【課題】二酸化炭素を効率よく還元することができる処理板及び処理方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素の処理板１は、基板２と、基板２上に形成され（１１１）面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜３とを備える。処理膜３は二酸化炭素を吸着し、加熱により還元する属性を有している。基板２は、（１１１）面を主面とするチタン酸ストロンチウム、（０００１）面を主面とするサファイア、又は（１１１）面を主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成される。 （もっと読む）

【課題】濾過、洗浄性が良好で、かつ蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な、不純物含量の低い、高純度酸化ガリウムを提供する。
【解決手段】ガリウムを含有する酸性水溶液と塩基性溶液を混合し、ｐＨを８〜１０の範囲に調整し水酸化ガリウムを得る工程と、得られた水酸化ガリウムをｐＨを８〜１０の範囲で８０℃以上の温度で１時間以上保持しオキシ水酸化ガリウムを得る熱処理工程と、該熱処理により得られたオキシ水酸化ガリウムを濾別、洗浄後、乾燥、焼成し酸化ガリウムを得る工程を含んでなり、かつ該水酸化ガリウムの熱処理工程における水酸化ガリウムと接触する部位に、フッ素含有樹脂を用いこれらの反応を行う。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】ＶＯ₂（Ｍ）（単斜晶型）ナノワイヤ等の一次元ナノ構造体を低温かつ高速に再現性良く形成することができる一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板２に対向して、ＶＯ₂ターゲット７を配し、この状態でレーザー光１０をターゲット７に照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマ（プルーム１１、１２）が基板２に実質的に届かないようにする圧力条件下で、ターゲット昇華物質をクラスター１４として基板２に付着させてＶＯ₂（Ｍ）ナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に（１１１）エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、（１１１）エピタキシャル成長した（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３またはＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３｛０＜ｘ＜１｝からなる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】１原子％を越える多量の窒素が添加された、ペロブスカイト薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト薄膜１は化学式ＲＭＯ₃（ここで、ＲはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ又はＭｇから選ばれる元素であり、ＭはＴｉ又はＺｒから選ばれる元素である。）で表わされ、薄膜の窒素含有量が１原子％を超えて添加されている。反応性スパッタ法のターゲットとしてペロブスカイトを用い、反応性スパッタに用いるガスとしては、窒素ガス、又は稀ガスと窒素ガスとの混合ガスを用い、基板２上に窒素が添加されたペロブスカイト薄膜１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】短時間で所望の特性を有する圧電素子を製造できる圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、放電用ガスが供給されるチャンバ内に、互いに異なる物質を含む複数のターゲットを配置するとともに、ターゲットに対して所定の位置関係で基板を配置し、複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングして、複数のターゲットのそれぞれから発生した物質で、基板上に圧電素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単で低コストな方法により、１つの外囲器内で、高品質の基板を具体化することを可能にする新しい製作方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。
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【課題】圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電体が、
Ｐｂ（Ｚｒ_xＴｉ_1-x）Ｏ₃ （１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が０．５以上０．８以下であり、かつ該圧電体が少なくとも単斜晶系のペロブスカイト型構造を有することを特徴とする圧電体。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）