【課題】高濃度のドーパントを含有し、高い導電率及び移動度を有し且つ大きなスケールのＡｌＮ又はＡｌＧａＮ結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の不純物種を含む混晶を形成し、その混晶の少なくとも一部中において、１つの不純物種を電気的に活性化させる。混晶の形成には、多結晶ソースを用いた昇華−再凝縮法を利用する。その際、複数の不純物種を含むソース化合物を多結晶ソースに含有させるか、又はソース化合物のガス前駆体を蒸気混合物に導入することによって行う。 （もっと読む）

【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第１の面と、非鏡面である第２の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第１の面Ｐ１と、第１の面Ｐ１の反対側に位置する第２の面Ｐ２とを有する炭化珪素基板８０が形成される。炭化珪素基板８０が形成される際に、第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに第１および第２の加工ダメージ層７１、７２が形成される。第１の加工ダメージ層７１の少なくとも一部を除去しかつ第１の面Ｐ１の表面粗さが５ｎｍ以下となるように、第１の面Ｐ１が研磨される。第２の面Ｐ２の表面粗さを１０ｎｍ以上に保ちながら第２の加工ダメージ層７２の少なくとも一部が除去される。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の欠陥レベルが低く、より大きく、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。なお、マイクロパイプ密度は、表面上にある全マイクロパイプの総数を、ウェハの表面積で割ったものを表す。 （もっと読む）

【課題】 軸オフのウェーハを得るための従来技術において、より大きな結晶は、一般に結晶の垂線から離れて配向され、ついで軸オフの種結晶を産生するためにウェーハが配向方向に向かって切断される。垂線から離れて結晶を配向することは、結晶と同じサイズのウェーハを切断するために利用可能な有効な層厚を低減する。
【解決手段】 半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約１００ｍｍの直径を有する。 （もっと読む）

【課題】下地基板を熱膨張率が異なる材料に固定することなく、昇華法によるホモエピタキシャル成長を行なう新規の結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶の製造方法は、結晶成長容器１内に、結晶の原料からなる原料体２と、原料体２の上面２ａ上に原料体２に接触するように単結晶種基板３とを配置する配置工程（Ｓｔ１）と、結晶成長容器１内を昇温し、原料体２の原料の一部を昇華させて原料ガスとし、原料ガスを単結晶種基板３の上面３ａ上に析出させて結晶４を成長させる結晶成長工程（Ｓｔ２）と、を備え、単結晶種基板３と結晶４とは同一化学組成の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ長尺な単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】坩堝１内には、単結晶９の原料２および種結晶４が対向配置される。また坩堝１内には、原料２が昇華したガスを種結晶４へと導くガイド３および種結晶４の周囲を囲みタンタル又は炭化タンタルから成るタンタルリング６が配設される。坩堝１の内壁、ガイド３およびタンタルリング６で囲まれる密閉空間には、断熱材５が配設される。以上の構成の坩堝１を加熱して原料２を昇華させることにより、種結晶４上に単結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。
【解決手段】ａ面成長を繰り返して｛０００１｝面口径の大きいＳｉＣ単結晶を製造する場合において、成長面の総面積（Ｓ₂）に対するＳｉ面側ファセット領域の面積（Ｓ₁）の割合Ｓ_fcaet（＝Ｓ₁×１００／Ｓ₂）が２０％以下に維持されるように、ＳｉＣ単結晶をａ面成長させる。 （もっと読む）

【課題】内部の歪を緩和し、大口径の炭化珪素結晶ウエハに生じる反りを抑制することができる炭化珪素結晶インゴット、炭化珪素結晶ウエハおよび炭化珪素結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４インチ以上の表面を有し、ｎ型ドーパントの濃度が１×１０¹⁵個／ｃｍ³以上１×１０²⁰個／ｃｍ³以下であり、金属原子の濃度が１×１０¹⁴個／ｃｍ³以上１×１０¹⁸個／ｃｍ³以下、かつｎ型ドーパントの濃度以下であって、金属原子の濃度勾配が１×１０¹⁷個／（ｃｍ³・ｍｍ）以下である炭化珪素結晶インゴットと、それを用いて作製された炭化珪素結晶ウエハ。前記炭化珪素結晶インゴットは、炭化珪素粉末の結晶中に珪素よりも原子半径の大きな金属原子を格子間原子および置換原子の少なくとも一方として含む原料粉末を酸洗浄した後、前記原料粉末６を用いて炭化珪素結晶インゴット５を気相成長させることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を成長させることができる単結晶の製造方法と、それに用いる種結晶固定剤とを提供する。
【解決手段】種結晶固定剤３１を用いて台座４１に種結晶１１の裏面が固定される。種結晶１１の裏面が固定される際、加熱により種結晶固定剤３１が硬化させられる。種結晶固定剤３１は、加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂と、ダイヤモンド微粒子とを含む。台座４１に固定された種結晶上に単結晶が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】より容易に製造することができ、炭化珪素を高純度で含む炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されている炭化珪素粉末とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高品質で、かつ長尺とされた炭化珪素単結晶を製造可能な炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３１内の台座３３に取り付けた炭化珪素種結晶３５の成長面３５ａに、原料ガスを供給して、炭化珪素種結晶３５に炭化珪素単結晶７１を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、台座３３の厚さを薄くすることが可能な構成とし、炭化珪素単結晶７１の成長に応じて、台座３３の厚さを薄くする。 （もっと読む）

【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝１に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝１ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 （もっと読む）

【課題】製造された結晶にある欠陥総数を低減するために、種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の１ｃらせん転位欠陥レベルが低く、より大きく、高品質の炭化珪素バルク単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】薄切りしたＳｉＣウェハの歪み、反り、全厚さ変動（ＴＴＶ）を低減する。
【解決手段】直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを、ＳｉＣの種結晶使用昇華成長により成長させ、該ＳｉＣブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハを得る。その後、内層面損傷がウェハの各側において同一となるように、ラッピング下方力を、前記ウェハを折り曲げる下方力未満の量に制限しつつ、ＳｉＣウェハをラッピングし、ＳｉＣウェハを研磨する。これにより、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ１６が得られる。該ウェハ１６上には複数の窒化物エピタキシャル層１８等が形成される。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣの結晶成長において、温度測定用の穴に昇華した物質が析出することを抑制して、精度の良い温度測定が長時間可能なＳｉＣ成長装置を提供する。
【解決手段】種基板１５及びＳｉＣ原料１８を収容する成長容器１４と、該成長容器１４を囲う断熱材１１と、該断熱材１１に設けた温度測定用の穴２１を通して、前記成長容器内１４の温度を測定する温度測定器１３と、前記ＳｉＣ原料１８を加熱するヒーター１７とを備え、昇華法により、前記ＳｉＣ原料１８を加熱して昇華させ、前記種基板１５上にＳｉＣ１６を結晶成長させるＳｉＣ成長装置１０であって、前記温度測定用の穴２１の内周は、前記断熱材１１の他の部分よりもかさ密度が高く、かつ、研磨された内壁部１２が形成されたものであるＳｉＣ成長装置。 （もっと読む）

【課題】精度良く温度測定を行うことができ、かつ、原料の未昇華を防止し、結晶性の良いＳｉＣを生産性良く成長させることができるＳｉＣ成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ原料を収容するルツボ及び前記ＳｉＣ原料に対向するように種基板が取り付けられる上蓋からなる成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けられた温度測定用の穴を通して、前記ルツボ内の温度を測定する温度測定器と、前記ＳｉＣ原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記ＳｉＣ原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にＳｉＣを結晶成長させるＳｉＣ成長装置であって、前記ルツボの底部の下面の少なくとも一部が、該下面から下方に突出した側壁を有し、前記断熱材に設けられた温度測定用の穴が、前記ルツボの底部の下面にまで貫通しているものであるＳｉＣ成長装置。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する炭化ケイ素単結晶を製造することが可能な炭化ケイ素単結晶の製造装置及び当該装置で製造された炭化ケイ素単結晶により作製される炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】改良レイリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する装置であって、台座２０は、当該台座２０の外周側面が種基板３０の外周側面よりも外側に位置するとともに、種基板３０を保持するフィクサー２１を当該台座２０の外周側面から下側に向けて当該台座２０の底面２０ａよりも下側に突き出た状態で備えており、種基板３０は、当該種基板３０の一方の面（裏面）と台座２０の底面２０ａとの間に接着剤が一切塗布されず、当該種基板３０の外周側面とフィクサー２１との間に接着剤Ｇが塗布された状態で当該フィクサー２１に保持されて固定されている。 （もっと読む）

【課題】高品質でかつ長尺な単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶製造装置、炭化珪素単結晶の製造方法及びその成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶製造装置は、原料ガスを炭化珪素種結晶５側に案内するガイド部材７を備え、坩堝３は、上下方向に互いに相対移動可能な坩堝上部３ａと坩堝下部３ｂとからなり、ガイド部材７は、坩堝上部３ａに固定されたガイド部材上部７ａと、坩堝下部３ｂに固定されたガイド部材下部７ｂとからなり、ガイド部材上部７ａ及びガイド部材下部７ｂの少なくとも一方に孔部１０が設けられており、ガイド部材上部７ａとガイド部材下部７ｂとは、坩堝上部３ａ及び坩堝下部３ｂの相対移動により、孔部１０が開閉するように配置されている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶基板を用いた昇華法であっても、品質の良い結晶を得ることのできる自立基板の製造方法、この製造方法により製造されたＡｌＮ自立基板、及び、このＡｌＮ自立基板を用いたIII族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】自立基板の製造にあたり、種結晶基板としてＳｉＣ基板６の表面上に昇華法により成長材料としてＡｌＮを成長させるとともに、成長材料の成長時に種結晶基板を昇華させる。これにより、成長材料の成長時に種結晶基板が除去されるので、成長材料と種結晶基板６の熱膨張係数等の違いに起因して成長材料中に欠陥が生じることは殆どない。 （もっと読む）