【課題】電気磁気効果（マルチフェロイック）デバイス、強誘電デバイス、ピエゾデバイス等に用いることのできるBiFeO₃の大型単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上下２つの結晶駆動軸の一方に支持されたBiFeO₃の高密度な原料棒３と、他方の結晶駆動軸に支持された種結晶棒４と、両棒の間に載置されたフラックス（溶融剤）５を用い、溶融帯域法（フローティングゾーン法）によりフラックス５を加熱して溶融帯域７を形成し、酸素、不活性ガス、又は、それらの混合ガスの雰囲気下で単結晶を育成してBiFeO₃単結晶棒を作製する。 （もっと読む）

【課題】育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）によるＺｒＢ_２単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】フラックスを用いたＦＺ法によるＺｒＢ２単結晶の育成において、ホウ素と炭素両者からなるフラックス（融剤、溶媒）を用いる。融帯（融液）６がホウ素より元素としての蒸気圧が１桁以上低い炭素（Ｃ）を含有させることにより、特に初期融帯の形成が容易となり、また、フラックス使用により育成温度が低下するので加熱電力を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイド半導体デバイスなどの製造に適した液相成長法を提供する。
【解決手段】本発明の液相成長法は、イオン化された第１の元素を含むプラズマに直流電流を重畳することにより、基板上(S) に形成される導電性の溶媒(A) に前記プラズマ中のイオン化された第１の元素を供給する工程と、この溶媒に供給された第１の元素と、この溶媒に予め含まれる第２の元素とを反応せしめて溶質を形成する工程と、この形成された溶質を前記溶媒中に形成される温度差と前記溶質の濃度差に基づき前記溶媒(A) 中を移動せしめて、前記溶質の成長層を前記基板(S) の表面に形成せしめる工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも融点が低く、それ故、低コストで供給でき、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する新規な二ホウ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 二ホウ化ジルコニウムと、所定の固溶度のＶ族二ホウ化物とからなる、固溶体単結晶である。Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化ニオブである場合は、固溶度が５モル％から１２モル％の範囲で、また、Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化タンタルである場合は、固溶度が５モル％から９モル％の範囲で、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する固溶体単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 バルク結晶の製造方法及びバルク結晶製造装置に関し、均熱板を用いることなくソース材料の底部中央部とバルク混晶結晶との衝突による成長中断を防止する。
【解決手段】 成長装置内の成長方向に温度が傾斜している領域にゾーン成長用のルツボ１を配置し、ルツボ１内にソース材料５、メルト４、種結晶２を温度が高い方向から低い方向に順に配置するとともに、ソース材料５の外周部とルツボ１の内壁間に間隙８を設ける。 （もっと読む）

【課題】 ゾーン成長開始時に発生する成長結晶の結晶組成が成長方向に急変することを簡単な手段で抑止できるようにする。
【解決手段】 成長装置内の成長方向に向かって低温から高温へと温度が傾斜する領域にルツボ１を配置し、ルツボ１内にソース材料４、メルト（９及び８）、種結晶２を温度が高い位置から低い位置に向かって順に配置し、メルト内にソース材料４を溶出させ、メルト内を伝播したソースを種結晶２上に結晶成長させるゾーン成長法に於いて、ルツボ１に充填するメルト原料は、メルトを構成する原料９及び８の複数層で構成し、複数層のメルト原料９及び８が成長させるべき混晶系の融液組成を成し、且つ、種結晶２に接触させるメルト原料８の融点を、その上に在るメルト原料９の融点より低くする。 （もっと読む）

【課題】 原料の収率が高く、かつ、結晶の成長速度が高いＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１とＩＩＩ族窒化物原料基板２との間に厚さ２００μｍ以下の液体層３を形成し、基板１の液体層側の表面１ｓ上にＩＩＩ族窒化物単結晶４を成長させるＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法。ここで、基板１の少なくとも液体層側の表面層１ａをＩＩＩ族窒化物単結晶で形成し、ＩＩＩ族窒化物原料基板２をＩＩＩ族窒化物多結晶で形成することができる。また、基板１の少なくとも液体層側の表面層１ａおよびＩＩＩ族窒化物原料基板２をＩＩＩ族窒化物単結晶で形成し、基板１の液体層側の表面１ｓをＩＩＩ族原子面とし、ＩＩＩ族窒化物原料基板２の液体層側の表面２ｓを窒素原子面とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 大きな窒化物単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物結晶１１の表面に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を物質輸送触体層１２に接触させることにより、種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。さらには、物質輸送媒体層１２として、アルミニウム化合物、アルカリ土類化合物および遷移金属化合物からなる群から選ばれる１以上の化合物と希土類元素の化合物を含有する窒化物単結晶の製造方法である。かかる製造方法により、結晶径が１０ｎｍ以上の窒化物単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ある周波数ｆ₀ において、ある電力Ｐｓｈ以下の入力信号に対して、周波数ｆ₀ を中心として出力信号が３ｄＢ以上抑圧された範囲の帯域幅Ｂａの狭い静磁波素子を得る。
【解決手段】 静磁波素子１０は、ＧＧＧ基板などの非磁性基板１２を含む。非磁性基板１２上に、ＹＩＧ単結晶膜のような磁性ガーネット単結晶膜１４を形成する。磁性ガーネット単結晶膜１４については、不純物としてのＰｂの含有量が５重量ｐｐｍ以下となるようにする。磁性ガーネット単結晶膜１４上に、間隔を隔ててマイクロストリップライン１６，１８を形成する。マイクロストリップライン１６，１８に平行な向きに磁界Ｈを印加する。そして、マイクロストリップライン１６に信号を入力し、マイクロストリップライン１８から信号を出力する。 （もっと読む）