【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む原料シリコン融液(2)から、いわゆる方向凝固法により、シ
リコン方向凝固物(4)を得、これ(4)から粗シリコン領域(45)を切除して、歩留率の目標値
(Ｙ₀)で、目標最大アルミニウム濃度(Ｃ_10max)以下の精製シリコン(1)を得ることのでき
る方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、Ｃ_10maxと、Ｙ₀とから、あらかじめ、下式（１）を満
足する基準温度勾配(Ｔ₀)および基準凝固速度(Ｒ₀)を求める。
ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ₀）＋Ｋ₂｝
×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ₀×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝
×｛Ｋ₇×Ｔ₀＋Ｋ₈｝−Ｋ₉…（１）
〔ｋは、式（２）
Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−Ｙ₀）^k'-1…（２）
（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）
を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）

光起電力電池および他の用途のシリコンを鋳造するための方法および装置が提供される。これらの方法により、鋳造時に種結晶材料の断面積を増やすように結晶成長が制御される炭素分が低いインゴットを成長させることができる。
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【課題】良い結晶学的性質を保証し、且つ、高い凝固速度を達成できるようにすると同時に、実施が容易である半導体物質のウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体物質のウェハは、この物質の液体９からのモールディングおよび方向性結晶化によって形成される。るつぼの底部に置かれているシード８は、密集していない結晶面に沿った配向性を示す。モールド５は、ピストン７を用いてまたは装置内の圧力差の創出によって溶融半導体物質９で充填される。モールド５は、好ましくは、非粘着性の堆積物で覆われている。 （もっと読む）

【課題】球状結晶の製造において、単一サイズの球状結晶を効率良く生産すると同時に、結晶性の高い球状結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】球状結晶９を作製するための原料を溶融坩堝１において加熱して溶融し、所定の圧力を溶融坩堝１内の融液８上面にかけながら、原料の融液８の液流を坩堝１の底部に設けたノズル１２の穴より吐出させ、落下管５中を落下させながら冷却させ凝固させる球状結晶の製造方法において、ノズル１２の穴の下の落下管５中で不活性ガスを一定の周期で間歇的に噴出して、吐出された溶融液流８１を細断して、単一サイズの球状結晶９とする。 （もっと読む）

補償されたシリコン原料からシリコンインゴットを形成する際に抵抗率を制御する方法が、補償され改質された金属級シリコン原料を調製して溶融させてシリコン融液を形成する。補償され改質された金属級シリコン原料によりｐ型優勢の半導体が得られる。このｐ型半導体について、当該方法がホウ素およびリンの濃度を評価し、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムを添加する。当該方法はさらに、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムと一緒にシリコン原料を溶融させてシリコン融液を形成し、このシリコン融液から一方向凝固を実行し、アルミニウムまたは／およびガリウムを添加することにより、シリコンインゴット全体に亘ってシリコンインゴットの抵抗率を均一に維持する。個々のインゴット中でシリコン原料の抵抗率が小さくなる（典型的には０．４Ωｃｍよりも小さく）なる場合、釣り合いの取れた量のリンをアルミニウムまたは／およびガリウムに場合によっては添加することができる。抵抗率が非常に小さい（典型的には、０．２Ωｃｍ付近および０．２Ωｃｍより僅かに小さい）場合には、リンの添加が必要になる。
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【解決手段】るつぼ内で溶融させた珪素の下部から上部に向けて一方向凝固させるに際し、凝固方向の固相−液相界面の移動と、この移動距離より短い距離で凝固方向とは逆方向の固相−液相界面の移動とを繰り返すことを特徴とする珪素の一方向凝固方法。
【効果】本発明によれば、生産性が高い状態を維持しつつ、効率良く珪素中の不純物を除去することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 ＥＰＤが低くなるような結晶成長プロセスを用いてウェハを製造するシステムおよび方法が開示されている。また、デバイス収率を高め得る第ＩＩＩ−Ｖ族／ＧａＡｓウェハを形成する、ウェハアニーリングプロセスが提供されている。一実装例によると、エッチピット密度（ＥＰＤ）が低い第ＩＩＩ族ベースの材料を製造する方法が提供される。さらに、当該方法は、多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を形成する段階と、当該多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を用いて垂直温度勾配凝固による結晶成長を実行する段階とを備える。その他の実装例は、第ＩＩＩ族ベース結晶を形成する際に温度勾配を制御して、エッチピット密度を非常に低くする段階を備えるとしてよい。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体封止剤を用いた縦型ボート法によるＳｉドープＧａＡｓ単結晶の製造方法による結晶育成過程において、適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有し、かつ低コストに結晶シリコン粒子を連続的に製造可能な結晶シリコン粒子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料供給装置３０は、シリコン原料を貯留するとともに坩堝１へ供給する貯留装置７を有しており、シリコン原料を貯留装置７に供給した後に貯留装置７の内部の圧力を大気圧と同等以下に減圧し、次に不活性ガスを貯留装置７の内部に導入して貯留装置７の内部の酸素濃度を減少させるとともに貯留装置７の内部の不活性ガス圧力を坩堝１の内部の不活性ガス圧力まで加圧する第一の工程と、シリコン原料を坩堝１に供給する第二の工程と、を具備しており、第一及び第二の工程を繰り返す。また、溶融落下製造装置２０において、坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液を粒状として排出して落下させるとともに、落下中に冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を連続的に製造する。 （もっと読む）

【課題】ドープしたＦｅの析出が抑制されたＩｎＰ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＩｎＰ基板の製造方法は、ＦｅドープしたＩｎＰ融液２２を封止剤２６で封止しつつＩｎＰインゴットをＶＢ法により作製して、ＩｎＰ基板を作製するＩｎＰ基板の製造方法であって、封止剤２６として、含有水分が２００重量ｐｐｍ以下の酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）を用いることを特徴とする。このＩｎＰ基板の製造方法においては、含有水分量を２００重量ｐｐｍ以下にして、Ｉｎ空孔を占有するＨ原子の数を低減している。そのため、ＩｎＰ基板にドープされたＦｅの原子が、Ｉｎ原子に置換されやすくなるため、Ｆｅの析出が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 面内の組成が均一で、極めて低温ではない温度領域（０℃以上）にて、高い発光効率を有するアップコンバージョン材料をフッ化物バルク単結晶で実現すること。
【解決手段】 Ｍ_ｘＹｂ_ｙＣａ_{（1−ｘ−ｙ）}Ｆ_{２＋ｘ＋ｙ}で表されることを特徴とするアップコンバージョン用フッ化物バルク単結晶材料。ただし、結晶中の酸素濃度が１０００重量ｐｐｍ以下であり、さらに０．０１００＜ｘ＜０．３０００、０．０００５＜ｙ＜０．３０００。（ＭはＥｒ，Ｐｒ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎから選ばれた１種又は２種以上の希土類元素、あるいは遷移金属） （もっと読む）

【課題】溶融落下法によって粒状結晶を製造する際に、落下途中に結晶材料の融液の液滴が合体するのを大幅に抑制して、粒径の揃った多数の粒状結晶を製造できる粒状結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】粒状結晶６の製造方法は、坩堝１の中の結晶材料を溶融して融液を作製する工程と、坩堝１のノズル１ａに３次元運動を行わせる工程と、ノズル１ａから融液を液滴４として排出する工程と、液滴４を落下させる工程と、液滴４を落下中に凝固させる工程と、を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】優れた電気的性質を有する粒界を有し(品質が単結晶なみ)、かつ強度が、従来の多結晶よりも強い多結晶材料の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝内の融液からの結晶成長において、坩堝底部に粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を形成し、次に、一方向成長を行い、粒界エネルギーの高い粒界から、粒界エネルギーの低い粒界を形成するバルク多結晶材料の製造方法で、バルク多結晶材料が、シリコンまたはシリコンゲルマニウム多結晶であるバルク多結晶材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】同一半導体基板上に長さの異なる複数の針状体の形成を可能とするシリコン針状体の長さ制御技術を提供することを目的とする。
【解決手段】長さの異なる針状体を形成するために、ＶＬＳ成長と触媒となる金属材料の露出を交互に繰り返すことで多段成長させ、針状体の長さを制御する方法、又は所望の部位の金属材料を露出し、ＶＬＳ成長した後に先端金属を除去することで所望の長さの針状体を作製し、これを繰り返すことで異なる長さの針状体を実現する方法のいずれかにより解決することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶液法による単結晶の製造において、結晶欠陥のより少ない単結晶を製造するための単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料融液２が収容される坩堝１と、下端に種結晶４が保持されたシード軸３と、絶縁膜６で被覆された第１電極５と、第２電極７とを備え、種結晶４と第１電極５の下端面が揃えられ、原料融液２の液面に対して上方からシード軸３と第１電極５を一体的に下降させ、絶縁膜６が原料融液２の液面に接触して溶融したときに、第１電極５と第２電極７の間に原料融液２を介して流れる電流を検出することにより種結晶４と原料融液２の接触界面の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】青色、白色ＬＥＤや各種電子デバイスなどに好適なサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】適度な温度勾配を有する単結晶育成装置１内部に設置した容器３内で原料（酸化アルミニウム）を溶融させ、酸化アルミニウム融液４の液面にサファイアの種結晶５を接触させ、その後種結晶５を周速０〜１２ｍｍ／ｓｅｃの速度で回転させ、種結晶５の引き上げ距離ｄは育成初期の酸化アルミニウム融液４の液面高ｈ１の０〜２０％未満とし、種結晶５を酸化アルミニウム融液４に接触させた後、炉２の温度を０．２〜２°Ｃ／ｈｒで降下させながら育成し、溶融した酸化アルミニウムを固化させて、大型で高品質なサファイア単結晶Ｓを得る。 （もっと読む）

【課題】溶融した半導体材料を溶融ルツボの底部より吐出させ、落下管中を落下させながら冷却・凝固させ、落下管の下部に配置されたシリコーンオイル中に粒状半導体を回収する粒状半導体の製造方法において、不純物の混入がなくまた品質が均一な粒状半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】溶融半導体を落下させる落下管水平断面にガス供給ノズルユニット５を設置し、ガス導入ノズルの中心軸を、落下管の水平断面に対して成す角θが下方向へ０°を超え６０°迄の角度を成し、且つ、ノズル開口中心と同心円中心を結ぶ線分に対して成す角φが０°を超え４５°迄の角度になるように設置することにより、導入されるガスは落下管の垂直中心軸に対して螺旋状になって回収装置へ向かって進行し、シリコーンオイルの分解物及び蒸発物は、導入したガス流及び排気ポンプの引力で落下管の上部へ流れることはなく、排気口から回収装置の外へ排気される。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】縦型ボート法による結晶育成過程において、液体封止剤層中に含まれるＳｉの濃度が液体封止剤層とＧａＡｓ原料融液層との界面近傍の下部で高く、この界面から離れて上部にいくにしたがって急激に低くなる性質を利用し、結晶育成過程の適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中の結晶成長速度を所望の速度に制御することにより、結晶特性の均一な結晶を製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１内に種子結晶４を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱液化し、るつぼ１の下方より上方に向かって、液体原料２を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造方法において、液体原料２の構成元素で構成された相図の液相線と、炉内の温度分布５とに基づいて、成長中の結晶成長量と成長速度とを予め算出する第１ステップと、第１ステップで算出された成長速度となるように、るつぼ１の冷却速度を制御する第２ステップとを備えた。 （もっと読む）