【目的】シリコン基板上に高品質の化合物半導体を結晶成長することを可能とする。
【構成】 この改善策として、シリコン基板に薄い異種半導体結晶を結晶成長させ、その上から酸素のイオン注入を行うことによりシリコン表面を酸化させてSiO₂を形成させる。熱処理によって異種半導体を結晶化させ、その上に必要な厚さの異種半導体及びその半導体で構成される半導体装置を結晶成長させる。 （もっと読む）

高いガスバリア性能を持ち、環境耐久性に優れ、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しない透明ハイバリアフィルムが生産性良く提供される。基材の製造方法として、支持体上に少なくとも有機層および無機層を有する基材の製造方法において、前記無機層が、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し前記放電空間に高周波電界を印加し前記ガスを励起し基材を励起した前記ガスに晒すことで形成され、前記高周波電界は、第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳したものであり、前記第１の高周波電界の周波数ω１より前記第２の高周波電界の周波数ω２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２と放電開始電界の強さＩＶとがＶ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であることを特徴とする基材の製造方法である。 （もっと読む）