【課題】 マクロ欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶の製造装置１は、上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２とを備える。蓋体１２の厚さ方向の中間部に断熱材１３が配設され、反応容器本体１１の内側の蓋体１２の表面１２ａに、炭化珪素を含む種結晶６０が配設される。 （もっと読む）

【課題】４Ｈ型の炭化珪素単結晶を種結晶から成長させる場合、通常、種結晶の（０００−１）カーボン面に炭化珪素を成長するが、この場合、種結晶の接着面は（０００−１）カーボン面の反対側の（０００１）シリコン面となり、カーボン接着剤を用いて種結晶と支持部材との密着性を接着面全面にわたり均一に高めることが難しい。
【解決手段】炭化珪素種結晶の（０００１）シリコン面表層に炭化膜層を形成し、前記炭化膜層を形成した前記種結晶を前記炭化膜層の面側を支持部材に接着し、炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプや螺旋転位等の結晶欠陥が少なく、かつ異種多形結晶や異方位結晶の混入が殆どない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華させた昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶化させて炭化珪素単結晶を成長させる昇華法による炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶５０として、（０００１）面より所定オフ角を持つ面を成長端面として有し、かつ成長端面が所定曲率を持つ凸形状のものを使用し、炭化珪素単結晶の成長過程で、種結晶５０の成長端面の２次元核生成による成長または螺旋転位による渦巻き成長を行うｃ面ファセットの成長軸のずれが許容範囲内となる成長速度で結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】ヘテロナノワイヤーの可能性を発展させたもので、ヘテロ構造が、硫化亜鉛と酸化亜鉛とによるものを提供する。
【解決手段】長手方向では同様な組成よりなり、それを横断する一側側と他側側では相互に異なる組成域となっているヘテロナノワイヤーであって、相異なる組成域の一方が硫化亜鉛で、他方が酸化亜鉛であることを特徴とし、さらに、前記硫化亜鉛からなる組成域は、長手方向に六方晶系硫化亜鉛と立方晶系硫化亜鉛とが交互に結晶成長しているかあるいは単結晶成長している。これらの製造方法は、不活性ガス流路中に、硫化亜鉛粉末を配置し、該硫化亜鉛粉末の配置位置よりも下流側に金薄膜の付着したシリコン基板を設置し、不活性ガスを流しながら、前記硫化亜鉛粉末をその昇華温度に、前記シリコン基板を前記硫化亜鉛粉末の昇華温度未満に、それぞれ加熱することにより前記シリコン基板表面に前記ヘテロナノワイヤーを生成する。 （もっと読む）

【課題】従来のリフトオフ材料が持っている高温での不安定性の問題を克服することができる新規材料を利用して、高温で安定してナノワイヤを成長及びパターニングすることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板の表面にナノワイヤをパターニングする方法は、（ａ）上記表面に、フッ化バリウム犠牲層が所望のパターンで形成された上記基板を提供するステップと、（ｂ）上記フッ化バリウム犠牲層を含む上記基板の表面全体にわたって、ナノワイヤを成長させるステップと、（ｃ）溶媒によって上記フッ化バリウム犠牲層を除去することにより、上記フッ化バリウム犠牲層の表面にある上記ナノワイヤごと除去して、上記基板の上記表面に直接接触した状態の上記ナノワイヤを残すことにより、上記ナノワイヤを上記基板の上記表面上にパターン化するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と蓋体との接着不良を防止することにより、マクロ欠陥が抑制される炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶６０の所定の面に、算術平均粗さＲａが０．０５〜１．０となるように粗面加工処理を施して加工処理面６３を形成する加工工程と、前記加工処理面６３に後処理を施して後処理面を形成する後処理工程と、前記後処理面に接着剤７１を塗布する塗布工程と、接着剤７１を塗布した塗布面を前記蓋体１２に当接させた状態で加熱することにより、前記接着剤７１を硬化させて種結晶６０を蓋体１２に固定させる固定化工程と、を含んでなる炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶の、より均一な結晶成長を促進する炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料８０を加熱して前記昇華用原料８０を昇華させ、昇華させた前記昇華用原料８０を種結晶７０上に再結晶化させて炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法において、昇華用原料８０の少なくとも一部は、中空部が形成された筒状であり、種結晶７０は、昇華用原料８０の中空部に配設される。種結晶７０と昇華用原料８０との位置関係は、誘導加熱コイル３０による加熱時間の経過とともに中空部の延在方向に沿って変化し、誘導加熱コイル３０によって所定温度に加熱される加熱位置は、種結晶７０の位置とともに移動する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を再現性良く結晶成長させる炭化珪素単結晶の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】種結晶４の結晶成長面をエッチング処理してエッチング処理面４ａを形成するエッチング処理面形成工程と、エッチング処理面４ａに昇華法により炭化珪素単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を有する炭化珪素単結晶の結晶成長方法を用いることにより、結晶成長前にエッチング処理を行って、ゴミや研磨傷ダメージなどの結晶成長阻害要因を除去することができ、沿面成長を促進して、結晶欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を結晶成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料と、種結晶とが収容された坩堝を用いる場合において、誘導加熱コイルなどの複雑な制御を回避しつつ、坩堝内を種結晶の成長に適正な温度条件に容易に維持することができる炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘導加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体５０と、蓋部６０とを有する。種結晶７０は四角柱であり、黒鉛製坩堝１０の平面視において、黒鉛製坩堝１０の中央部に配設される。昇華用原料８０は、炭化珪素を含む炭化珪素原料であり、円筒形状を有し、種結晶７０よりも黒鉛製坩堝１０の外周部側に配設され、種結晶７０の周囲を囲んでいる。これにより、坩堝内を種結晶の成長に適正な温度条件に容易に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５をキャリアガス３と共に坩堝内に供給する供給口１３（１４，１５）と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１と、キャリアガス３の排出口１６と、を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、該坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、坩堝本体１１の昇華用原料微粉末５の昇華ガスが触れる部位にタンタルカーバイドまたはタンタル箔でコーティングした黒鉛部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】成長開始前に、炭化ケイ素種結晶２を設置した坩堝１０内に水素ガスを供給して、該炭化ケイ素種結晶２の表面を洗浄する第１の工程と、昇華用原料微粉末５をキャリアガス３と共に坩堝１０内に供給する第２の工程と、昇華用原料微粉末５を加熱して昇華させる第３の工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給して該炭化ケイ素種結晶２上に炭化ケイ素単結晶を成長させる第４の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】転位やマイクロパイプ等の結晶欠陥の密度が低く、デバイス応用した場合に高い歩留まり、高い性能を発揮できる良質な炭化珪素単結晶、及び炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】昇華再結晶法(レーリー法)により製造され、種結晶と成長結晶の界面前後での不純物添加元素濃度の比を５倍以内とし、なおかつ、種結晶近傍の成長結晶の不純物添加元素濃度を２×１０¹⁹cm^-3以上、６×１０²⁰cm^-3以下とすることで、転位等の結晶欠陥の密度を低下させた高品質炭化珪素単結晶であり、また、この炭化珪素単結晶から作製される炭化珪素単結晶ウェハである。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料と、種結晶とが収容された坩堝を用いる場合において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘導加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体５０と、蓋部６０とを有する。種結晶７０は、反応容器本体５０の底部５１に形成される種結晶載置部５２に載置される。種結晶７０は、載置されるのみであって接着されない。 （もっと読む）

【課題】昇華法によりＳｉＣ種基板上にＳｉＣ単結晶を形成させるに際して、ＳｉＣ種基板の種結晶にあったマイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）の貫通欠陥の伝播を抑制して結晶成長を行うことにより、結晶欠陥の少ないＳｉＣインゴットを形成させ、パワーデバイスの歩留まりを向上させることができるＳｉＣ単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプの発生を抑制できる上に、更に昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料４０を収容し、第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶５０を配置した状態で、下式（１）を満たすように反応容器１０を加熱することによって、昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶化させ、加熱が、第一位置側に配置した第一加熱手段２１および第二位置側に配置した第二加熱手段２０を利用して実施される。・式（１）Ｔ１≧Ｔ２〔式（１）中、Ｔ１は、第一位置の温度（℃）を表し、Ｔ２は第二位置の温度（℃）を表す。〕 （もっと読む）

【課題】昇華用原料の利用率を向上させることができる炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１では、黒鉛製坩堝１０の上下方向の断面視において、黒鉛製坩堝１０の上下方向の長さよりも誘導加熱コイル３０を長くし、反応容器本体５０の底部５２を誘導加熱コイル３０の中央部付近に配置することにより、誘導加熱コイル３０によって自然に形成される温度分布における温度領域Ｓｔｍａｘ１を反応容器本体５０の底部５２に対応させるようにし、昇華用原料８０が昇華するに連れて、黒鉛製坩堝１０内における温度領域Ｓｔｍａｘ１を黒鉛製坩堝１０の内部から外部に向けて拡大させる。これにより、昇華用原料底部での炭化珪素多結晶の析出による昇華用原料８０の温度低下が防止できるので、原料の昇華が妨げられことなく進行する。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５をキャリアガス３と共に坩堝内に供給する供給口１３（１４，１５）と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１と、キャリアガス３の排出口１６と、を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、該坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、昇華用原料微粉末５としてケイ素微粉末および炭素微粉末を用いる。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶を実用的な成長レートで製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料４０を収容し、反応容器１０内の第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶５０を配置した状態で、下式（１）を満たすように反応容器１０を加熱することによって、昇華させた昇華用原料４０を、種結晶５０上に炭化珪素単結晶として再結晶化させる。・式（１）Ｔ１≧Ｔ２〔式（１）中、Ｔ１は、第一位置の温度（℃）を表し、Ｔ２は第二位置の温度（℃）を表す。〕 （もっと読む）

【課題】改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造するときに、種結晶のマイクロパイプ欠陥及びボイド欠陥を共に抑制し、これにより品質の高い炭化ケイ素単結晶を製造することのできる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長させる種結晶１００には、成長端面１００ａを有するものを用いる。この成長端面１００ａを有する種結晶１００を炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に設置するに先立って、種結晶１００の成長端面１００ａを真空チャック１で保持しつつ、種結晶１００の裏面１００ｂにスピンコートで保護膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素単結晶の表面の炭化を防止しつつ、昇華用原料の底部に炭化珪素の多結晶が析出することを抑制する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶の製造装置１では、黒鉛製坩堝１０の上下方向の断面視において、黒鉛製坩堝１０の上下方向の長さよりも誘電加熱コイル３０を長くし、反応容器本体５０の底部５２を誘電加熱コイル３０の中央部付近に配置したことにより、誘電加熱コイル３０によって自然に形成される温度分布における最高温度領域Ｓｔｍａｘを反応容器本体５０の底部５２に対応させている。炭化珪素単結晶の製造装置１は、昇華用原料８０が昇華するに連れて、黒鉛製坩堝１０内における最高温度領域Ｓｔｍａｘを黒鉛製坩堝１０の底部５１から種結晶７０と対向する昇華用原料８０の上面部８０ａに向けて変化させる。 （もっと読む）