【課題】フラックス法によるＧａＮ製造で、ＧａＮ自立基板の窒素面への雑晶の付着と原料の浪費を抑制する。
【解決手段】坩堝２６−１〜４とＧａＮ自立基板の配置方法を４例示す。図１．Ａ：坩堝２６−１の斜め上を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させる。図１．Ｂ：坩堝２６−２の水平方向を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させ治具ＳＴ−２で固定。図１．Ｃ：坩堝２６−３の平らな底部に治具ＳＴ−３を配置し、自立基板１０−１、１０−２を互いの窒素面を密着させて固定。図１．Ｄ：坩堝２６−４の平らな底部に治具ＳＴ−４を配置し、ＧａＮ自立基板１０を固定。自立基板１０は、窒素面が治具ＳＴ−４により覆われる。ガリウムとナトリウムとが溶融した混合フラックスを満たし、加圧窒素下に置いて、ガリウム面Ｆ_GaにＧａＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の平面形状を容易に調整することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素層１１ｃの第１の裏面Ｂ１および第２の炭化珪素層１２の第２の裏面Ｂ２の各々とベース部３０の第１の主面Ｑ１とが対向するように、ベース部３０と第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２とが配置される際に、第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２の少なくともいずれかが平面視において第１の主面Ｑ１の外側へ突出部ＰＴとして部分的に突出する。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々と第１の主面Ｑ１とが加熱によって接合される。この加熱によって突出部ＰＴの少なくとも一部が炭化されることで炭化部７０が形成される。突出部ＰＴが除去される際に炭化部７０が加工される。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャルウェハの製造が可能な表面に保護膜が形成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。前記保護膜は基板表面への汚染物質の付着を防ぐとともに、水素雰囲気中1200℃以下の温度に保持するだけで簡単に除去できるので、汚染物質に起因するエピタキシャル成長膜の異常成長や結晶欠陥の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止することにより、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する下地基板１１の裏面１１ｂを覆うように保護層１２が形成される。そして、下地基板１１の裏面１１ｂが保護層１２で覆われた状態で、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。保護層１２は、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなり、かつ２００μｍを超えて１０ｃｍ以下の厚さＨを有している。 （もっと読む）

【課題】犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップと、を含むステップによって独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の製造工程において、ＳｉＣ粉塵の発生が不可避な工程が含まれる場合に、ウェハ上に付着したＳｉＣ粉塵によって良品率が低下するのを抑制するトレンチゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質なIII族窒化物系化合物半導体結晶を低コストで生産するための、半導体結晶製造方法を提供する。
【解決手段】フラックス法により、ｎ型ＧａＮ単結晶２０が例えば約５００μｍ以上の十分な膜厚にまで成長したら、引き続き坩堝の温度を８５０℃以上８８０℃以下に維持して、保護膜及びシリコン基板１１がフラックス中に全て溶解するのを待ち、その後、窒素ガス雰囲気下で、反応室の温度を１００℃以下にまで降温する。ただし、保護膜やシリコン基板１１は、ＧａＮ単結晶２０の成長工程中に少なくともその一部がフラックス中に溶解する様にしても良い。これらの各工程の並列同時進行の様態は、例えば保護膜の成膜形態などにより適当に調整することができる。フラックス中に融解したシリコン基板１１がｎ型の添加物（Ｓｉ）として、成長中のＧａＮ単結晶２０中に添加されれば、ｎ型の半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】厚いエピタキシャル層を形成する場合でも、平坦性に優れ、かつ抵抗率の均一性にも優れたエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハを容易にかつ低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、少なくとも、裏面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を用い、該基板の表面にシリコンからなるエピタキシャル層を成長させる工程と、スピンエッチャーを用い、前記シリコン基板を回転させるとともに該基板の裏面に、前記シリコン酸化膜よりもシリコンに対するエッチング速度が大きいエッチング液を供給することにより、前記エピタキシャル層の成長の際に前記基板の裏面及び面取り部に形成されたシリコンをエッチングして除去する工程を含む。 （もっと読む）