【課題】ガイド部材において低温となる部位を低減させ、単結晶を効率的に成長させることができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造装置１は、昇華用原料１５を収容する坩堝本体５、と、昇華用原料１５に対向した位置に種結晶２３を取り付ける蓋体３を有する坩堝９と、蓋体３から昇華用原料１５に向けて筒状に延びるガイド部材７と、坩堝本体５の外周側に配設した加熱部１３とを備え、ガイド部材７の高さをＨ１、加熱部１３とガイド部材７との高さ方向において重複する高さ寸法をＨ２とした場合に、Ｈ２＝（０．５〜１．０）×Ｈ１を満たす。 （もっと読む）

【課題】成長結晶中における所定値以上の温度勾配を維持しつつ成長結晶の中心部と外周部との温度差を小さくして、良質で大口径の単結晶を得ることができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料１５を収容するるつぼ本体５と、前記昇華用原料１５に対向した位置に種結晶を取り付ける種結晶取付部２１が設けられた蓋体３とを有する坩堝９を備え、該坩堝９の外周側から加熱される炭化ケイ素単結晶の製造装置１であって、前記蓋体３の種結晶取付部２１について、内周側に配置された中央部３１の熱伝導率を外周側に配置された外側部３２の熱伝導率よりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率が高い発光中心添加ＣｓＩ柱状膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】柱状のＣｓＩ結晶から構成されるＣｓＩ柱状膜２を蒸着法により作製する工程と、ＣｓＩ柱状膜２と発光中心原料１とを非接触な状態で閉空間３に配置し、ＣｓＩ柱状膜２を、発光中心原料１の昇華温度以上、柱状の形態を維持可能な温度以下の範囲で加熱し、かつ発光中心原料１を昇華温度以上に加熱し、ＣｓＩ柱状膜２に発光中心を添加する工程からなることを特徴とするシンチレータの製造方法。 （もっと読む）

【課題】昇華法による高品質のＳｉＣ結晶の製造方法、製造装置および積層膜を提供する。
【解決手段】昇華法によるＳｉＣ結晶の製造装置１００において、種結晶１１の裏面１１ｂ上に、カーボン硬質膜、ダイヤモンド膜、タンタル膜および炭化タンタル膜からなる群より選ばれた少なくとも一種の膜１２を形成し、前記種結晶１１の表面１１ａ上に結晶１３を成長させることにより、膜１２と、種結晶１１と、結晶１３とを備えた積層膜を形成する。前記積層膜は、膜形成時に隙間が発生しにくく、かつ熱が加えられても熱分解しにくい膜１２を備えているため、種結晶１１においてこの膜１２と反対側に形成された結晶１３は、種結晶１１の昇華を抑制して製造されたものとなるので、高品質の結晶１３を備えた積層膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法による単結晶の製造において、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止できる種結晶固定方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。種結晶１０は、蓋体１２０側に種結晶１０を保護する保護層１５を有する。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０上に炭化珪素種結晶１３を固定する方法であって、前記台座１０の種結晶側表面１０ａを鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａ及び前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａと前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面とを密着させた後に加圧して直接接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による坩堝１は、昇華用原料３を収容する坩堝本体５と、該坩堝本体５の開口を塞ぐと共に種結晶７を支持する取付部９が設けられた蓋体１１と、前記取付部９の外周部から昇華用原料３側に向けて延びるガイド部材１３と、を備える。このガイド部材１３において取付部９側に位置する取付部側端部２１に、前記種結晶７の外周端部であるベベル部３５を昇華用原料３側から覆うカバー部２７を突出して形成させている。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶等の製造において、種結晶及び成長結晶の表面温度の径方向の均一化効果が顕著で、高品質でかつ長尺の単結晶の製造を可能とする遮蔽部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に配置して、該原料収容部に対向するように基板を支持する基板支持部と、前記結晶成長用容器の外周に配置する加熱装置とを備え、前記原料収容部から原料を昇華させて前記基板上に前記原料の単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して用いる遮蔽部材１０であって、原料ガスが透過する複数の透過孔１６，１７，１８，１９を有すると共に、中心部から端部に向かうにつれて熱容量が大きく構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶、その製造方法、その製造装置および坩堝を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。本体部１０２を含む坩堝１０１と、本体部１０２を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。本体部１０２内に原料１７を配置する。本体部１０２内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。本体部１０２内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ側に、断熱材１２１よりも熱伝導率の高い放熱部１３１を配置するとともに、放熱部１３１で、または、放熱部１３１と断熱材１２１とで、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ全体を覆う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ａ軸およびｃ軸の双方向の欠陥が非常に少ない４Ｈ型ＳｉＣ単結晶が得られる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】４Ｈ型ＳｉＣ単結晶から形成されてオフ角を設けて切り出された第１の種結晶６０を、Ｃ原子の数よりもＳｉ原子の数の方が多いＳｉ面が露出するように台座１３に設置する第１工程と、前記第１の種結晶６０を加熱して、初期段階で成長する４ＨＳｉＣ単結晶６２から多形変換されて、６Ｈ型ＳｉＣ単結晶６３を成長させる第２工程と、前記６Ｈ型ＳｉＣ単結晶６３から第２の種結晶６４を切り出して、Ｓｉ原子の数よりもＣ原子の数の方が多いＣ面が露出するように台座に設置する第３工程と、前記第２の種結晶６４を加熱して４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を成長させる第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質の炭化珪素単結晶を安定的に製造し、高品質化を可能とする成分調整部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成分調整部材は、結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に同軸に配置して該原料収容部より小径の基板支持面で基板を支持する基板支持部とを備え、前記原料を昇華させて前記基板上に前記原料の化合物半導体単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して前記結晶成長用容器内の空間を分離する成分調整部材であって、前記原料の昇華ガスが透過する複数の透過孔を有すると共に、中央側の開口率（前記透過孔の総開口面積／前記透過孔以外の部分の総面積）が周端側の開口率より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法、ＳｉＣ結晶、およびＳｉＣ結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。坩堝１０１と、坩堝１０１の外周を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。坩堝１０１内に原料１７を配置する。坩堝１０１内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。坩堝１０１内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、坩堝１０１の種結晶１１側の外表面１０１ａと、断熱材１２１との間に、空間からなる放熱部１３１を配置する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化すると共に、表層部にらせん転位が存在することを抑制することができるＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなり、主表面および当該主表面の反対面である裏面を備え、らせん転位１を表層部２ａに含む欠陥含有基板２を用意する工程と、欠陥含有基板２のうち主表面に外力を印加することにより表層部２ａの結晶性を低下させる第１外力印加工程と、外力印加工程の後、欠陥含有基板２を熱処理することにより表層部２ａの結晶性を回復させる第１熱処理工程と、を含む製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、原料を製造するコスト及び時間を抑えつつ、より純度の高い炭化珪素原料を製造する。
【解決手段】炭化珪素原料を含む原料物質の表面を形成する、不純物を含む不純物層を除去する表面除去工程を有し、表面除去工程では、原料物質は、炭化珪素を溶解する液体に浸漬される。又は、表面除去工程では、原料物質は、炭化珪素を腐食する気体に曝される。 （もっと読む）

【課題】たとえば、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造において、単結晶の成長途中での断熱材の劣化を抑制すると共に、坩堝内の温度分布の再現性を高め、さらに製造コストの上昇を抑えることが可能な単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶の製造装置は、導電性の坩堝１０と、坩堝１０の外周に近接して配設され、当該坩堝１０の側方および上方を覆う導電性の炉芯管１１を備える。誘導加熱法を用いて坩堝１０が加熱される際、炉芯管１１は、その下端は坩堝１０の底よりも低い位置となるように設置される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法およびＳｉＣ結晶を提供する。
【解決手段】昇華法によりＳｉＣ結晶を製造する方法において、ＳｉＣ結晶を成長する雰囲気ガスがＨｅを含有することを特徴とする。雰囲気ガスは、Ｎをさらに含有してもよい。雰囲気ガスは、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎからなる群より選ばれた少なくとも一種のガスをさらに含有してもよい。雰囲気ガスにおいて、Ｈｅの分圧が４０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の品質を低下させることなく、炭化ケイ素単結晶の大口径化に対応できる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、炭化ケイ素を含む種結晶１１と、該種結晶１１と対向する側に配設され前記種結晶１１の成長に用いられる昇華用原料１０とを収容する坩堝２を備える炭化ケイ素単結晶の製造装置１である。前記坩堝２は、前記昇華用原料１０が収容される坩堝本体７と、前記種結晶１１が配設される蓋体８とを備え、前記種結晶１１の径方向中央側に対応する前記蓋体８の中央領域における厚みＴ１は、前記種結晶１１の径方向中央側よりも径方向外側に対応する周辺領域における前記蓋体８の厚みＴ２よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物結晶の不純物濃度を低減できる下地基板、下地基板付窒化物結晶、下地基板の製造方法および窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０は、昇華法により窒化物結晶２１を製造するために用いられる下地基板であって、主面１１ａと、主面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する母材１１と、母材１１の裏面１１ｂに形成された保護層１２とを備え、保護層１２は、窒化物結晶２１の融点よりも高い融点を有する金属、窒化物、炭化物、窒化物の合金、および炭化物の合金からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を主成分とし、残部が不可避的不純物である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の半絶縁性に悪影響を及ぼす、余剰となるｎ型不純物・ｐ型不純物などが炭化ケイ素単結晶に取り込まれることを確実に防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造方法は、配置工程Ｓ１と、昇華・成長工程Ｓ２とを有する。昇華・成長工程Ｓ２では、炭化ケイ素単結晶の成長初期、成長中期、成長後期と変わるに連れて、反応系内に導入するアルゴンガスの流量を変化させる。炭化ケイ素単結晶の成長初期において、基準流量Ａよりも多い流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。工程Ｓ２２では、炭化ケイ素単結晶の成長中期において、基準流量Ａのアルゴンガスが反応系内に導入される。工程Ｓ２３では、炭化ケイ素単結晶の成長後期において、基準流量Ａよりも少ない流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。 （もっと読む）

【課題】断熱材の全てを交換することなく、品質を向上させることができると共に、長尺化することのできる炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた製造方法を提供する。
【解決手段】断熱材を、反応容器９の側壁を囲む円筒状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２と機械的に分離可能とされた円板部材からなり、多孔質材料で構成された吸収断熱材１３と、を含んで構成する。そして、吸収断熱材１３を、側壁が側壁断熱材１２の内壁と接した状態で、反応容器９のうち一端部と反対側の他端部の端面に配置し、反応容器９内の未反応原料ガスを、吸収断熱材１３を介して真空容器７に備えられた流出口４から排気する。 （もっと読む）