与えることなく、太陽電池用の多結晶シリコンプレートにエンボス加工を施す方法を提供する。
【解決手段】
予め決定されているレリーフを表現している二つの表面の一つを有する、少なくとも一つの多結晶シリコーンプレート（６８，７８）の製造方法に関するもので、多結晶シリコーン（６０，６２）の層が支持体（５０）の二つの表面(５６，５８)のうち少なくとも1つの表面上に堆積することを特徴とする。
本製造方法は、
(1)前記レリーフが互いに補完する形を支持体に与えるために、支持体（５０）の前記表面（５２，５４）に凸凹加工（エンボス加工）を施すステップと、
(2)支持体の前記エンボス加工された表面（５６，５８）に前記多結晶シリコーン層を堆積させ、前記エンボス面と接している前記多結晶シリコーン層の表面に、前記レリーフの形状を形成するステップと、
(3)前記多結晶シリコーンプレート（６８，７０）を得るために、前記支持体を取り除くステップと、
から構成される。 （もっと読む）

本発明は、一つの底面部材２と四つの側面部材３とを組み合わせた鋳型であって、各側面部材３の側部には側面部材３同士を結合するための凸部５と凹部６を備え、隣接する側面部材の凸部５と凹部６を嵌め合わせる構造を有する。一つの底板２と四つの側板３を組み立てる場合に、これらを固定のためのネジ、ボルトを使用せずに鋳型の組み立て解体作業を行うことができ、鋳型の組み立て解体の作業が飛躍的に簡素化し、作業効率が大幅に向上する。 （もっと読む）

本発明はPV太陽電池用の珪素（シリコン）ウェファを製造するために指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造する珪素供給原料に関し、該珪素供給原料はこれに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と０.1〜10ppmaのリンとを含有する。本発明は更にインゴットに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と0.1〜10ppmaのリンとを含有する、太陽電池用ウェファを形成するための指向的に凝固した珪素インゴット又は珪素薄板又はリボンに関し、該珪素インゴットはインゴット高さ又はシート又はリボンの厚さの40〜99％の地点でp−型からn−型へ又はn−型からp−型への型式変化を有し且つ0.4〜10 ohm cmの開始値を有する指数曲線によって表わした抵抗率分布を有し、その際抵抗率値は型式の変化点に向かって増大する。最後に、本発明はPV太陽電池用の珪素ウェファ生産用の指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造するための珪素供給原料の製造方法に関する。
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本発明は、シリカゲル及びアルカリ金属若しくはアルカリ金属合金を含有する１族金属／シリカゲル組成物に関する。本発明による組成物は、段階０の物質、段階Iの物質、段階IIの物質及び段階IIIの物質として記載される。これらの物質は、調製法と化学的反応性の点で相違する。各々の連続的段階の物質は、下記の方法を用いて直接的に調製してもよく、或いは、先行段階の物質から調製してもよい。段階０の物質は、例えば、等温条件下又は室温若しくは室温よりも僅かに高い温度においてＮａとＫの液状合金をシリカゲル（多孔性ＳｉＯ_２）に急激に吸収させることにより、親金属の大部分の還元能を保持する弛緩性黒色粉末を形成させることによって調製してもよい。融点の低い１族金属をシリカゲルに吸収させると、穏やかな発熱反応によって段階Iの物質が形成される（該物質は、乾燥空気中では不安定な弛緩性の黒色粉末である）。段階Iの物質を４００℃まで加熱すると、段階IIの物質が形成される（該物質も弛緩性黒色粉末である）。この物質をさらに４００℃よりも高い温度まで加熱すると段階IIIの物質が形成される。この際、１族金属の一部が放出される。段階Iの物質、段階IIの物質及び段階IIIの物質は、１族金属の吸収後にシリカゲルを還元させると考えられる。本発明による好ましい１族金属／シリカゲル組成物は、ナトリウム、カリウム又はナトリウム−カリウム合金を含有するものであるが、ナトリウム及びナトリウム−カリウム合金を含有するものが最も好ましい。本発明による１族金属／シリカゲル組成物を各段階の物質は、アルカリ金属とこれらの合金に対して知られている方法と同じ方法において、多数の還元性有機物質と反応する還元剤として使用してもよい。

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本発明は、プラズマ処理と、プラズマ処理済み粉末に対する超音波処理と、を組み合わせたような、粉末の球状化焼鈍や高密度化や精製のためのプロセスに関するものである。超音波処理により、プラズマによって溶融して部分的に蒸発した粉末から、『煤塵』とも称されるような、ナノサイズの凝結粉末を分離することができる。また、このプロセスを使用することにより、ナノ粉末を合成することができる。この場合、供給材料を部分的に蒸発させ、その後に、蒸気クラウドの迅速な凝縮を行い、これにより、ナノ粉末からなる微細エアロゾルを生じさせる。後者の場合、超音波処理ステップは、部分的に蒸発した材料から、形成されたナノ粉末を分離するように作用する。
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反応容器の構成部材に過剰な温度負荷をかけることなく、生成したシリコンをスムーズに落下回収し、また、工業的に大規模な製造設備にスケールアップしてもシリコン析出用原料ガスを効率よく反応させ、かつシリコン微粉やシラン類オリゴマー成分の発生も抑制し、長期間にわたって工業的にシリコンの製造が可能な反応容器を提供する。
上下方向に延在する壁により囲まれた空間を形成した管型反応容器であり、上部にシリコン析出用原料ガス流入口と、下端に析出シリコン排出口とを備え、前記管型反応容器の原料ガスと接触する壁面に流通抵抗増加部位が形成されていることを特徴とする管型反応容器。流通抵抗増加部位が、突起、凹部、または傾斜から選ばれる少なくとも１種である。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）