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Fターム[4K030GA11]の内容

CVD (106,390) | 基体の支持、搬送 (3,879) | 搬送 (1,186)

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基体の搬送 (1,157)

Fターム[4K030GA11]に分類される特許

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【課題】試料の大口径化に対応しつつ、製造コストの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない真空処理装置を提供する。
【解決手段】1つのカセットブロックと複数の真空処理ブロックとを有する真空処理装置であって、前記カセットブロックは、試料を収納したカセットを載置するカセット台と前記試料を搬送する第一の試料搬送手段とを有し、前記真空処理ブロックの各々は、ロードロック室と真空下において前記試料を処理する真空処理室と真空下において前記試料を搬送する第二の試料搬送手段とを有し、前記カセット台は、前記真空処理装置のフロント部に配置され、前記第一の試料搬送手段は、前記カセットと前記真空処理ブロックの各々が有する前記ロードロック室との間において前記試料を搬送する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理時及びその前後には被処理材(基板)を確実にトレイに固定して処理性及びハンドリング性を上げるとともに、必要な時には容易に基板をトレイから剥離することができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】トレイ上に載置した基板を支持台上に載置して、基板の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、トレイと基板を熱剥離接着部材で接着する。熱剥離接着部材としては、発泡剥離性シートを好適に用いることができる。熱剥離接着部材は通常は粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイと基板が確実に固定され、良好なハンドリング性が得られる一方、処理後はトレイを所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板はトレイから容易に剥離する。 (もっと読む)


【課題】 真空処理室への水分の混入を確実に防止することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理室10とロードロック室20との間には、それぞれ弁体31a,31bを有するゲートバルブ30a,30bが二重に配備されている。また、ロードロック室20には、コンダクタンスの異なる3本の排気管21,22,23が接続されており、それぞれ開閉弁62,63,64を介して真空ポンプ60に接続されている。また、ロードロック室20の内部にNガスを導入するNガス供給源26も接続されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理空間への外気の混入を防止する大気圧プラズマ処理装置の提供。
【解決手段】大気圧下でプラズマ処理空間を形成する一対の電極ユニット20と、電極ユニット20どうしの対向方向と垂直な方向に被処理基板100を前記プラズマ処理空間に搬送する搬送手段と、前記プラズマ処理空間を収納し、被処理基板100が出入りするための入口および出口を有する閉鎖空間1とを備え、前記搬送手段は、閉鎖空間1の外側に設置され被処理基板100を閉鎖空間1に入口および出口を介して搬入・搬出する搬送部10と、閉鎖空間1の内部に設置され被処理基板100を移動可能に支持する支持部30とを備え、閉鎖空間1には被処理基板100の搬送中に閉鎖空間を外気から遮へいするガスカーテンユニット50が設置され、支持部30が外気に接触することがない。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハ上への微粒子などの異物の付着を防止し、半導体装置の製造歩留りを向上する。
【解決手段】 真空ポンプ8aと接続された処理室2と、真空ポンプ8bおよびマスフローコントローラ9と接続された搬送室4と、処理室2−搬送室4間のゲートバルブ3aとを備えるプラズマCVD装置1において、搬送室4の圧力をマスフローコントローラ9からの不活性ガスで制御し、処理室2の圧力より搬送室4の圧力を高くした後、ゲートバルブ3aを開ける。 (もっと読む)


【課題】ボートエレベータのスムーズな昇降作動を確保する。
【解決手段】ウエハ1群をボート13に保持して処理する処理室20と、処理室20の真下に形成されボート13が待機する待機室12と、ボート13を支持した昇降台43を昇降させて処理室20に搬入搬出するボートエレベータ23とを有し、有機物質による汚染を防止するためにボートエレベータ23が待機室12の外部に設置されたロードロック式熱処理装置において、ボートエレベータ23は待機室12に挿通し昇降台43を支持する昇降軸31と、昇降軸31の内側に同心円に配置されて昇降軸31を昇降させる送りねじ軸28とを有する。送りねじ軸および駆動軸に作用するモーメントを抑止できるので、ボートエレベータのスムーズな昇降作動を確保できる。 (もっと読む)


【課題】
基板処理装置の高さを増大させることなく、排気コンダクタンスを増大させ、処理室の圧力を低下させて基板に対する処理が行える様にする。
【解決手段】
基板50を収容し、該基板上に所望の膜を生成する処理室85と、該処理室に所望のガスを供給するガス供給手段と、前記処理室と開口54を介して気密に連設する気密室43と、該気密室に直接取付けられる排気装置59とを具備し、前記処理室の雰囲気を前記排気装置により排気する様にした。
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【課題】 フットプリントを増やすことなく運搬容器の保管数量の増大が図れ、スループットの向上が図れる縦型熱処理装置及びその運用方法を提供する。
【解決手段】 複数枚の被処理体wを収納した運搬容器2を搬入搬出するための搬入搬出部3,4と、該搬入搬出部3,4から搬入された複数の運搬容器2を保管する第1保管部5と、多数枚の被処理体wを多段に保持した保持具6を収容して被処理体wに所定の熱処理を施す熱処理炉7と、前記保持具6と運搬容器2との間で被処理体wの移載を行うために運搬容器2を載置する移載部8とを備えた縦型熱処理装置1であって、前記搬入搬出部3,4を上下2段設けると共に、上段と下段の搬入搬出部3,4間に運搬容器2を保管する第2保管部20を設けている。前記搬入搬出部3,4の何れかが運搬容器2を保管する第3保管部30とされる。 (もっと読む)


【課題】 基板を開放するための方法及び装置の提供。
【解決手段】 一実施形態においては、基板支持アセンブリが内部容積内に配置された、接地されたチャンバ本体を含む処理チャンバが提供される。チャック開放回路によって、基板支持アセンブリが接地又は電源に選択的に結合されている。本発明の他の実施形態においては、基板を開放する方法は、接地された基板支持アセンブリ上に配置された基板上でプラズマプロセスを完了するステップと、基板支持アセンブリを接地から切断するステップと、基板支持アセンブリにチャック開放電圧を印加するステップとを含んでいる。 (もっと読む)


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