説明

Fターム[4K029DE00]の内容

物理蒸着 (93,067) | イオン注入、イオンビームミキシング装置 (197)

Fターム[4K029DE00]の下位に属するFターム

Fターム[4K029DE00]に分類される特許

21 - 24 / 24


本発明はイオン注入機用の電源装置ALTに関し、この電源装置は基板運搬トレイPPSと接地Eとの間に設置された電気発生器SOUと、前記基板運搬トレイPPSと接地Eとの間に同様に接続される並列のブランチ内のコンデンサCDSからなる。コンデンサCDSは5nFより小さい電気容量を有する。
本発明はまた、電源装置を内蔵するイオン注入機を提供する。
(もっと読む)


【解決手段】プラズマイオン注入装置がプロセスチャンバと、プロセスチャンバにプラズマを形成するプラズマ源と、プロセスチャンバに基板を保持するためのプラテン(14)と、イオンをプラズマから基板へと加速する注入パルスを生成するパルス源とを含む。他の実施態様では、装置は、プロセスチャンバ内のイオンの質量およびエネルギーを測定するプラズマモニターと、測定されたイオン質量およびエネルギーに応答してプラズマイオン注入装置の動作状態を判定する分析ユニット(100)とを含む。他の実施態様では、装置は、注入パルスのサンプルを捕捉するデータ捕捉ユニット(300)と、捕捉されたサンプルに基づいてプラズマイオン注入装置の動作状態を判定する分析器とを含む。
(もっと読む)


【解決手段】基板のプラズマイオン注入のための方法が、プロセスチャンバ、該プロセスチャンバにプラズマを形成する発生源、プロセスチャンバに基板を保持するプラテン、およびプラズマから基板にイオンを加速する電圧源を含むプラズマイオン注入システムを用意し、基板のプラズマイオン注入から生ずる付着膜の組成物に似た新しいコーティング膜を、新しいコーティング膜を形成する前にプロセスチャンバの内側表面に付着し、一つ以上の活性化されたクリーニング前駆体を使用して古い膜を除去することにより、プロセスチャンバの内側表面をクリーニングし、プラズマイオン注入プロセスにしたがって基板へのプラズマイオン注入を行い、プロセスチャンバの内側表面をクリーニングすること、および新しいコーティングに続いて一つ以上の基板に対してプラズマイオン注入をおこなうことの工程を繰り返すことを含む。
(もっと読む)


【課題】 ビーム通路の内壁を保護する保護板からの金属汚染を低減することができるイオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 保護板27の表面に対して実質的に垂直方向に延び且つ不要なイオンビーム11Bが衝突する垂直壁面30を有する突出壁部28を、ビーム通路26の延在方向に沿って保護板27の表面に連続して形成する。これにより、不要なイオンビーム11Bが突出壁部28の垂直壁面30に衝突したとき、これに伴って発生する壁面の構成粒子などの不純物32が、選択したイオンビーム11Aの軌道に向かって飛来することなく保護板27の表面に堆積する。よって、当該保護板27からの金属汚染を従来よりも大幅に低減することができる。 (もっと読む)


21 - 24 / 24