【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子１０１を作製し、次に結晶シリコン粒子１０１の表面に研磨加工を施して結晶シリコン粒子１０１の表層部に加工変質層を形成し、次に窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱して結晶シリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させ降温して凝固させて単結晶化する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い多結晶もしくは単結晶の粒状シリコンを効率良く生産することが可能な粒状シリコンの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解する溶解炉１、種結晶用の微粉制御機構２と、落下管３と、回収装置４で構成される粒状シリコンの製造装置において、シリコン原料体を溶融ルツボにおいて加熱して溶融し、所定の圧力を前記溶融ルツボ内のシリコン融液上面にかけながら、前記溶融したシリコン原料体を前記溶融ルツボの底部に設けられたノズル穴より吐出させ、前記吐出させた溶融シリコンを、種結晶用の微粉が落下することなく一定の空間に滞留するようにした落下管３内を溶融状態のままで降下させ、微粉を核として結晶成長させるとともに、粒状に凝固させ、回収装置４で回収する。 （もっと読む）

【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝３のノズル部２からシリコンの融液１を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液１を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝３を振動させる加振手段７と、坩堝３内を加圧して融液４を排出する加圧手段と、排出された融液１を観察する観察手段９と、観察された融液１の落下状態を調節するために加振手段７を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

【課題】粒状シリコン結晶の製造方法において、粒状シリコン結晶の生産性が高く、製造された粒状シリコン結晶の粒径バラツキが小さく、しかも再現性良く粒状シリコン結晶を製造できる粒状シリコン結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】坩堝１内のシリコン融液を炭化珪素または窒化珪素から成るノズル部１ａから粒状に排出して落下させるとともに、この粒状のシリコン融液４を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコン結晶５を製造する方法において、前記坩堝１内のシリコン融液に、前記ノズル部１ａが炭化珪素から成る場合には炭素源を、前記ノズル部１ａが窒化珪素から成る場合には窒素源を添加することである。 （もっと読む）

【課題】 粒状シリコンの製造工程で、溶融ルツボ底部のノズルから吐出されたシリコン融液滴が雰囲気ガスの不純物で汚染されることを極力防止できるようにする。
【解決手段】 高温加熱炉１１の下部にガス導入口２５を設けると共に、高温加熱炉１１の上部にガス排出口２６を設ける。そして、粒状シリコンの製造工程中に、ガス導入口２５から清浄な雰囲気ガスを高温加熱炉１１の下部に導入して、溶融ルツボ１３直下の雰囲気ガスをガス排出口２６から高温加熱炉１１の外部に排出することで、溶融ルツボ１３直下の雰囲気ガスを浄化する。この状態で、溶融ルツボ１３内で加熱溶融したシリコン融液１７を、該溶融ルツボ１３底部のノズル１５より降下管１６内に吐出させることで、該降下管１６内で粒状化したシリコン融液滴を落下させ、その落下中に該シリコン融液滴を放熱により冷却することで結晶成長させて粒状シリコンを製造する。
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【課題】 大きな結晶粒の粒状シリコンを低コストで製造できるようにする。
【解決手段】 ガスボンベ２７から供給される雰囲気ガスを溶融ルツボ１３の目標圧力と同じ圧力で貯蔵する圧力容器３９を設けると共に、この圧力容器３９と溶融ルツボ１３とを連通させる配管中に電磁バルブＶ３を設ける。そして、降下管１６内をシリコン融液吐出時の目標負圧Ｐ３まで減圧する際に、溶融ルツボ１３内も減圧した後、電磁バルブＶ３を開放して、圧力容器３９内の雰囲気ガスの一部を溶融ルツボ１３内に導入して、該溶融ルツボ１３内の圧力を目標圧力（＝シリコン融液吐出時の降下管目標負圧Ｐ３＋差圧ΔＰ）まで上昇させる。これにより、溶融ルツボ１３内のシリコン融液１７を差圧ΔＰによって溶融ルツボ１３の底部のノズル１５から線状に連続的に流れるように吐出させ、降下管１６内で粒状化したシリコン融液滴を結晶成長させて粒状シリコンを製造する。
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【課題】溶融滴下法による半導体粒子の製造過程において発生する不純物成分を効果的に溶融装置の外部に排出することにより、高純度の半導体粒子を高速で製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】半導体材料を加熱し溶融させる工程および半導体融液を気相中に滴下する工程の少なくとも一方を、坩堝内または坩堝が収容された外套容器内に一方から希ガスを供給し、他方から希ガスを順次排出しながら行う。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く、高品質な粒状結晶を低コストで製造できる粒状結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル孔１ａから結晶材料の融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液４を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶５を製造する粒状結晶の製造方法において、結晶材料を加熱しつつ坩堝１の温度を測定し、この温度が結晶材料の融点以上まで上昇し、融点以上で一定温度に維持された後、再び上昇するときに、結晶材料を加熱するために供給するエネルギーを減少させることによって、融液の温度上昇を抑えるので、結晶材料への不純物の溶出を抑制でき、測定温度が再び上昇するときに、融液に圧力を加えて排出を開始する際には、融液の温度を融点付近に維持して排出できるので、粒状の融液４の凝固過程を安定して再現できることから、高い生産性でもって再現性よく高品質の粒状結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 量産性や低コスト性に優れた高品質な粒状結晶を製造することができる粒状結晶の製造装置を提供するとともに、それによって製造された粒状シリコン結晶を用いて作製された、変換効率特性に優れた光電変換装置を提供する。
【解決手段】 坩堝１のノズル部５からシリコン等の結晶材料の融液４を粒状に排出して落下させ、粒状の融液８を落下中に冷却、凝固させて粒状結晶を製造する粒状結晶の製造装置において、坩堝１およびノズル部５を、金属助剤を用いない炭化珪素質焼結体で一体的に形成することにより、結晶の品質を低下させる金属不純物の溶出を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 粒状シリコン結晶等の粒状結晶の製造方法において、結晶性の高い粒状結晶を安定して作製すると同時に、均一な大きさの粒状結晶を低コストで、連続して製造すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部３から結晶材料の融液４を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液８を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶を製造する粒状結晶の製造方法において、融液４に圧力６を印加して排出するとともに、その圧力を排出開始時に高くし、その後に低くする。安定な柱状の融液７を形成するとともに、柱状の融液７の粒状の融液８への分裂を促進し、大きな粒径の粒状の融液８の形成を抑制することができることにより、均一な大きさの粒状結晶を安定して作製することができる。 （もっと読む）