【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の成長方法であって、結晶成長の際、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成し、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶を蓋体に接着しないタイプの単結晶製造装置において、種結晶の破損や単結晶の品質低下を防止することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置の蓋体４０の略中央部には、突部４１が設けられている。突部４１は、蓋体開口部を介して坩堝本体の内側に向けて突出するように配置される。種結晶１０は、ガイド開口部４３ｈに挿通された突部４１の当接面４１ａと支持部４３２との間に配置される。突部４１に形成されたねじ山４１ｓが係合部４３１に形成されたねじ溝４３ｇに螺合されることにより、当接面４１ａが種結晶１０における結晶成長面とは反対の裏面全面を突部４１に対して押圧するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ドーパントとＰ型ドーパントとのバランスをより制御しやすくすることによって、半絶縁性の優れた炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素原料２０を坩堝１０に配置する工程と、坩堝１０に配置された炭化ケイ素原料２０を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、炭化ケイ素原料２０を加熱する工程では、坩堝１０に水素ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶成長に伴う蓋材の変形によりＳｉＣ単結晶が劣化することを抑制する。
【解決手段】台座５を蓋材１ｂと別部材で構成すると共に、台座５の材料としてＳｉＣと熱膨張係数がほぼ同じものを選択する。このようにすれば、ＳｉＣ単結晶４の結晶成長後の冷却過程において蓋材１ｂにＳｉＣ多結晶が成長した影響で蓋材１ｂが変形したとしても、接合部材６を介して蓋材１ｂに貼り合わされた台座５にはその影響があまり伝わらない。さらに、台座５も加熱により熱膨張することになるが、台座５の熱膨張係数がＳｉＣの熱膨張係数とほぼ同じになるようにしているため、ＳｉＣ単結晶基板３は台座５の熱膨張係数の影響を殆ど受けないで済む。また、蓋材１ｂと台座５との間に薄板状の緩衝材７を配置し、緩衝材７の両面に接合部材８、９を配置する。これにより、より結晶成長後の蓋材１ｂの変形による影響が台座５に伝わり難くなるようにできる。 （もっと読む）

【課題】欠陥を生成させるおそれが少なく、かつ均質なＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたＳｉＣ種結晶１２を用いて、ＳｉＣ種結晶１２の表面に新たな結晶を成長させる第１成長工程を備えたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）ＳｉＣ種結晶１２は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。（２）ＳｉＣ種結晶１２の主成長面上にある｛０００１｝面最上位部から主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の副成長面を有する主方向が存在する。（３）主方向に沿って、｛０００１｝面最上位部側から外周に向かって存在する副成長面を、順次、第１副成長面、第２副成長面、…第ｎ副成長面（ｎ≧２）とする場合、第ｋ副成長面（１≦ｋ≦ｎ−１）のオフセット角θ_kと第（ｋ＋１）副成長面のオフセット角θ_k+1との間に、θ_k＜θ_k+1の関係が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】製造時間及び製造コストを増大させることなく、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位の発生が抑制された高品質の炭化珪素単結晶を製造できる種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶２００を製造するために用いられ、単結晶２００が成長を開始する面である成長面２０ａを有する種結晶１Ａ及び種結晶１Ｂであって、種結晶１Ａ及び種結晶１Ｂは、炭化珪素単結晶からなる基板１０と成長面２０ａを有する遮断膜２０とを有し、基板表面１０ａは、遮断膜２０で覆われており、遮断膜２０のＸ線ロッキングカーブの半値幅が、２０アーク秒以下である。 （もっと読む）

【課題】低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる設備及び方法を提供する。昇華技術を使用するＳｉＣ結晶の成長は好ましくは、２つの段階の分けることができる。成長の第２の段階の間には、結晶は通常の方向に成長すると共に、横方向に拡がる。転位及び他の材料欠陥は、軸方向に成長した材料中に伝播することがあるが、横方向に成長した材料中での欠陥の伝播及び発生は、なくらならないまでも実質的に減少する。結晶が所望の直径に拡張した後で、第２の段階を開始し、ここでは横方向の成長を抑制し、通常の成長を促進する。実質的に減少した欠陥密度は、横方向に成長した第１の段階の材料に基づく軸方向に成長した材料中で維持される。 （もっと読む）

【課題】単結晶に割れ等の損傷を起こすことなく、種結晶の成長面の全ての領域から、多結晶のない良質な炭化ケイ素単結晶を成長させる。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造方法は、炭化ケイ素を含む昇華用原料２１および種結晶２７を坩堝７内に対向して配置し、昇華用原料２１を加熱して生じる昇華ガスＧによって種結晶２７上に炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶４１の製造方法であって、炭化ケイ素を含む粉体を加圧成形したのち仮焼して、所定の硬度を有する昇華用原料２１を作製するステップと、昇華用原料２１を坩堝７内の上部に配置し、種結晶２７を坩堝７内の底部６に載置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得る。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶に窒素をドープし、かつ、窒素の濃度を２×１０¹⁹ｃｍ^-3より多くする場合に、Ａｌも同時にドープすると共にＡｌ／Ｎ比が５％以上となるようにする。これにより、積層欠陥を低減することができる。さらに、Ａｌ／Ｎ比が４０％以下となるようにすることで、比抵抗を小さくすることができ、デバイスに望まれる比抵抗を得ることができる。したがって、デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。そして、遮蔽部６の遮蔽板６ａに備えたガス供給孔６ｂを通じて螺旋転位発生可能領域３ａに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心よりも螺旋転位発生可能領域３ａ側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座１ｃの厚みを非対称にして成長途中表面４ａに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１の加熱を開始すると、分離壁４の中空部分に露出する粉末原料５から生じた昇華ガスが成長空間領域６に供給される。そして、坩堝１の加熱を開始してから一定時間後に蓋体１ｂが容器本体１ａから離れるように相対的に移動させ、分離壁４の他端側の端面４ｅを容器本体１ａの底面から離すことで、分離壁４の他端側に接していた粉末原料５を新たな昇華ガス供給面として容器本体１ａ内に露出し、当該露出部分から昇華ガスをガス供給通路７および貫通穴４ｄを通過して成長空間領域６に供給することで、ＳｉＣ単結晶８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法と、それを用いて作られた炭化珪素基板とを提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素から作られた第１および第２の材料基板１１、１２のそれぞれは、第１および第２の裏面と、第１および第２の側面と、第１および第２の表面とを有する。第１および第２の裏面は支持部３０に接合されている。第１および第２の側面は、第１および第２の表面の間に開口を有する隙間を介して互いに対向している。開口上で隙間を閉塞する閉塞部７０が形成される。第１および第２の側面からの昇華物を閉塞部７０上に堆積させることで、開口を塞ぐ接合部ＢＤａが形成される。閉塞部ＢＤａが除去される。第１および第２の表面の上に炭化珪素単結晶が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】 加熱温度を均一に保ち、結晶品質の良好な単結晶を製造できる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、坩堝１０と筒状部材４０と加熱部材６０とを備え、坩堝１０の底部側には、昇華用原料２０が配置され、坩堝１０の底部に対向する坩堝蓋体１０ｂ側には、種結晶３０が配置され、筒状部材４０は、筒状形状であり、導電性材料が用いられ、加熱部材６０は、筒状部材４０の外側に配置され、筒状部材４０を誘導加熱により加熱し、筒状部材４０の内側には、坩堝１０が配置され、筒状部材４０の側壁は、坩堝１０の底部と坩堝蓋体１０ｂとをつなぐ坩堝１０の側壁と対向し、坩堝１０と筒状部材４０との間には、空間Ｓが形成される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】 単結晶全体で均一な不純物の含有濃度を有する炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素を含有する炭化ケイ素含有原料に所定の不純物２５を添加して昇華用原料１３を作製し、昇華用原料１３を坩堝７内に収容したのち、昇華用原料１３を加熱して発生させた昇華ガスによって炭化ケイ素からなる種結晶２３上に、不純物２５を含む単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。炭化ケイ素含有原料に対する不純物２５の添加量を変えて不純物の含有濃度が異なる複数の昇華用原料１３ａ，１３ｂを作製するステップと、複数の昇華用原料のうち含有濃度が低い昇華用原料１３ｂを加熱温度が高い坩堝７内の高温部Ｈに配置し、含有濃度が高い昇華用原料１３ａを加熱温度が低い坩堝７内の低温部Ｌに配置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】 不純物の少ない高品質の金属窒化物、特に窒化ガリウムを効率よく得る方法を提供する。
【解決手段】 非酸化物材質のコンテナを用いることを特徴とする金属窒化物の製造方法。原料金属や生成する金属窒化物と接触するコンテナの材質を非酸化物とすることで、コンテナと原料金属や生成する金属窒化物との反応や固着を回避し、また、コンテナの材質由来の酸素の混入を防ぐことで結晶性の高い高品質な金属窒化物が得られる。一定以上の窒素源ガスの供給量と流速を確保することで極めて高い転化率で原料金属を窒化物に転化でき、未反応の原料金属の残存が少ない、金属と窒素が理論定比の金属窒化物が高い収率で得られる。得られた金属窒化物は酸素混入量も少なく金属と窒素が理論定比であるため、バルク結晶成長用の原料として極めて有用である。 （もっと読む）