【課題】アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置１の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】フロント壁９の内壁面及びリア壁１１の内壁面に、片側に基板Ｗからの輻射熱を吸収可能な吸収面４５ｆを有しかつ基板を冷却する冷却パネル４１が垂直にそれぞれ配設され、天井壁１５の内壁面における隣接する各基板エリアＡ間に、両側に基板Ｗから輻射熱を吸収可能な吸収面６３ｆをそれぞれ有しかつ基板Ｗを冷却する複数の中間冷却パネル６３が垂直に吊設され、中間冷却パネル６３がその上端側の水平な揺動軸心Ｃ周りに揺動可能になっていること。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内の部材を支持する軸線方向に移動可能な棒状の支持部材をその軸線に直交する軸回りの自由度を含む所定数の自由度を持ってチャンバ外壁に傾動自在に連結する真空メカニカルジョイントであって、支持部材用のアクチュエータを真空チャンバの外部に配置し、且つ、真空チャンバの気密性も確保できるものを提供する。
【解決手段】チャンバ外壁１３に固定され、支持部材７が遊挿される孔８１３を有する固定ジョイント部材８１と、固定ジョイント部材８１に、チャンバ外壁１３の外側で所定数の自由度を持って傾動自在に連結される可動ジョイント部材８３とを備える。支持部材用のアクチュエータ８４を可動ジョイント部材８３に搭載する。また、支持部材７が挿通される可撓性及び伸縮性を有する筒状隔壁８５を設け、その一端部を孔８１３に連通する状態で固定ジョイント部材８１に気密に固定し、他端部を支持部材７に気密に固定する。 （もっと読む）

【課題】成膜対象の被成膜面に施される薄膜の均一性を向上して成膜精度を向上する。
【解決手段】真空状態に減圧可能な成膜室１０にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバ１と、高周波電源の給電側に接続可能な給電側電極棒および高周波電源の接地側に接続可能な接地側電極棒が対向配置されるとともに、両電極棒の基端が真空チャンバに固定され、両電極棒の先端が電気的に接続されてなり、高周波電源からの電力供給により成膜室内でプラズマを発生させるアレイアンテナユニット３０と、基板Ｗの被成膜面を両電極棒に対向させて保持可能な基板保持部材６３と、を備える。基板保持部材に保持された基板Ｗの被成膜面と電極棒との対向間隔は、両電極棒の先端よりも基端の方が大きくなる関係を維持している。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法において、リアクタの割れを抑制し、高品質な単結晶体を得ることが可能な単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガス５の供給方向と対向した下面に第１の開口２ａと、上面に前記第１の開口２ａよりも小さい第２の開口２ｂと、内壁面に種基板４を設置するための斜面２ｃと、を有し、前記第２の開口２ｂから前記第１の開口２ａに向かって先細りとなる錐台形状を示す貫通孔３を具備するサセプタ１に対して、前記第１の開口２ａから前記原料ガス５を前記種基板４に供給し、前記種基板４を通過した前記原料ガス５を、前記第２の開口２ｂから前記サセプタ１の外に放出させる。これにより、サセプタ１の外周に設けられたリアクタ７に原料ガス５が流れることが抑制されるため、リアクタ７の割れが低減し、結果として長時間の単結晶体成長が可能となるので、バルク状の高品質な単結晶体が得られる。 （もっと読む）

【課題】製膜に寄与しなかったガスが基板周辺へ向かう排気ガス流れを低減して放電電極間スリットから排気する排気ガス流量を増加させることにより、製膜条件の分布による基板周辺の膜質低下を抑制した真空処理装置を提供する。
【解決手段】放電電極６から製膜ガスを噴出し、放電電極６のプラズマ雰囲気で製膜ガスの分解及びラジカル生成を行って基板に真空プラズマ処理を行う真空処理装置１Ａが、基板テーブルと放電電極６との面間距離を狭めるガスブロックバリア材３０を基板から所定の距離が離れた前記基板テーブルの周縁部に取り付け、プラズマ雰囲気から基板の端部を経て防着板７の背面へ、または真空排気部へ流出するガス流れの流路面間幅を狭めて、ガス流れ流路の圧力損失を増加させるガスブロックバリア構造部を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を同時に表面処理する場合に、全ての基板の表面を均一に処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板１１２を傾斜させて、かつ、間隔をあけて垂直方向に積層保持する縦型基板保持具と、前記複数の基板の間隔よりも狭い間隔で垂直方向に配置された複数のガス導入口１５７と、を備え、前記縦型基板保持具を、その長手方向を回転軸として回転させる事で、傾斜した前記基板面に衝突したガス流が攪拌されて全ての基板に均一に原料ガスが供給された後に垂直方向に配置された複数のガス排気口１５８から排気される。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】給電コネクタの屈曲部に生じる隙間の変化を最小限に抑え、給電コネクタを流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して、信頼性や耐久性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２外に配置された高周波電源から整合器１０ａ，１０ｂを介して真空処理室２内に配置された放電電極６に給電される高周波伝送路において、前記整合器１０ａ，１０ｂと前記放電電極６との間に略９０度の方向転換をして接続されている給電コネクタ９ａ，９ｂが配設された製膜装置１において、給電コネクタ９ａ，９ｂの方向転換が滑らかなＲ形状の屈曲部Ｒにより行われている。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化しながら、放電電極における反射電力を抑制して、薄膜製造装置の設備コストの低減を図ることを目的とする。
【解決手段】高周波電源１７ａ，１７ｂからの高周波電力が供給される給電点５３，５４を両端部にそれぞれ有し、高周波電力により対向電極２との間にプラズマを形成する放電電極３ａ〜３ｈと、放電電極と高周波電源とを電気的に接続し、高周波電源から出力される高周波電力を放電電極の各給電点にそれぞれ伝送する伝送線路と、伝送線路に接続された整合器３ａｔ〜３ｈｔ，３ａｂ〜３ｈｂと、伝送線路における整合器と放電電極の各給電点との間にそれぞれ接続点を設け、接続点を電気的に接続するループ回路２０と、ループ回路に接続された第１のインピーダンス素子と、伝送線路の接続点と放電電極との間に接続された第２のインピーダンス素子とを備える。 （もっと読む）

半導体製造工程でウェーハ上に膜を形成するなどの各種工程で使われる半導体製造装置を開示する。チューブは、内部に工程空間を有し、一側に排出口を有する。ボートは、チューブの下側開口を通じて出入り可能になる。サセプタは、ボート内に上下に互いに離隔して支持され、それぞれの回転中心に中央ホールが形成され、それぞれの上面に中心周りに沿ってウェーハが多数載置される。供給管は、ボートの上側からサセプタの各中央ホールに貫設され、外部から供給された工程ガスをサセプタの各上面に噴射する噴射口が形成される。これにより、一回に工程処理することができるウェーハの数量を増加させ、工程処理時間を短縮し、あらゆるウェーハ上に均一な膜を形成しうる。
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【課題】基板保持具の姿勢を検知することで、該基板保持具の傾きを起因とした該基板保持具と基板の破損を未然に防ぐ基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、該処理室で基板を保持する基板保持具１４と、該基板保持具を載置する載置部と、該載置部に対して相対回転可能に設けられ相対回転により前記基板保持具を係合解除可能なロック部材と、該ロック部材と前記載置部とを相対回転させる回転部と、該回転部の回転動作を検出する検出部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】地絡を防止しつつ、大型の放電電極を安定して保持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜処理が施される基板に沿って延びるとともに基板と対向して配置され、かつ、高周波電流が供給される放電電極６と、基板とともに放電電極６を挟む位置に配置されるとともに、放電電極６に沿って延び、かつ、共通電位に接地された電極支持部３１と、電極支持部３１から放電電極６に向かって延びるとともに放電電極６を保持し、かつ、放電電極６および電極支持部３１と電気的に接続された導電性を有する突出部４１と、が設けられ、突出部４１は、放電電極６および電極支持部３１との間で所定のインダクタンスを有する回路を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の膜質を安定させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部で製膜処理が行われる真空容器と、製膜処理が施される基板Ｓが載せられる基板テーブル１２と基板Ｓおよび基板テーブル１２における温度分布を所定の範囲内に制御する基板ヒータ１３と、基板テーブル１２の基板Ｓと接する面における複数の箇所の温度を測定する温度測定部２３−１から温度測定部２３−９と、基板Ｓが基板テーブル１２に載せられて、基板Ｓの温度分布を均一化させる温度安定化期間が終了する前に、基板Ｓに対して製膜処理を開始させる制御部６と、が設けられ、制御部６は、複数の箇所における温度の間での温度差に基づいて、安定化期間の長さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 炭素質基材１０の一部に凹状のマスキング部１０ａが形成され、このマスキング部１０ａにマスキング冶具７を嵌め込んだ状態で、内部にガスを導入することにより、マスキング冶具７により覆われた部位を除いた炭素質基材１０の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置において、上記マスキング冶具７を被膜形成用冶具２に固定することにより、上記炭素質基材１０を被膜形成用冶具２で支持し、且つ、鉛直軸９に対する上記炭素質基材１０の主面の角度が２°となるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固定電極での生成物の落下による欠陥の発生の無い、高品質なダイヤモンド等の気相成長膜を得ることができる直流プラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いた高品質ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、固定電極と、基板を載置するための電極を兼ねる基板ステージと、を有する直流プラズマＣＶＤ装置であって、前記固定電極の中心から鉛直方向に延ばした線上に前記基板ステージが位置せず、かつ前記基板ステージ中心と前記固定電極中心とを結ぶ直線と、前記鉛直方向に延ばした線との成す角が、９０°以下であることを特徴とする直流プラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の巻きズレを確実に修正することによって基板のシワの発生を防止可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】フィルム形状の表面を垂直方向に沿わせた状態で搬送される可撓性基板（以下、「基板」という）２を成膜する薄膜形成装置１，４１であって、垂直方向に沿った回転軸１１ａ中心に回転することによって基板２を巻取り可能に構成される巻取りコア１１と、垂直方向に沿った回転軸１２ａ中心に回転可能に構成され、かつ基板２を巻取りコア１１に向けてガイドするように巻取りコア１１より基板２の搬送方向上流側に配置されるガイドロール１２と、基板２の縁部分を検出し、かつガイドロール１２より基板２の搬送方向上流側に配置されるセンサ１３とを備え、巻取りコア１１、ガイドロール１２およびセンサ１３が、共に、センサ１３により検出された基板２の縁部分の位置変化に対応して基板２に相対して垂直方向に移動可能に構成される、薄膜形成装置１，４１。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈを備え、前記放電電極３ａ〜３ｈのうち、ガス流量の調整を必要とする放電電極３ａ，３ｈは、第１の原料ガス配管１６ａを介して、原料ガスの流量を調整する第１の流量制御器ＭＦＣ１を備えた第１のガス供給系Ｇ１に接続され、その他の放電電極３ｂ〜３ｇは、第２の原料ガス配管１６ｂを介して、原料ガスの流量を調整する第２の流量制御器ＭＦＣ２を備えた第２のガス供給系Ｇ２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板と接地電極の密着性を向上させ、又、基板処理において、プラズマを安定に発生させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の電極棒が梯子状に組み立てられた構成を有する放電電極１７と、放電電極１７と対向するように配置された接地電極１３と、放電電極１７の接地電極１３と反対側に放電電極１７を覆うように配置された防着板１８と、防着板１８から接地電極１３の方向へ延びるように形成された基板押さえ棒５０とを具備し、基板１６は、放電電極１７に対向するように接地電極１３により支持され、基板押さえ棒５０は、基板１６の端部を接地電極１３に押さえ付け、放電電極１７と接地電極１３の間の領域にプラズマを発生させることにより基板１６に半導体膜を蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】基板を垂直に保持する構成や基板を水平に配置する構成においても活性化あるいは分解によって生成された堆積種を基板面内に均一に堆積させることができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー５ａ，５ｂの基板保持面側と逆側の背面に反応ガス溜め込み容器８ａ，８ｂを設けて、前記基板ホルダーの背面と基板保持面との間を貫通するようにして複数のガス噴出し孔７を形成し、前記ガス導入系から前記反応ガス溜め込み容器内に反応ガスを導入して、前記反応ガス溜め込み容器内に溜め込んだ反応ガスを前記ガス噴出し孔から前記触媒体３に向かって噴出することにより堆積種とし、前記基板ホルダー上に設けられた前記基板６に堆積させるように構成し、前記反応ガス溜め込み容器８ａ，８ｂの容積を可変とした。 （もっと読む）

【課題】加熱による変形を抑制できる載置台、載置台を備えるＣＶＤ装置並びにレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 載置台が、基板が載置される第１面と、第１面の反対側に設けられる第２面とを有する載置板と、載置板の第２面側に配置され、載置板を支持する第１及び第２中間部材と、第１及び第２中間部材を挟んで載置板の反対側に配置され、第１及び第２中間部材を支持する支持部と、載置板を加熱する加熱部とを備え、第１中間部材は第２面に沿って配置され、第１中間部材は第１接続点において第２面に接続され、第２中間部材は第２接続点において第２面に接続され、支持部は第３接続点において第１中間部材に接続されており、第２面に略平行な投影面上において、第１接続点は、第３接続点よりも第２接続点から離れている。 （もっと読む）