【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】種結晶が有するマイクロパイプ欠陥を効果的に閉塞し、マイクロパイプ欠陥の伝播がない炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロパイプ欠陥１を有する炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３の変質層５を除去する除去工程と、前記除去工程後の前記マイクロパイプ欠陥１を前記炭化ケイ素種結晶２の裏面４から充填材６で満たす充填工程と、前記充填工程後の前記炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３に炭化ケイ素単結晶を成長させる成長工程とを備える炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の平面形状を容易に調整することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素層１１ｃの第１の裏面Ｂ１および第２の炭化珪素層１２の第２の裏面Ｂ２の各々とベース部３０の第１の主面Ｑ１とが対向するように、ベース部３０と第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２とが配置される際に、第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２の少なくともいずれかが平面視において第１の主面Ｑ１の外側へ突出部ＰＴとして部分的に突出する。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々と第１の主面Ｑ１とが加熱によって接合される。この加熱によって突出部ＰＴの少なくとも一部が炭化されることで炭化部７０が形成される。突出部ＰＴが除去される際に炭化部７０が加工される。 （もっと読む）

【課題】品質の低下を抑制できる、ＳｉＣ結晶およびＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶１０は、Ｆｅの濃度が０．１ｐｐｍ以下であり、かつＡｌの濃度が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。第１の原料として研磨用ＳｉＣ粉末を準備する。第１の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第１のＳｉＣ結晶を成長する。第１のＳｉＣ結晶を粉砕して、第２の原料を形成する。第２の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第２のＳｉＣ結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ極性面（＋ｃ面）を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な炭化珪素単結晶インゴットを容易に製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶上に炭化珪素ガスを供給して炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法であって、前記種結晶２ａの結晶成長面に、シリコンを含む薄膜であって炭化珪素単結晶を成長させる温度より低い温度で融解する薄膜２ｂを形成する。薄膜を形成した前記種結晶２ａを薄膜加熱処理することにより、炭化珪素種結晶２ａの表面に形成された薄膜２ｂが融解し、前記結晶２ａの少なくとも結晶成長面全体において融解層６を形成し、これに接触している炭化珪素種結晶２ａの最表面が融解層６中に溶け出す。これにより結晶２ａの最表面に残存する結晶ダメージ層５がエッチングされ、種結晶２ａの結晶ダメージの無い高品質な表面が露出するので、欠陥が低減された種結晶の表面が結晶成長面となり、高品質の炭化珪素単結晶インゴットが得られる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華再結晶法、すなわち改良レーリー法によって炭化珪素単結晶を成長させて製造する炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、ウェハ取りの歩留りに優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造することができる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び該製造方法によりウェハ取り歩留り性に優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、該結晶の成長中に、前記種結晶の結晶成長面に対して直角方向に、発熱部材及び坩堝周囲に配置された断熱部材のうち１つ以上の部材を、該種結晶位置に対して相対的に移動させる制御を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶インゴットから切り出された直後のウェハに存在するそり・うねりをウェハの両面研磨の際に効果的に除去し、フリースタンディング状態でもそり・うねりの無い研磨後のウェハを調製し、これによって欠陥密度の少ない良好な品質のウェハを製造することができる炭化珪素単結晶ウェハの製造方法を提供する。また、平均積層欠陥密度が３０cm^-1以下である良品質の炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたウェハ３を両面研磨装置のキャリア２内に保持させてウェハ表面を両面研磨し、次いで両面研磨後のウェハの表面に生成した加工変質層を除去して炭化珪素単結晶ウェハを製造するに際し、ウェハ厚さよりも厚さの大きいキャリアを用いてウェハの両面研磨を行う、炭化珪素単結晶ウェハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】坩堝から放出される炭素粉のインクルージョン（大きな塊）のＳｉＣ単結晶への混入を抑制しつつ、ＳｉＣ単結晶に対して適量の炭素原子の供給を可能とするＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝４の中空部には、容器本体２の内径よりも径が小さく、当該容器本体２の内壁２ａに離間していると共に当該内壁２ａに沿って配置される金属炭化物の筒部材１０が粉末原料８の上に配置されている。一方、蓋体３には、当該蓋体３の内壁３ａのうち種結晶７から容器本体２側に金属炭化物のコーティング膜３ｂが形成されている。これにより、蓋体３からの炭素粉の塊の放出が抑制されると共に、容器本体２の内壁２ａから放出された適量の炭素粉が成長中のＳｉＣ単結晶９に供給される。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた改良型レーリー法を用いて炭化珪素単結晶を作製する場合において、インゴット長さが長くて高品質の炭化珪素単結晶を得ることを可能とする炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置Ｓ₁であり、坩堝１とその外面を被覆する断熱材５との間に空隙６を有し、空隙６が軸対称な坩堝１の径方向に５〜４０mmの幅寸法を有すると共に、断熱材５の外部に連通する構成を備えた炭化珪素単結晶インゴットの製造装置Ｓ₁であり、結晶成長中の断熱材５の性能劣化を抑制し、安定した成長条件を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 昇華再結晶法による単結晶の製造において、種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止でき、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び単結晶製造装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。種結晶１０の厚みは、１ｍｍ以上である。種結晶１０と蓋体１２０とは、隙間なく接している。種結晶１０の全表面は、露出している。 （もっと読む）

【課題】高品質の炭化珪素結晶結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】表面１１ａと、表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する種結晶１１を準備する工程、種結晶１１の裏面１１ｂを、台座４１に固定する工程、種結晶１１の表面１１ａ上に結晶１３を成長させる工程を備えた昇華法による炭化珪素結晶の製造方法であって、前記種結晶の裏面１１ｂを台座４１に固定する工程においては、種結晶１１の裏面にＳｉ層を被覆または配置し、Ｓｉ層を炭化させることにより、種結晶１１と台座４１とを固定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反り量が小さく、かつ、ウェハ面内の結晶方位が揃っており、デバイス作製用ウェハとして適用した場合に高いデバイス性能とデバイス歩留りを実現できるSiC単結晶ウェハの提供。
【解決手段】口径１００ｍｍ以上の炭化珪素単結晶ウェハ１２であって、ウェハ面内における高低差で表される反り量が、口径１００ｍｍのウェハ換算比（反り量／ウェハ口径）で６０μｍ／１００ｍｍ以下であり、かつ、ウェハ中心における＜０００１＞結晶方位に対して、ウェハ直径上の４つの測定点ａ_１，ａ_２，ａ_１’，ａ_２’での＜０００１＞結晶方位のずれが、いずれも±１０００秒以内である炭化珪素単結晶ウェハである。４つの測定点は、全てウェハ１２の直径Ｌ_１上に存在し、このうち２点ａ_１，ａ_１’はウェハ外周からウェハ中心に向かって２ｍｍ内側の位置、残りの２点ａ_２，ａ_２’は前記外周部の２点ａ_１，ａ_１’と中心ａ_０とを結んだ線分の中点に位置する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の割れや歪みを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶６を中央部が外縁部よりも突き出すような凸形状となる凸成長と、ＳｉＣ単結晶６を中央部が外縁部よりも凹む凹成長とを順番に行う。凸成長の際にはＳｉＣ単結晶６の中央部近辺に引張応力、外縁部に圧縮応力を発生させられ、凹成長の際にはＳｉＣ単結晶６の中央部近辺に圧縮応力、外縁部に引張応力を発生させられる。そして、ＳｉＣ単結晶６を冷却する際にはその逆の応力を発生させられる。このため、ＳｉＣ単結晶６を冷却する際に、ＳｉＣ単結晶６の中央部近辺において圧縮応力と引張応力が発生する部位を両方共に設けることができる。同様に、外縁部においても圧縮応力と引張応力が発生する部位を両方共に設けることができる。これにより、冷却時にＳｉＣ単結晶が割れたり歪んだりずることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】坩堝の周囲に断熱材を配置した製造装置を用いてＳｉＣ単結晶を成長させるに際し、当該ＳｉＣ単結晶の安定な成長を可能とするＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２として容器本体２ａにＳｉ含有物を配置すると共に蓋体２ｂを用意し、この坩堝２の外周に坩堝２の外周を囲むようにＳｉを吸収させていない黒鉛製の断熱材を配置し、坩堝２を加熱することで、Ｓｉ含有物を加熱することにより坩堝２から漏れた昇華ガスを断熱材に吸収させるＳｉを吸収させる工程を行う。この後、坩堝２として容器本体２ａに粉末原料５を配置すると共に蓋体２ｂに設けられた台座３に種結晶４を配置した坩堝２を用意し、Ｓｉを吸収させる工程で得られたＳｉを吸収させた断熱材１１をこの坩堝２の外周に坩堝２の外周を囲むように配置した状態で坩堝２を加熱することにより、種結晶４上にＳｉＣ単結晶６を成長させる成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】オフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶の成長を防止し、高品質のＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶４を配置する台座３に空洞部３ａを設け、空洞部３ａにおいて台座３の他の部分よりも放熱性を高める。そして、空洞部３ａのうち種結晶４側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるようにすることで、種結晶４の表面に１つの成長核のみが形成され、その成長核からＳｉＣ単結晶が広がりながら成長する。これにより、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファッセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、異種多形が発生しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、原料２となる炭化珪素粉末に窒化珪素粉末を混合する。その割合は、９０対１０から９９．５対０．５の範囲である。混合される窒化珪素は、分解、昇華温度が炭化珪素に近く、かつ炭化珪素単結晶中に窒素が取り込まれることによりＮ型の特性を示す。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく良質で、大型ウェハの切り出しが可能な大面積の４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予め、摂氏１８００度から摂氏２２００度程度の高温処理により高純度化処理を施し、純度を９９．９９％以上にした炭化珪素粉末を原料として使用する。このような４Ｈ型単結晶炭化珪素を成長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法により、この基板上に単結晶炭化珪素薄膜を成長させれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイスを製作することができる。 （もっと読む）

【課題】昇華法等の気相成長によって製造されるＳｉＣ等の結晶の品質を向上させることができる、坩堝、結晶製造装置、および支持台を提供する。
【解決手段】坩堝１００は、内部が空洞の本体部１０１と、本体部１０１の内周面に接続され、内部に突出した凸部１０２とを備えている。凸部１０２の側面にはねじが切られている。支持台１１０は、台座１１１と、台座１１１の端部に接続された突起１１２とを備えている。突起１１２の内周側にねじが切られている。結晶製造装置１２０は、坩堝１００と支持台１１０とを備えている。支持台１１０は、坩堝１００の凸部１０２に、互いに切られたねじにより取り付けられている。これにより、種基板１１の温度分布のばらつきが抑制され、したがって、成長する結晶の熱応力が抑制されるので、製造する結晶の品質向上がはかれる。 （もっと読む）