【課題】イオン不純物（例えばハロゲン化物）、さらには酸性不純物を含む第四オニウム塩を精製するための方法を提供。
【解決手段】（a）第一のイオン不純物濃度を有する第四オニウム塩の溶液を用意する工程；（b）電気化学的に安定なアニオンで荷電されたイオン交換材料を用意する工程；および（c）塩溶液をイオン交換材料と接触させ、これにより第一のイオン不純物濃度よりも低い第二のハロゲン化物濃度を有する第四オニウム塩溶液を生成させる工程を含む、式（I）の第四オニウム塩を精製する方法。


（式中、Aは窒素またはリン） （もっと読む）

【課題】 有機塩基として有用な塩基性イミノホスファゼニウム塩を長期間安定に保存することが可能な保存安定性に優れる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 塩基性イミノホスファゼニウム塩を、溶解度パラメータ１０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるプロトン性有機溶媒を少なくとも１種類以上含有する溶媒に溶解してなる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液であって、溶解後１０日経過した該塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液中の塩基性イミノホスファゼニウム塩を^１Ｈ−ＮＭＲにより測定した際の（２．８４〜２．８８ｐｐｍのピークの積分値／２．８０〜３．００ｐｐｍの範囲のピークの積分値）×１００で示される塩基性イミノホスファゼニウム塩の残存率が９０％以上である保存安定性に優れる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液。 （もっと読む）

【課題】半導体製造業者らから求められる、ＴＥＰＯ中の砒素の低濃度化を達成する方法が必要とされる。
【解決手段】砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェート（ＴＥＰＯ）からの砒素含有不純物の除去方法は以下の方法を含む：トリエチルホスフェートと比べて砒素含有不純物を選択的に吸着する吸着剤を準備すること；砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェートを吸着剤と接触させること；及び砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェートから砒素含有不純物を吸着して、減少した砒素含有不純物を有する製品トリエチルホスフェートを作ること。 （もっと読む）

トランス-[テトラクロロビス(1H-インダゾール)ルテナート(III)]のアルカリ金属塩を作成する方法が開示される。 （もっと読む）