【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

ダイヤモンドを処理する方法であって、その方法は、（ｉ）黒鉛析出に関してカーボンで飽和されている液体金属を供給すること、（ｉｉ）液体金属がダイヤモンド析出に関してカーボンで飽和されるように、液体金属の温度を降下させること、（ｉｉｉ）ダイヤモンドを液体金属に浸漬すること、および（ｉｖ）金属からダイヤモンドを取り出すことを含む。
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【課題】焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材を準備し、該素材を塩化ナトリウム、塩化カリウムなどの金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬後、３１０℃以上、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を２０ｍｍ以下の距離で近接して、あるいは、重ね合わせて熱処理する。このとき、前記還元剤として、タンタル酸リチウム結晶をキュリー温度以上の温度で、かつ還元雰囲気下で熱処理することによって得られた多分極タンタル酸リチウムを用いる。この処理により、タンタル酸リチウム結晶の導電率が向上するとともに結晶面内で均一となるので、焦電性が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の単結晶中に含まれる不純物元素の含有量を選択的に制御させることができる方法を提供する。
【解決手段】不純物としてＬｉを８７ｐｐｍ含有するＧａＮ単結晶（未処理）４と、ＧａＣｌ3を含むＫＣｌ溶液５とＧａ金属６とを、石英アンプル管１に真空封入して横型炉にセットし、石英ガラス反応管２を加熱し９００℃で２００時間保持した後、石英ガラス反応管２を取り出し、空気中で急冷する。石英アンプル管１の内部から固体状となった試料を取り出して１００℃の温水処理を間施し、次いで、塩酸を用いて酸処理を行い、内容物を溶解することにより溶液中にＧａＮ単結晶が沈殿して残る。これを蒸留水で洗浄し、乾燥することにより、処理前に比較して不純物元素であるＬｉ含有量の低いＧａＮ単結晶が得られる。逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く不純物濃度の低いＩＩＩ族窒化物結晶をその結晶を破損させることなく製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器７のＧａ−Ｎａ−Ｌｉ融液２に窒素ガス（窒素含有ガス３）を溶解させて、ＧａＮ下地基板１の主面１ｍ上に厚さ１００μｍのＧａＮ結晶を成長させた（ａ）。つづいて、反応容器７に金属Ｎａをいれ、加熱により結晶処理用液体４であるＮａ融液を形成した後、窒素ガス（窒素含有ガス３）を溶解させて、ＧａＮ結晶（ＩＩＩ族窒化物結晶１０）の熱処理を行なった。この結果、結晶の表面に荒れが起こったものの、結晶の破損には至らず、またＧａＮ結晶（ＩＩＩ族窒化物結晶１０）およびＧａＮ下地基板１の不純物濃度は、Ｎａ濃度が５×１０15ｃｍ-3と熱処理前のＮａ濃度と同様であったのに対し、Ｌｉ濃度が３×１０16ｃｍ-3と熱処理前のＬｉ濃度に比べて大幅に低減した。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりが高く良質な有機単結晶薄膜、有機単結晶導波路及び作製方法を提供する。
【解決手段】 加熱手段１０４によりバルク状の有機単結晶表面近傍に溶融部１０２を形成し、溶融部１０２に基板面を対向接触させた状態で冷却手段１０６により溶融部１０２を冷却することにより得られるバルク単結晶１０１と基板１００との接合体を、基板１００側から所望の厚さで切断することより得られる有機単結晶薄膜を用いることにより、歩留まりが高く良質な有機単結晶薄膜、有機単結晶導波路が得られる。 （もっと読む）

【課題】 液相成長させたIII族元素窒化物結晶基板において、不純物の拡散を防止する技術を提供する。
【解決手段】 まず、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させ、III族元素窒化物結晶基板１３を形成する。そして、前記基板１３に熱処理を施すことにより、前記基板１３中の不純物を無機化合物化する（図において１５で示す部分）。このように熱処理を施すことにより、基板１３中に含まれているおそれがあるアルカリ金属やアルカリ土類金属等の不純物が、基板１３から拡散することを防止できる。そのため、本発明の製造方法によれば、安定したデバイス作製が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸カリウムＫＮｂＯ_３ 単結晶の製造において、結晶内の強誘電体自発分極方向が揃った高品質の単分域化結晶を製造する単分域化処理方法を提供する。
【解決手段】多分域構造を有するニオブ酸カリウム単結晶１５の対向面にそれぞれ正負の電極１６，１７を形成し、これらの電極間に電界を印加してニオブ酸カリウム単結晶を単分域化する方法において、単分域化処理を、電極と単結晶間に半絶縁物質を介在させ、正方晶系から斜方晶系に構造相転移する温度より低く１７０℃より高い温度で電極間に電界を印加して行う第１段の単分域化処理と、１７０℃以下の温度で前記電極間に第１の単分域化処理における印加電界よりも高い電界を印加して行う第２段の単分域化処理の２段階で行う。これにより、結晶全体の自発分域方向が揃った透明単結晶を得る。 （もっと読む）