【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】｛0001｝ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの｛0001｝ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる｛0001｝ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の｛0001｝ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】目的とする炭化珪素単結晶とは異なる異種多形の少ない良質な単結晶インゴットが生成される炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素を含む種結晶６０と昇華用原料とを離間させて配置すると共に、これらの種結晶６０と昇華用原料を加熱して、昇華用原料から生成した昇華ガスを種結晶６０に供給し、種結晶６０から単結晶７０、１００を成長させる炭化珪素単結晶７０、１００の製造方法であって、単結晶７０の結晶成長面７０ａに異種多形が生成したときに、この結晶成長面７０ａを炭化させて炭化層９０を形成したのち、炭化層９０から単結晶１００を再度成長させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の耐高温部材でも容易に得ることができる耐高温部材の製造方法を提供する。
【解決手段】耐高温部材の製造方法は、炭化タンタル等のいずれか一種以上の炭化物粉末のペーストからなる接着層２３を介して第１基材２１と第２基材２２とを連結した組立体とする組立工程と、この組立体を加熱して第１基材２１と第２基材２２との間を焼結させる結合工程とを備える。また耐高温部材の製造方法は、耐高温基材の表面に炭化タンタル等のいずれか一種以上の炭化物粉末からなるスラリーを塗布する塗布工程と、塗布工程後の耐高温基材を乾燥する乾燥工程と、乾燥工程後の耐高温基材を加熱して該耐高温基材の表面に炭化物被膜を焼結させる成膜工程とを備え、複雑な形状の耐高温部材も容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長高さが所定高さ以上になっても、成長結晶のガイド部材との接触面が炭化することがない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶９０、９１の成長初期段階では、基端部７１が台座部１２ａの側面に密着した第１ガイド部材７０を用いて結晶９０を成長させ、成長結晶９０が第１ガイド部材７０に接触する前に、基端部と台座部１２ａの側面との間に所定の間隙ｇが設けられた第２ガイド部材８０を第１ガイド部材７０に代えて配設した状態で、結晶９１を成長させる炭化珪素単結晶９０、９１の製造方法である。従って、側面がガイド部材７０，８０に接触することなく結晶９０、９１を成長させることができるため、結晶９０、９１側面の炭化を防止することができ、高品質で径が大きい単結晶９１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない良質な単結晶インゴットが形成される炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２と、該蓋体１２の裏面側と種結晶６０との間に配設される保護部材１４とを備え、前記種結晶６０を前記昇華用原料５０に対向して配置し、前記昇華用原料５０を加熱して発生させた原料ガスＧを前記種結晶６０に供給して該種結晶６０から単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置１であり、前記保護部材１４は、結晶成長中の加熱温度によって溶融及び／又は気化する金属を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いる場合に、ＳｉＣへの窒素の侵入を抑制する。
【解決手段】低窒素濃度黒鉛材料は、グロー放電質量分析法による窒素濃度が９８ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）であり、大気と遮断した状態で保管されたものである。当該黒鉛材料は、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いられる。 （もっと読む）

【課題】ガイド部材を設けた場合でも、成長終了後に単結晶を切り出す工程で、単結晶におけるガイド部材との接触部から割れが生じることがない炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２と、前記反応容器本体１１内に設けられ、前記種結晶６０が成長して炭化珪素単結晶になる際に、該炭化珪素単結晶の成長をガイドする筒状のガイド部材７０とを備えた炭化珪素単結晶の製造装置１である。ガイド部材７０は、第１分割体と第２分割体とに分離可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】加熱部材の構造が簡単で温度制御が容易な炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素単結晶の製造装置１は、筒状に形成された反応容器本体１１の上部開口１１ｂが蓋体１２により封鎖された黒鉛製反応容器１０と、黒鉛製反応容器１０の外周側に連続して巻回された単一の加熱コイルからなる加熱部材とを備え、黒鉛製反応容器１０の底部１１ａに昇華用原料５０を収容し、黒鉛製反応容器１０の内面側に種結晶６０を取り付ける。誘導加熱コイルのうち黒鉛製反応容器１０の底部を巻回する下側コイル３１と下側コイル３１に対向する黒鉛製反応容器１０の底部との距離Ｄ１及び蓋体１２を巻回する上側コイル３２と上側コイル３２に対向する蓋体１２との距離Ｄ２の少なくとも何れかの距離を、反応容器本体１１の高さ方向中央部を巻回する中央側コイル３３と中央側コイル３３に対向する反応容器本体１１との距離Ｄ３よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素粉体の製造方法は、珪素源と、炭素源と、反応触媒と、バナジウム含有化合物と、を混合させて液状混合物７を生成する工程と、液状混合物７を減圧雰囲気下に配置した状態で、液状混合物７に不活性ガスを導入しつつ排出ガスを排気する工程と、液状混合物７を乾燥および硬化させることにより固形物１９を生成する工程と、固形物１９を加熱して炭化および焼成することにより、炭化珪素粉体２５を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）塊状単結晶を製造するための方法と単結晶ＡｌＮ基板を提供する。
【解決手段】中心長手軸線１８を有する単結晶ＡｌＮ種結晶１５を坩堝装置３の結晶成長領域４内に配置し、成長段階の間に結晶成長領域４内にＡｌＮ成長気相１６を生成し、成長気相１６を坩堝装置３の貯蔵領域５内にあるＡｌＮ原材料２１から少なくとも一部を供給し、ＡｌＮ塊状単結晶２をＡｌＮ成長気相１６からＡｌＮ種結晶１５上に析出させることで中心長手軸線１８と平行に向いた成長方向１７に成長させ、浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１の少なくとも酸素割合が減らし、坩堝装置３に設けた析出室８内で浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１から蒸発した酸素含有成分を析出させ、ＡｌＮ原材料２１を浄化段階の終了後、成長段階全体の間、無酸素雰囲気内で保持する。 （もっと読む）

【課題】種結晶に生じている結晶欠陥を有利に解消し、ひいては光学デバイスや電子デバイスの歩留まり向上を達成できる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して、結晶欠陥１１３Ａ〜１１３Ｄを有する炭化ケイ素単結晶の種結晶１１１を配置し、加熱により昇華させた昇華用原料４０を種結晶１１１の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる方法において、結晶成長に先立って、種結晶のオフ方位を変更し（ａ）、複数の結晶欠陥のうち、結晶欠陥１１３Ａの位置をオフ方位の上流側に位置させる。オフ方位に従う優先成長によって、オフ方位上流側に位置している結晶欠陥１１３Ａが消失し（ｂ）、結晶欠陥の少ない炭化ケイ素単結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】加熱部材の構造が簡単で温度制御が容易な炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】筒状に形成された反応容器本体１１の上部開口１１ｂが蓋体１２によって封鎖された黒鉛製反応容器１０と、該黒鉛製反応容器１０の外周側に連続して巻回された単一の加熱コイルからなる加熱部材とを備え、底部１１ａに昇華用原料５０を収容し、反応容器の内面側１２ａに種結晶６０を取り付ける炭化珪素単結晶の製造装置において、前記反応容器本体１１の底部１１ａを巻回する下部コイル３１および蓋体１２を巻回する上部コイル３２のコイルピッチＰ１，Ｐ３は、反応容器本体１１の高さ方向中央部を巻回する中央部コイル３３のコイルピッチＰ２よりも小さく設定している。 （もっと読む）

【課題】本成長途中のＳｉＣ単結晶中に欠陥を生成させるおそれの少ない転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。（２）転位制御種結晶１０は、オフセット角θが１°以上１５°以下である成長面を備えている。（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。（４）螺旋転位領域１４は、高品質領域１２となる一次種結晶の一次成長面の一部に、螺旋転位領域１４を形成するための後退部を形成し、少なくとも後退部上にＳｉＣ単結晶を予備成長させ、成長面のオフセット方向ｃ端部に螺旋転位領域１４が含まれるように、一次種結晶の表面を鏡面研磨し、成長面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶膜におけるクラックの発生を抑制する窒化物単結晶膜の製造方法、クラックの発生が抑制された窒化物単結晶基板、およびクラックの発生が抑制された窒化物単結晶膜を備えるテンプレート基板を提供する。
【解決手段】窒化物単結晶膜の製造方法は、（１１−２０）面からのオフ角が５°以下である下地基板１を準備する工程と、上記下地基板１の主表面上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。前記下地基板１はＳｉＣまたはサファイアからなることが好ましく、また、前記窒化物単結晶膜３を形成する工程における成膜温度範囲は１７００℃以上２４００℃以下であることが好ましい。これにより、前記テンプレート基板４の窒化物単結晶膜３はクラックの密度が低く、また、前記テンプレート基板４から下地基板１を取り除いた窒化物単結晶基板についても同様に、クラックの密度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

物理的気相輸送成長システムは、ＳｉＣ原料及びＳｉＣ種結晶を間隔を隔てて収容する成長チャンバと、該成長チャンバ内に配置された少なくとも一部がガス透過性の覆いとを備えている。該覆いは、該ＳｉＣ原料を含む原料区画と該ＳｉＣ種結晶を含む結晶化区画とに該成長チャンバを分離する。該覆いは、該結晶化区画において該ＳｉＣ種結晶上へのＳｉＣ単結晶の昇華成長中に発生する気化ガスと反応可能な材料で形成され、該ＳｉＣ種結晶上への該ＳｉＣ単結晶の成長中に追加のＣ源として振舞うＣを有する気化ガスを生成する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗率を有し、熱履歴の影響を受けることなく安定した比抵抗を有する６Ｈ形半絶縁性炭化珪素単結晶を提供する。
【解決手段】６Ｈ形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置によって製造される６Ｈ形半絶縁性炭化珪素単結晶は、真性点欠陥を有し、真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるＲセンターである。Ｒセンターの数は、ドナーとアクセプターとの数の差の絶対値よりも多くする。これにより、容量過渡分光法によって測定されるＲセンターが余剰になったドーパントを補償する。また、Ｒセンターは熱的に安定なため、炭化珪素単結晶が完成するまでの熱履歴の影響を受けにくい。したがって、炭化珪素単結晶が製造されるまでの温度条件によらず、安定して余剰ドーパントを補償することができる。 （もっと読む）