【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】第１の部屋（原料室１１ｄ）に配置した炭化珪素原料１４から昇華ガスを供給し、第１の部屋に配置した炭化珪素原料１４から昇華ガスの供給を開始してから一定時間後に第２の部屋（外側容器１１の中空部分、蓋体１３、内側容器１２によって囲まれた空間）に配置した炭化珪素原料１５から多量に昇華ガスを供給し、炭化珪素単結晶８を成長させる。このように、２つの部屋で昇華ガスを発生させ、先に第１の部屋に生じた昇華ガスで炭化珪素単結晶８を成長させ、一定時間後に第２の部屋に生じた昇華ガスで引き続き炭化珪素単結晶８を成長させているので、昇華ガスを供給し続けることができ、昇華ガスの供給低下に伴う炭化珪素単結晶８の成長低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】台座の側壁や台座の周辺部に位置する反応容器の壁面にＳｉＣ多結晶が付着することを抑制することのできるＳｉＣ単結晶の製造装置およびそれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一面が台座１１と対向した状態で当該一面が中空部に配置され、原料ガス３を冷却しながら反応容器９内に導入する冷却管１０と、反応容器９の周囲に配置され、反応容器９を加熱して反応容器９内の温度を制御することにより、冷却管１０からの輻射により冷却されるＳｉＣ単結晶６の成長表面の温度を所定温度に制御する加熱装置１５と、備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の結晶表面の温度分布を直接測定することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】壁部１６ａの内部に水が循環することで水冷される中空筒状の水冷管１６と、水冷管１６の中空部１６ｂに配置され、一定の視野角を持った先端部１７ａが容器９のうち台座１０よりも容器９の底部９ｄ側に配置されると共に台座１０側から容器９の底部９ｄ側に放出される光を先端部１７ａから取り込んで、中間部１７ｂを介して他端部１７ｃに伝達するファイバースコープ１７と、ファイバースコープ１７の他端部１７ｃに伝達された光の強度を検出することにより、視野角に応じた範囲の温度分布を直接測定する可視光用のサーモビューア１８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中に坩堝内壁より種結晶が剥離、脱落するのを抑制し、かつ、結晶性が良好な窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造装置１は、上部に開口部を有し、内底部に原料１２を収納する坩堝１１と、前記開口部近傍に設置された蓋体１３と、蓋体１３の下面側に原料１２と対向するように配置された種子基板１４と、種子基板１４の下部に配置され、かつ、種子基板１４の外周部の少なくとも一部に接し、その中心部に種子基板１４の外径より小さな貫通開口を有する種子基板保持部材１５とを備え、種子基板１４は、種子基板保持部材１５により保持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の＜０００１＞軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、１以上の境界線が以下の（１）又は（２）を満たす。（１）０°＜θ＜９０°である。（２）θ＝０°である境界線（ｌ）が２本以上存在し、隣り合う境界線（ｌ）が同一直線上にない。 （もっと読む）

【課題】品質を向上した結晶の製造方法および結晶を提供する。
【解決手段】結晶の製造方法は、昇華法により結晶１０を製造する方法であって、結晶１０と異なる材料の下地基板を配置する工程と、設定温度まで昇温することで、下地基板上に第１の結晶１１を成長する工程と、設定温度以上の温度で、第１の結晶１１上に第２の結晶１２を成長する工程とを備えている。第１の結晶１１を成長する工程の雰囲気圧力は、第２の結晶１２を成長する工程の雰囲気圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】台座上に固定された種結晶を用いて高品質の単結晶を成長させることができる、単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２を有し、かつ炭化珪素からなる種結晶１１が準備される。第１の面Ｐ１上に第１の炭化層２２ａが形成されるように、種結晶１１の表面が炭化される。接着剤を挟んで第１の炭化層２２ａと台座４１とが互いに接触させられる。種結晶１１を台座４１に固定するために接着剤が硬化させられる。台座４１に固定された種結晶１１の第２の面Ｐ２上に単結晶５２が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の高品質の単結晶を生成する。
【解決手段】シード結晶とシード・ホルダとの距離を、シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移が、シード・ホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させる。特に、シード結晶及びシード・ホルダが直接接触するときに良好な結果が得られ、接触面は常に１０μｍ以下、好ましくは１μｍ未満である。このような関係を得るために、シード・ホルダ２５に固定されているエッジ・リング・シード・キャップ２７にシード結晶２４を支持している。成長する結晶２６もキャップに支持される。 （もっと読む）

【課題】結晶格子面の反りが小さく、欠陥密度が低く高品質であって、加工時にクラックが発生しない炭化珪素単結晶及びその製造方法、並びに炭化珪素単結晶ウェーハ及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】台座６ｃに装着された炭化珪素種結晶４上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、炭化珪素種結晶４の結晶格子面の反りを測定する工程と、前記成長時において、前記反りを解消する方向に炭化珪素種結晶４を反らせる材料からなる台座６ｃを選択する工程と、前記台座６ｃに炭化珪素種結晶４を装着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】歪みのない高品質の炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０に配置された炭化珪素種結晶１３に炭化珪素原料の昇華ガスを供給して、炭化珪素種結晶１３上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、台座１０と前記炭化珪素種結晶１３との間に炭化珪素からなる離間部材１１を配置して、離間部材１１を前記台座１０上に非接着で支持部材１２によって機械的に保持し、離間部材１１の前記台座１０と反対側の面に炭化珪素種結晶１３を接着し、離間部材１１の炭化珪素種結晶１３との接着面が支持部材１２の最下位置から鉛直方向に５ｍｍ以上離間するように、離間部材１１と支持部材１２とを相対的に配置して、炭化珪素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を保ちつつ、さらに口径拡大や長尺化した単結晶を得ることのできるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】中空部を有する筒部４１ａ〜４４ａを備えたガイド部材４１〜４４を容器本体１０の軸方向に複数積層することにより、ガイド部４０を構成する。そして、積層方向に隣接する二つのガイド部材４１〜４４の相対する先端面のうち、いずれか一方のガイド部材の先端面には他方のガイド部材の先端面に向かって突出する複数の突出部を周方向に離間して備え、種結晶側のガイド部材を、ＳｉＣ原料３０側のガイド部材に突出部を介して積層する。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶の径方向端部に凹面が形成されることなく、良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、昇華用原料３を収容する坩堝本体５と、前記坩堝本体５に取り付けられ、種結晶が取り付けられる種結晶支持部７を有する蓋体９と、前記種結晶支持部７の外周近傍から前記昇華用原料３に向けて筒状に延びるガイド部材１１とを備え、前記ガイド部材１１の内部に、単結晶よりも熱伝導率が低く設定された断熱材１５を設けている。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を保ちつつ、さらに口径拡大や長尺化した単結晶を得ることのできるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】容器本体１０のうち種結晶２３とＳｉＣ原料３０との間に、昇華ガスを種結晶２３へ導くと共に、ＳｉＣ単結晶２２の成長空間を構成するガイド部４０を配置し、ガイド部４０を、中空部を有する筒部４１ａ〜４４ａを備えた複数のガイド部材４１〜４４を有する構成とし、複数のガイド部材４１〜４４を、容器本体１０の軸方向においてそれぞれ離間した状態で容器本体１０の内部に備える。 （もっと読む）

【課題】より安価に化合物結晶を製造することができる化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶５の表面の少なくとも一部と塊状の固形物からなる固体原料３の表面の少なくとも一部とが間隔を空けて互いに向かい合うように種結晶５と固体原料３とを配置する工程と、固体原料３を加熱する工程と、固体原料３の加熱により固体原料３が昇華して発生した昇華ガスを、互いに向かい合っている種結晶５の表面と固体原料３の表面との間の領域から実質的に外部に漏洩させずに種結晶５の表面上に化合物結晶を成長させる工程と、を含む、化合物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】目的の粒子径の炭化ケイ素粉体を効率よく得ることができるα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法、及び、この粒径制御方法により粒径が制御されたα型炭化ケイ素粉体を用いることで不純物が少なくかつ均質な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】本発明のα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法は、β型炭化ケイ素または炭化ケイ素前駆体を非酸化性の雰囲気中にて加熱し、前記β型炭化ケイ素、または前記炭化ケイ素前駆体から生成するβ型炭化ケイ素をα型炭化ケイ素に相転移させて生成するα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法であり、雰囲気の圧力を変化させてβ型炭化ケイ素からα型炭化ケイ素への相転移温度を制御し、平均粒子径が１０μｍ以上のα型炭化ケイ素粉体を生成する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の単結晶原料の製造と、炭化ケイ素単結晶の成長とを、１台の装置を用いて連続して行うことができ、得られた単結晶原料や炭化ケイ素単結晶に不純物が混入する虞も無い炭化ケイ素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉体または前駆体１１を貯留する容器１２と、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を加熱する高周波コイル１４とを備え、炭化ケイ素粉体または前駆体１１から炭化ケイ素の単結晶原料を生成する単結晶原料部３と、炭化ケイ素種結晶２３を固定する種結晶支持部２１と、種結晶支持部２１を加熱する高周波コイル２２とを備えた炭化ケイ素単結晶製造装置１において、まず、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を焼成して比表面積が制御された炭化ケイ素からなる単結晶原料を得た後、前記単結晶原料を昇華させ、炭化ケイ素種結晶２３上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】コストや作業工数を増大させることなく高抵抗な炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華法により種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させて得られる炭化ケイ素単結晶であって、炭化ケイ素単結晶中のドナー濃度とアクセプター濃度との差の絶対値を１×１０^−１６〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とする。例えば、浅い準位のアセクプターであるホウ素は、結晶成長高さに関わらずホウ素濃度は略一定となるが、浅い準位のドナーである窒素は、結晶成長に伴って低下し、最終的にはホウ素濃度以下になる。これに伴い、成長結晶の抵抗率は結晶成長に伴って増加していき、ホウ素濃度と窒素濃度とがほぼ同等の値になる領域において半絶縁性を示し、その後は窒素濃度の低下に伴って低下する。従って、ホウ素濃度と窒素濃度がほぼ同等の値になる領域を拡大することにより半絶縁性のウエハとして歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣ単結晶等の単結晶の製造において、結晶成長に用いる坩堝の気密性を高めて材料ガスの漏れを防止し、且つ、坩堝内の充分な真空引きを可能にする単結晶の製造方法および装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、側壁に肉薄部１ａを有するグラファイト製の原料収納容器１と蓋３を有する。坩堝１０内に種基板４および原料２を配置した後、蓋３は原料収納容器１に接着剤５を用いて固定される。坩堝１０内の真空引きは、坩堝１０の側壁の肉薄部１ａが有する微細な空孔を通して行われる。 （もっと読む）

【課題】 目的とする析出部に効率良く、しかも結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、
原料供給部に配置した原料ガス発生源を原料ガス発生温度Ｔ_１に加熱して、原料ガスであるアルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを生成し、
窒化アルミニウム単結晶成長用基板を配置した析出部に該原料ガスおよび窒素ガスを供給して、該基板上に窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、
該原料ガスおよび窒素ガスからの単結晶窒化アルミニウムの析出開始温度Ｔ_２と、前記原料ガス発生温度Ｔ_１と析出部温度Ｔ_Ｓとが、下記条件を満たす条件下で窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。
Ｔ_１≦Ｔ_Ｓ＜Ｔ_２ （もっと読む）

ＳｉＣ昇華結晶成長において、坩堝は、間隔を隔ててＳｉＣ原料とＳｉＣ種結晶とが充填され、邪魔板は、成長坩堝内の種結晶の周囲に配置されている。成長坩堝内の邪魔板の第１側面は、ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長する成長領域を画定する。成長坩堝内の邪魔板の第２側面は、ＳｉＣ単結晶の周囲の気化ガス捕獲トラップを画定する。ＳｉＣ原料を昇華させて、ＳｉＣ種結晶上へ気化ガスを析出することにより、ＳｉＣ結晶を成長する成長領域に移送する気化ガスを形成するような成長温度に坩堝は加熱される。この気化ガスの一部は、ＳｉＣ結晶の成長中に成長領域から取り除かれる気化ガス捕獲トラップに入る。 （もっと読む）