【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】１層あたりの熱容量が０．４Ｊ／ｈ以上２．０Ｊ／ｈ以下となるように、長尺状の基材１１を加熱する加熱工程と、ＣＶＤ法を用いて加熱状態の基材１１上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材１１を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なＣＶＤ装置、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】 ２枚の遮蔽板によってテープ状基材の走行方向に３分割された反応室と、これら２枚の遮蔽板で挟まれた成長領域に原料ガスを噴出する原料ガス噴出部と、反応室内のガスを排気するガス排気部と、テープ状基材を加熱するサセプタと、遮蔽板とサセプタの間に形成されたテープ状基材が走行するための開口部を備え、反応室内でサセプタ直上を走行するテープ状基材の表面に原料ガスを供給し化学反応させることにより、このテープ状基材の表面に超電導薄膜を成膜するＣＶＤ装置において、サセプタに略直角に遮蔽ガスを噴出する遮蔽ガス噴出部を備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板の反りの発生を抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、気相成膜法により基板（２５）上に膜を成膜する成膜装置であって、基板（２５）を基板（２５）の面方向に摺動可能に保持する保持手段（１０）を備えることを特徴とするものである。本発明に係る成膜装置によれば、基板（２５）は、保持手段（１０）によって基板（２５）の面方向に摺動可能に保持されている。この場合、基板（２５）と膜との間の熱膨張率差に起因する応力が基板（２５）の摺動によって分散される。それにより、基板（２５）の反りが緩和される。その結果、膜に欠陥が生じることが抑制される。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤで使用するための希土類金属前駆体であって、一般式ＯＣＲ^１（Ｒ^２）ＣＨ_２Ｘ（式中、Ｒ^１は水素またはアルキル基を示し、Ｒ^２は任意に置換されたアルキル基を示し、ＸはＯＲ及びＮＲ_２（式中、Ｒはアルキル基または置換アルキル基を示す）から選択される）で表される配位子を有する。また、前駆体の製造方法と前駆体を使用した金属酸化膜の成膜方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】 所望の組成を有する多成分系のランタニド系複合酸化物薄膜を安定して得る。
【解決手段】 ランタニド系金属及び他の金属を含む薄膜製造用ＣＶＤ原料であり、Ｌｎ（β−ｄｉｋ）₃・Ｌ・・・（Ｉ）で示される化合物（但し、Ｌｎはランタニド系金属原子、β−ｄｉｋはジピバロイルメタン（ＤＰＭ）、ジイソブチリルメタン、イソブチリルピバロイルメタン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジオン（ＴＭＯＤ）、アセチルアセトン、６−エチル−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン及び５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン等のβ−ジケトン類、Ｌは１，１０−フェナントロリン、２，２'−ビピリジル及びそれらの誘導体等の中性配位子。）並びに他の金属を含む有機金属化合物を溶媒に溶解して得られ、式（Ｉ）の化合物を熱重量天秤分析（ＴＧ）にかけて得られるΔＴＧグラフは１つの気化点ピークのみを有するＣＶＤ原料及びこれを用いた薄膜の製造方法。 （もっと読む）