【課題】種結晶裏面と種結晶支持部との間で生じる裏面昇華を防止し、成長結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生をより確実に抑制できるようにした炭化珪素結晶成長用の種結晶固定部と固定方法を提供する。
【解決手段】蓋体の種結晶支持部の表面に接着剤を介して第１の炭化珪素基板を接着し、この第１の炭化珪素基板上に接着剤を介して、種結晶として第２の炭化珪素基板を接着し、炭化珪素単結晶を成長させることにより、種結晶の裏面昇華を防ぎ、成長結晶中に伸長するマクロ欠陥を抑制することができる。 （もっと読む）

１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶を安定性よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素基板上に形成された薄膜結晶を種として成長させるようにした。好ましくは、薄膜結晶が単結晶エピタキシャル成長層であると良い。 （もっと読む）

少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^-2未満のマイクロパイプ密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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本発明は、窒化ガリウム単結晶または窒化ガリウムアルミニウム単結晶の製造法および製造装置に関する。本発明による方法処理において本質的なことは、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも１０００℃で実施し、かつ金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれらのガスの組み合わせからなるガスフローを金属融液表面に導通することである。
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少なくとも約３インチの直径と、約２０００ｃｍ^-2未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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炭化珪素種結晶昇華成長システムおよび関連法を開示する。本発明のシステムは、坩堝、坩堝中に炭化珪素源組成物、坩堝中に種結晶ホルダー、種結晶ホルダー上に炭化珪素種結晶、原料組成物と種結晶との間の蒸気輸送を促進するために、原料組成物と種結晶との間に主たる成長方向を画定する、坩堝において主温度勾配を発生させる手段、および種結晶の巨視的成長表面が、主温度勾配と主成長方向に対して約７０度〜８９．５度の角度を形成するように、且つ、結晶のｃ軸を有する種結晶の結晶学的配向が、主温度勾配と約０度〜２度の角度を形成するように、種結晶を種結晶ホルダー上に配置することを含む。
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本発明は、半導体デバイスに使用される半絶縁性炭化ケイ素の基材と、その製造方法とに関する。基材は、１０^６Ω・ｃｍ以上、好ましくは、１０^８Ω・ｃｍ以上、最も好ましくは１０^９Ω・ｃｍ以上、の比抵抗と、５ｐＦ／ｍｍ^２以下、好ましくは１ ｐＦ／ｍｍ^２以下の容量とを有する。基材の電気特性は、電気挙動を支配するためには充分に高いが、表面欠陥を回避するのには充分に低い濃度の、少量の深準位不純物の添加によって制御される。基材は、意図的に、５×１０^１６ｃｍ^３以下、好ましくは、１×１０^１６ｃｍ^３以下に低下された、浅準位ドナー及びアクセプタを含む、意図されないバックグラウンド不純物をある濃度で含む。深準位不純物は、周期表のＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＶＩＩＢ及びＶＩＩＩＢ族から成るグループから選択される金属の１つを含む。バナジウムが好適な深準位元素である。比抵抗と容量の制御に加えて、本発明の別の利点は、結晶全体にわたる電気的均一性の増加と、結晶欠陥の密度の低下である。
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単一ポリタイプの単結晶炭化珪素を開示する。直径は７５ミリメートルより大きく１２５ミリメートル未満であり、抵抗率は１０，０００オーム−ｃｍよりも高く、マイクロパイプ密度は２００ＣＭ^−２未満であり、浅準位のドーパントの合計濃度は５Ｅ１６ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ欠陥、螺旋転位、刃状転位、及び積層欠陥をほとんど含まず、高品質のＳｉＣ単結晶並びにＳｉＣ種結晶を提供すること。
【解決手段】第１成長工程においては、｛１−１００｝面からオフセット角度±２０°以下の面、または｛１１−２０｝面からオフセット角度±２０°以下の面を第１成長面として第１成長結晶を作製し、中間成長工程においては、第（ｎ−１）成長面より４５〜９０°傾き、且つ｛０００１｝面より６０〜９０°傾いた面を第ｎ成長面として第ｎ成長結晶を作製し、最終成長工程においては、第（Ｎ−１）成長結晶の｛０００１｝面よりオフセット角度±２０°以下の面を最終成長面３５として、上記最終成長面３５上に螺旋転位及び刃状転位が低減されたバルク状のＳｉＣ単結晶３０を成長させる。 （もっと読む）

化学気相輸送法（CVT）を用いて、低温低圧で、基板にダイヤモンドコーティングを製作する方法であって、ワイヤ巻付グラファイト組立部材と、基板とをチャンバ室内に提供するステップと、チャンバ室に水素を充填するステップと、チャンバ室の内部圧力を真空にしてから、水素を再度充填するステップと、1気圧未満の水素を含有したままチャンバ室を密閉するステップと、基板が125℃〜750℃の範囲に加熱されるまで、グラファイト棒に電流を流すステップと、を有する方法によって、優れた特性が得られる温度で、高品質ダイヤモンドが形成される。
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制御された窒素含有量を有する半絶縁性炭化珪素結晶を製造する方法を開示している。
前記方法は、昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程；水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素種結晶を、該原料粉末の温度を下回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、一方、成長炭化珪素結晶中へ混入する窒素の量を最少にするのに充分な濃度にグロースチャンバ中の水素の雰囲気濃度を維持する工程；そして、一方、得られる炭化珪素結晶を半絶縁性にする量まで該成長結晶中の点欠陥の数を増加させるのに充分に高いそれぞれの温度に、該原料粉末及び該種結晶を、昇華成長している間、維持する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌＮ単結晶を製造する方法及び装置に関する。気相を、坩堝（１０）の貯蔵領域（１２）内にあるＡｌＮ供給材料（３０）の一部から生成する。ＡｌＮ単結晶（３２）を坩堝（１０）の結晶領域（１３）内で気相から成長させる。少なくとも１つのガス状成分は、例えば気相内に存在する成分の１つは、坩堝（１０）の内部帯域（１５）と、坩堝（１０）の外部帯域（１１）との間で、特に２方向に拡散することができる。
図１

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本発明は、炭化珪素結晶中の窒素含量を調整することに関するものであり、また詳しくは、炭化珪素の昇華成長中の窒素の混入を低下させることに関する。本発明は、グロースチャンバ中にすべて水素の雰囲気を提供することによって、成長炭化珪素結晶中の窒素濃度を制御する。水素原子は、成長結晶の表面における窒素原子の混入を実質的に遮断するか、減少させるか又は妨害する。 （もっと読む）