【課題】プラズマ処理装置および光学素子成形型の製造方法において、プラズマ放出方向を均等化しつつ、ドロップレットや飛散粒子を容易に除去することができ、表面処理の品質を向上することができるようにする。
【解決手段】ターゲット６とアノード電極とを有し、アーク放電によるプラズマ８を放出するプラズマ放出部１０と、プラズマ８を偏向させて光学素子成形用型母材１１の表面に輸送する偏向部１３と、ターゲット６の表面から光学素子成形用型母材１１に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽板２０とを備え、アノード電極は、複数の円弧状導電体が、ターゲット６の軸方向回りに周回するように配置され、ターゲット６を挟んで光学素子成形用型母材１１と反対側に円弧状導電体の各開口が配置された周回電極部と、周回電極部に電流を供給する配線部と、を備えるプラズマ処理装置１を用いる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの数が極めて少ない良質の薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０においてアーク放電にともなって発生したプラズマは、プラズマ分離部４０において斜め磁場により進行方向が曲げられ、パーティクルと分離される。そして、プラズマ移送部６０を介して成膜チャンバ３０に入り、基板３１上に膜を形成する。プラズマ移送部６０は、プラズマ分離部側接続部６２と、成膜チャンバ側接続部６７と、それらの間のパーティクル分離部６３とに分離されている。プラズマ分離部側接続部６２には−５Ｖ〜−１５Ｖの電圧が印加され、パーティクル分離部４３には接地電圧又は正の電圧が印加される。プラズマ中に含まれる正の電荷を有するパーティクルは、電気的引力によりプラズマから分離され、筺体内側のフィン６４２等に捕捉される。 （もっと読む）

【課題】素子面の損傷を防止することができる成膜装置、成膜方法、表面弾性波素子の周波数調整方法、及び表面弾性波フィルターの周波数調整方法を提供する。
【解決手段】イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、電極と、該電極に接続され電圧を印加する電源装置と、を有し、電極には、ハースから飛来する膜材料が有する電荷と逆の電荷を生じる電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】 ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられたユニポテンシャルレンズ４０と、その第２電極４２、第３電極４３に直流電圧Ｖ₁ 、Ｖ₂ を印加する直流電源６０とを備えている。そして、ユニポテンシャルレンズ４０の第１ギャップ５１、第３ギャップ５３の曲率中心の位置を、ビーム走査器の走査中心の位置と一致させており、第２ギャップ５２の曲率中心の位置を、走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側にずらしている。 （もっと読む）

【課題】 複数の磁石を必要とせず、磁石の表面の磁束密度を容易に均一化する磁石ホルダを備えるスパッタリング装置を安価に提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置が、プラズマガンと、プラズマ形成室と、一対の磁石１１Ａ，１１Ｂと、一対の磁石ホルダ２５Ａ，２５Ｂと、真空成膜室と、電磁コイルと、電源と、を備え、前記一対の磁石ホルダは、それぞれ、その有効主面に対向する第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂと、前記有効主面以外の部分に対向する第２の構成部材２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂと、を有し、第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂが磁性材料からなる。 （もっと読む）

【課題】
シートプラズマのシート形状を維持しつつ、シートプラズマの形状を調整できるシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係るシートプラズマ成膜装置１は、カソード１１を有するとともに円柱状のプラズマＰを出射するプラズマガン２と、円柱状のプラズマＰを挟んでシートプラズマＰを形成する永久磁石対７と、シートプラズマＰが導入されシートプラズマＰをその厚み方向に挟むようにターゲット１３と基板１４とが対向して配置される成膜室８と、シートプラズマＰが収束するアノード１２と、成膜室８に電流磁界を形成してシートプラズマＰをカソード１１側からアノード１２側へ輸送する電磁コイル５、６と、電流磁界が形成されると磁化されて成膜室８内に磁場を形成する磁性部材９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体の品質に悪影響を与えることなく、簡単な構造で、効率よくかつ高い精度でイオンビーム照射角度の調整を行うことができるイオン注入装置およびこれを備える半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】 イオン注入装置は、イオンビーム照射部と、遮断板と、イオン量測定部と、照射角度変更部とを含んで構成される。イオンビーム照射部は、イオンビームを形成し、基板を保持する基板保持部に向けて前記イオンビームを照射する。遮断板は、基板保持部に保持される基板の位置よりも前記イオンビームのイオンの流れ方向上流側の予め定める位置に設置可能である。遮断板には、貫通孔が形成される。貫通孔は、遮断板が前記予め定める位置に設置された状態において、予め定める方向の軸線を有する。遮断板は、前記イオンビームの少なくとも一部を遮断する。 （もっと読む）

【課題】 イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。かつ、プラズマ電極１２と各引出し電極片３０との間の電位差Ｖ_d を各引出し電極片３０ごとに独立して制御することができる引出し電源４２と、イオンビーム８のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するビームモニタ５６と、ビームモニタ５６からの測定データに基づいて引出し電源４２を制御して、上記電位差Ｖ_d をそれぞれ制御することによって、ビームモニタ５６で測定するビーム電流密度分布を均一に近づける制御を行う制御装置６０とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、カーボンの基材上に耐摩耗層を備えた基材をコーティングするための、下記ステップｉ）カーボンに対する親和性を有する物質を含む基材を準備し、ｉｉ）該基材の表面を洗浄し、ｉｉｉ）該基材上に金属含有層を堆積し、ｉｖ）該コーティングされた表面にイオン衝撃を加え、ｖ）表面上にカーボン層を堆積する、を備えたプロセスに関する。さらに、本発明は、基材表面上にダイヤモンドライクカーボンコーティングを備えた基材、および該発明を実施するための装置に関する。
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【課題】緻密で平滑かつ損傷がない高品質な薄膜を高速に形成できるイオンビームスパッタ成膜装置等を提供する。
【解決手段】成膜装置は、イオンビーム照射手段と、スパッタリングされる成膜物質を含むターゲット１０５と、スパッタリングされた成膜物質が析出する基板１０６を保持する保持手段１１２を有する。イオンビーム照射手段は、ターゲット１０５及び基板１０６のそれぞれにガスクラスターイオンを照射する。また、成膜装置は、ターゲット１０５を保持する保持手段と、基板１０６を保持する保持手段とを有している。成膜装置は、また、ターゲット１０５をスパッタリングするためにイオンビームを照射するイオンビーム発生手段と、イオンビームをターゲット１０５に照射するための偏向手段とを有している。イオンビーム発生手段はガスクラスターイオン源１０１を有しており、これによりクラスターが照射されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを下げ製造プロセスを簡略化しても追加の構成要素を必要としないで均一性を改良した高電流イオンビーム発生のための新しいシステム構成を提供すること。
【解決手段】本発明は多様な操作様式を有するイオン注入装置を開示する。それはイオン源およびそこからリボン状イオンビームを引き出すための引き出し手段を有する。イオン注入装置は質量スリットを通って基板に描出するため特定の質量対電荷を有するイオンを選択するマグネット分析機を含む。多極レンズがビームの均一性と平行を制御するために提供される。本発明は、第二の経路がエネルギー濾過を、組み入れ減速システムを組み込んだ２経路ビームラインをさらに開示する。本発明は、注入の様式がターゲットの１次元走査から２次元走査に、また単純な経路から減速を有するＳ状経路に切り替えることができるイオン注入の方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着による金属薄膜の形成において、２次電子等の被成膜面への到達を防止すると共に、陽イオンの被成膜面への到達を防止して、金属薄膜が帯電状態になることを回避する。
【解決手段】 基板１の被成膜面１ａに電子ビーム蒸着によってＡｌ等の金属薄膜を形成する成膜装置であって、成膜源２内に収容された金属材料３に電子ビーム発生器（電子銃）より電子ビームＥ_Ｂを照射させる電子ビーム照射手段４を備えると共に、成膜源２への電子ビーム照射によって発生する電子Ｅｓ及び陽イオンＰｏの進行軌道を被成膜面１ａへ到達しないように変更する電荷軌道変更手段５を備えている。 （もっと読む）

【課題】
特定のエネルギーを持ったイオンによるイオンビームを照射して膜を成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】
カソード１１とアノード１２との間に真空アーク放電を発生し、炭素イオンからなるプラズマを発生させる。そして、加速電極１３により、入射スリット板２１へ向かって加速される。入射スリット２１のスリット穴から入射されたイオンビーム２５は偏向電界２６により偏向される。特定のエネルギーを持った炭素イオンから構成されるイオンビーム２５は、出射スリット２２のスリット穴に収束し、そして出射スリット２２のスリット穴を通過する。そして、成膜室４の基板ステージ４１に装着された基板４２に照射される。 （もっと読む）

【課題】 低エネルギーでのビームの発散を抑制できるビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源１からのビームを、質量分析電磁石装置３、ビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置７ならびにビーム平行化装置、加速／減速装置を経て後段の角度エネルギーフィルター１８によりエネルギー分析を行なった後、ウエハ２３に照射するビーム照射装置において、前記ビーム平行化装置を静電式の減速パラレルレンズ１０で構成し、前記加速／減速装置を独立に高電圧を印加できる第１、第２のＡ／Ｄコラム電極１１、１２で構成し、前記減速パラレルレンズと前記第１、第２のＡ／Ｄコラム電極とを組み合わせることによって、低エネルギーでもビームの発散を抑え、前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームの平行度を良好に維持できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 基板に入射する際のイオンビームの平行度測定が可能で平行度の調整が容易なイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置において、走査器により走査されたイオンビームの空間分布を測定するイオンビーム分布測定装置３０と、このイオンビーム分布測定装置３０の上流側前面に配置され、イオンビーム分布測定装置３０の前面から取り外し可能で、かつ、複数の開口２２を有する遮蔽板２０と、この遮蔽板２０の複数の開口２２を透過したイオンビームの空間分布を測定することにより、当該複数の領域でのイオンビームの平行度を検出する電気回路等の平行度検出機能とを有し、基板に入射するイオンビームの平行度を測定する平行度測定装置１０を備えた構成とした。
また、平行化電磁石の一方の縦ヨークに、平行化電磁石の主励磁コイルとは独立に励磁電流の調整が可能な補助コイルを取り付けると、平行度の調整が容易になる。 （もっと読む）

【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 （もっと読む）

本発明のコーティング装置は、プロセス・チャンバを含み、カソード・スパッタリングにより基板を被覆する。プロセス・チャンバは、ガス雰囲気を調整・維持するプロセス・ガス注入口及び排出口と、アノードと、スパッタリングされるべきターゲットを有するカソードと、アノードとカソードの間に電圧を発生させる電力源とを有し、電力源は、カソードのターゲット材料をスパッタリングして蒸気に変える電気的スパッタリング源を含む。イオン化電圧を発生させるイオン化手段が、スパッタリングされたターゲット材料の少なくとも一部をイオン化するように設けられる。磁気案内要素を有するフィルタ装置が設けられ、スパッタリングされイオン化されたターゲット材料が磁気案内要素を通って、基板表面に供給され、スパッタリングされたイオン化されていないターゲット材料が、基板の表面に到達する前にフィルタ装置によって取り除かれる。
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