【課題】
金属蒸着フィルムと熱可塑性樹脂シートとが積層一体化された金属調加飾シートにおいて、接着層を設ける工程を省略し、生産効率がよく、より簡易に製造することができ、透明性にも優れた金属調加飾シートを提供する。
【解決手段】
熱可塑性樹脂シートの表面をポリエステル系樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、あるいはポリウレタン樹脂よりなるものとし、この熱可塑性樹脂シートと金属蒸着フィルムの金属層とを接着層を介さずに直接積層一体化する。 （もっと読む）

【課題】 電極形成工程の加工条件を変更せずに、上部金属電極剥がれの不良発生率を低減することが可能な半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 半導体基板上に、エピタキシャル成長法を用いて成長した半導体薄膜を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体エピタキシャルウェハ１００の表面である前記半導体薄膜の最表層の表面に、インジウム１０８を付着させた構造とする。 （もっと読む）

金属ナノ粒子コーティングされたミクロポア基材、その調製方法、およびその使用について記載している。
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【課題】 手間・時間・コストを軽減でき、環境上の問題もない新たな前処理によって、めっき膜の付着力を確保するとともにブツ欠陥を低減する。
【解決手段】 樹脂基材の表面にケイ酸化炎、チタン酸化炎又はアルミニウム酸化炎を酸化炎と共に吹き付けて表面改質処理を行った後、前記樹脂基材の表面に乾式めっき又は湿式めっきを行ってめっき膜を形成する。表面改質は、例えばケイ酸化炎の場合、樹脂基材の表面にめっき膜との付着力を得るために必要な極性基としてのシノラール基が付与されることによる。 （もっと読む）

本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第１の磁性層および／または第２の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも１つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
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【課題】ミリ波対応型の金属光輝色を有するプラスチック製成形品を効率良く製造する。
【解決手段】プラスチック製成形品からなる基材１の表面側に所定のベースコート層２を設ける工程（Ａ）と、ベースコート層２の設けられた、その表面側に所定の形態からなるグリッド状のマスキング部材３を設置するとともに、このようなマスキング部材３を介して上記ベースコート層２上に金属微粒子５を蒸着させる工程（Ｂ）と、金属微粒子５の上記ベースコート層２への蒸着工程が完了した後に、上記マスキング部材３を取外して、所定の間隙を有した状態で金属微粒子５の蒸着しているベースコート層２上にクリアコート層６を設ける工程と、からなるようにした。 （もっと読む）

基板と、前記基板上に形成された酸化物系ナノ素材とからなる基材を含む光触媒を開示する。前記光触媒は、同一成分を持つ従来の光触媒より高い体積対表面積比を有し、且つナノサイズの光触媒層を備えることにより、優れた光分解特性を持つ。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体２２の面と相互接触する絶縁体１３２を有するコイル支持組立体１３０を備えている。絶縁体１３２は遮蔽体２２を貫通して延びる伸長部を有する。第二の絶縁体１３１が遮蔽体２２とコイル２６との間に配設され且つコイルから延びる突出部４０と接触する。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２を通して配設され且つ第二の絶縁体１３１を通って突出部４０内に延びる。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２により遮蔽体２２から電気的に隔離されている。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にてコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体は、遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるように挿入される。コイルは、締結具を挿入することによりチャンバ内に取り付けられる。本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体の面と相互接触する絶縁体を有するコイル支持組立体を備えている。絶縁体は遮蔽体を通って延びる遮蔽体を有する。第二の絶縁体は、遮蔽体とコイルとの間に配設され且つコイルから延びる突出部と接触する。締結具は、第一の絶縁体を通して配設され且つ第二の絶縁体を通って突出部内に延びる。締結具は第一の絶縁体により遮蔽体から電気的に隔離される。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体が遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるよう挿入される。コイル本体から外方に突出するボス内に締結具を絶縁体の各々を通して挿入することによりコイルがチャンバ内に取り付けられる。
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【課題】低抵抗の浅いｐｎ接合を実現すること。
【解決手段】ガス導入２６からＩ（沃素）をアークチャンバー２１内に導入し、アークチャンバー２１の内壁に設置されたＧｅＦ₂ を含む材料板３０を、Ｉによって物理的および化学的にエッチングし、ＧｅＦ₂ イオンを発生させ、このＧｅＦ₂ イオンをｎ型半導体基板の表面に注入し、その後試料内のＧｅＦ₂ を活性化するための熱処理を行う。 （もっと読む）