【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に窒化物半導体層２を形成し、前記サファイア基板１から分離した前記窒化物半導体層２を用いて自立した窒化物半導体基板３を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、前記サファイア基板１表面の各点におけるＣ軸の半径方向外方への傾きの最大値と最小値との差であるＣ軸の傾きのばらつきが、０.３°以上１°以下である。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶の自立基板を製造する方法を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、フラックス法で育成されたＩＩＩ族窒化物単結晶６よりも硬度の低い中間層３を気相成長法で形成する。中間層３上に、ＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜５を気相成長法によって形成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を基板１から剥離させることによって自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体の製造を低コストで簡便に行うことを可能とするIII族窒化物系化合物半導体製造用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体製造用基板の製法は、窒素ガス単体若しくは純度９９．９％以上のＡｒガスを含む窒素ガスを用いて運動エネルギーが１００ｅＶ以下の窒素プラズマを形成し、次いで、この窒素プラズマを表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下のサファイア基材表面に照射してＡｌ窒化物層から成る厚さ１０ｎｍ以下の金属窒化物層を生成した後、この金属窒化物層を有するサファイア基材を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、窒化シリコン含有基材を研磨する方法を提供する。該方法は、コロイダルシリカ、少なくとも１種の酸性成分、および水性担体を含む研磨組成物で窒化シリコン基材の表面を磨耗させることを含む。少なくとも１種の酸性成分は、１〜４．５の範囲のｐＫａを有する。該組成物は、該少なくとも１種の酸性成分のｐＫａよりも０．５ｐＨ単位小さいｐＨから該ｐＫａよりも１．５ｐＨ単位大きいｐＨまでの範囲のｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性とキャリア濃度が向上し、低抵抗ｎ型ＡｌＮ半導体結晶を得ることを目的とし、短波長発光素子やパワーデバイスを実現することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,
Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原
子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。特にIIIａ族元素又は／及びIIIｂ族元素の合計濃度（Ｃ_3A）が１×１０¹⁸cm^-3以上であり、Ｏ濃度(Ｃo)が、０．０１Ｃ_3A＜Ｃｏ＜１．５Ｃ_3Aである
ことが好ましい。またＡｌＮ結晶の製造方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法や昇華法等公知の方法に採用できる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の加熱された単結晶原料が溶解している融液に種結晶を接触させ、前記融液から種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる液相エピタキシャル法によりバルク単結晶を効率よく製造する。
【解決手段】常伝導コイル５への交流電流の通電により誘起されるローレンツ力を融液４に作用させて融液の隆起と誘導加熱を行いながら、隆起した融液の頂点付近に種結晶７を接触させ、種結晶上に単結晶１５を成長させる。結晶成長開始前後および／または終了前後の非定常過程において結晶５または１５の近傍を補助加熱することにより結晶の熱流束量の急激な変化を防止して、亀裂のない良質な結晶を得る。補助加熱は、上昇させたコイル５または別のコイルによる誘導加熱、および／または治具１３の融液への浸漬により行われる。治具１３が融液に溶解可能であると、ヘテロエピタキシャル成長に必要な融液組成の調整機能も果たす。 （もっと読む）

【課題】 大きな窒化物単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物結晶１１の表面に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を物質輸送触体層１２に接触させることにより、種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。さらには、物質輸送媒体層１２として、アルミニウム化合物、アルカリ土類化合物および遷移金属化合物からなる群から選ばれる１以上の化合物と希土類元素の化合物を含有する窒化物単結晶の製造方法である。かかる製造方法により、結晶径が１０ｎｍ以上の窒化物単結晶が得られる。 （もっと読む）