【課題】キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。
【解決手段】キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片の上方にＳｉ原料を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝1１を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】光学素子用として好適な、光散乱体を含まない極めて良質な四ほう酸リチウム単結晶を、垂直ブリッジマン法により育成させることができる新規な方法を提供する。
【解決手段】育成炉の内部空間１ａにルツボ５を配置し、垂直ブリッジマン法により、ルツボ内の原料ａから四ほう酸リチウム単結晶を育成する。育成炉の内部空間１ａの雰囲気を５〜１０体積％の酸素を含む雰囲気とし、ルツボ移動速度を０．２５〜０．５０ｍｍ／時間とした。これにより、気泡や光散乱体を含有しない、直径３インチ以上の大口径型の四ほう酸リチウム単結晶を得た。 （もっと読む）

密封されたアンプルの内側と圧力容器との間において平衡化された圧力が維持された状態で、クローズド・システムにおけるＩＩＩ−Ｖ族単結晶半導体化合物の成長のための装置および方法。密封されたアンプル内部の蒸気圧５は、密封されたアンプル内部の、温度、多結晶投入物の量、およびリンなどの材料の量によって制御されうる。不活性ガスの充填および放出は、圧力容器内の圧力を制御するのに用いられる。
（もっと読む）

【課題】 フラックス法でＩＩＩ族窒化物結晶の結晶サイズをより一層大きく作製することの可能なＩＩＩ族窒化物結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 反応容器内で、フラックスと少なくともＩＩＩ族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、ＩＩＩ族金属と窒素とから構成されるＩＩＩ族窒化物を結晶成長させるＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、混合融液１０３中にＩＩＩ族窒化物の結晶核が生じる基体１０２があり、該基体１０２に結晶核が多数発生する多核成長で、ＩＩＩ族窒化物１１０の複数の結晶核を合体させながらＩＩＩ族窒化物１１０の結晶成長を進行させる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、高品質で且つ放熱特性に優れ、低コスト化を図れる高熱伝導率のIII族窒化物自立基板、III族窒化物半導体デバイス、半導体モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フラックスと少なくともIII族金属を含む混合融液と窒素とから、前記III族金属と前記窒素とを反応させて構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族窒化物を結晶成長させる界面に、III族金属またはフラックスの少なくとも１方の融液を充填する。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物が成長する領域からのフラックスの漏れを抑制し、高品質で大型のIII族窒化物結晶を実現する。
【解決手段】 反応容器１０４内で、フラックスと少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０８を形成し、該混合融液１０８と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、反応容器１０４内には窒素を含む物質が気体として存在している空間１０９があり、III族窒化物１１６の結晶成長の進行とともに、反応容器内の窒素を含む物質が存在している空間１０９の体積を制御しながら結晶成長を進行させる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストで、高品質の大型のIII族窒化物結晶を作製することが可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、種結晶２８のｃ面にIII族窒化物結晶２９を成長させた後、該III族窒化物結晶２９を種結晶２８のｃ面の法線方向（０００１）とは異なる方向＜１０−１０＞へさらに結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】回転する坩堝内でＳｉまたはＳｉ合金融液中にＳｉＣが溶解した溶液にシード軸に固定されたＳｉＣの種結晶を浸漬し、少なくとも前記種結晶周辺における溶液の過冷却によりＳｉＣを過飽和状態とすることによって前記ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶層を成長させる溶液成長法による炭化珪素単結晶の製造において、径が１インチ以上で厚みが５ミクロン以上と大型になっても、インクルージョンのない良質の単結晶を高い結晶成長速度で製造する。
【解決手段】坩堝の回転を、所定回転数への加速および保持と低速回転または０回転への減速とを繰り返す坩堝加速回転を適用しながら単結晶を成長させる。坩堝の回転方向も各加速ごとに反転させてもよい。さらに、シード軸も、坩堝回転方向と同一または反対方向に、坩堝回転と同期させて回転させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 フレアの発生が問題にならない屈折率均質性などの光学特性に優れたフッ化物単結晶とその結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 サブバウンダリーによって区画された複数のサブグレインを有し、隣接する前記サブグレインの結晶面方位の相対傾斜角が０．０２度以内、且つ、前記サブグレインの結晶面方位の最大傾斜角が０．２度以内のフッ化物単結晶を光学素子材料に用いる。屈折率均質性の面内分布をＺｅｒｎｉｋｅ多項式近似で分解し、１項乃至３６項成分を差し引いた残渣ＲＭＳ値が２０ｐｐｂ以下とする。坩堝に収納された結晶性物質の原料から単結晶を製造する製造方法であって、１０℃／ｃｍ以下の温度勾配を形成するステップと、０．５ｍｍ／ｈ以下の速度で前記坩堝を移動させることで溶融した前記原料の結晶を成長させるステップと、前記成長ステップで成長させた結晶を、５℃／ｈ以下の冷却速度で徐冷するステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 粒状シリコン結晶等の粒状結晶の製造方法において、結晶性の高い粒状結晶を安定して作製すると同時に、均一な大きさの粒状結晶を低コストで、連続して製造すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部３から結晶材料の融液４を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液８を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶を製造する粒状結晶の製造方法において、融液４に圧力６を印加して排出するとともに、その圧力を排出開始時に高くし、その後に低くする。安定な柱状の融液７を形成するとともに、柱状の融液７の粒状の融液８への分裂を促進し、大きな粒径の粒状の融液８の形成を抑制することができることにより、均一な大きさの粒状結晶を安定して作製することができる。 （もっと読む）

【課題】
【課題】本発明は、液相（４４）を凝固させることによって、単結晶の固相（４２）を製造する装置に関する。
【解決手段】その装置は、固相（４２）及び液相（４４）を収容するのに適し、その少なくとも一つの壁が液相と接触するように提供され、その固相は間隙（４３）によって分離されるるつぼ（４０）と、液相と固相との間の界面（４６）で温度勾配を作るために、液相を加熱する手段と、加熱手段とは別個であり、前記界面の位置で電磁圧を液相の接合表面（４８）に加えるための手段であって、るつぼを取り囲み、作動中に前記界面が形成されるエリアに向かい合って配置される少なくとも一つのターン（５０）を備える電磁界（５０）を発生させる手段とを含む。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）