【課題】針状及び棒状のいずれかの形状を有する酸化亜鉛構造体、並びに酸化亜鉛粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】一定方位への規則的な結晶配向構造を有する、ｃ軸方向に垂直であり、金属含有材料を含む結晶面を有する基板を酸化亜鉛が析出可能な反応溶液中に前記金属含有材料を含む結晶面が下向となるように基板を配置して浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に酸化亜鉛結晶を析出させ、前記金属含有材料を含む結晶面が、単結晶材料及びエピタキシャル結晶材料の少なくともいずれかから形成され、該結晶面を有する基板の面方位と同じ結晶面である酸化亜鉛構造体の製造方法により製造された酸化亜鉛構造体であって、アスペクト比が１以上であり、底面の半径が２５０ｎｍ〜４５０ｎｍである酸化亜鉛結晶を基板上に有する酸化亜鉛構造体である。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の結晶状態を維持し且つ欠陥のない単結晶のナノワイヤを成長させることが可能なナノワイヤ作製方法を提供する。
【解決手段】フリースタンディングナノワイヤの成長を可能とする比較的狭い範囲の成長条件からあえてずらした成長条件でナノワイヤを成長させることにより、フリースタンディングナノワイヤに必要なサイドファセットの形成を不安定にし、結晶基板の表面と平行に且つ当該表面に沿ったナノワイヤの成長を可能とする。また、ナノワイヤの成長途中で、例えばドーパントを切り替えることにより、ｎ型ＩｎＰナノワイヤ３ｎとｐ型ＩｎＰナノワイヤ３ｐを連設することができる。更に、平行な複数のナノワイヤを交差させて網状の半導体膜を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】大量のナノロッド及び基体表面に整列されたナノロッドのいずれをも製造することが可能な方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物ナノロッドの製造方法は、炉６内において金属蒸気を発生させる工程と、炉内の成長領域内において、ナノロッド成長用基体２２の表面上に金属酸化物ナノロッドが形成されるのに十分な時間だけナノロッド成長用基体２２を金属蒸気に曝す工程と、ナノロッド成長用基体２２を成長領域から除去する工程と、このように形成された金属酸化物ナノロッドであって、その直径が１ｎｍから２００ｎｍの金属酸化物ナノロッドを収集する工程とからなる。 （もっと読む）

ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子が開示される。この発光素子は、紫外線の波長範囲、青色光の波長範囲及び緑色光の波長範囲内で主ピークを有する第１波長の光を放射する発光ダイオードと、前記発光ダイオードから放射された前記第１波長の光の少なくとも一部を前記第１波長に比べて長い波長の第２波長の光に変換させるナノワイヤ蛍光体とを含む。ナノワイヤ蛍光体を採用することによって、発光素子の製造費用を節減することができ、非発光再結合に起因した光損失を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差による応力発生のない良質の窒化物単結晶基板を製造可能な窒化物単結晶基板の製造方法および装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバー内に装着されたサセプタに予備基板５０を配置する段階（ａ）と、上記予備基板上に窒化物単結晶層５５を成長させる段階（ｂ）と、上記予備基板を上記反応チャンバー内に維持しながら上記予備基板と上記窒化物結晶層が分離されるようにレーザービームを照射する段階（ｃ）と、さらに追加の窒化物成長工程をおこなうことにより窒化物単結晶層５５'を形成する段階（ｄ）と、最後に、レーザービームをさらに追加で照射することによりサファイア基板５０から窒化物単結晶層５５'を完全に分離する段階（ｅ）を含む。窒化物単結晶成長用反応チャンバー上部には、基板上面に向かってレーザーを照射するためのレーザー照射用透明窓を設ける。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以上の高温条件下において窒化物半導体と良好な格子整合性を有する化合物半導体元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 窒化物半導体形成用ガスを導入することにより格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板上に第１の窒化物半導体層を成長させ、該成長温度以下の温度で前記窒化物半導体形成用ガスに含まれている反応性ガスと前記元基板とを反応させて前記元基板を除去し、さらに前記第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を形成する。 （もっと読む）