【課題】カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素であって、下側導体と称する初期導体２１０と、前記初期導体に配置された誘電層２３０と、前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体２２０と、一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞２４０とを含む、要素に関連する。上側導体２２０は下側導体２１０の上方にブリッジを形成しており、空洞２４０はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント２４３を形成している。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）

【課題】薄膜の屈折率と薄膜に添加される希土類元素の量とを独立して制御して薄膜を形成できる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜形成装置は、プラズマ生成室とスパッタリング室とが互いに異なる位置且つ前記基板台上に固定された基板表面を見込める位置で前記成膜室に接続されている。さらに、本発明に係る薄膜形成装置は、薄膜の形成に使用されるプラズマとは別に薄膜に添加される希土類元素のスパッタリングのためのプラズマを発生させている。そのため、両プラズマ間に干渉が無く、薄膜の屈折率に影響のあるプラズマ生成室のプラズマのガス条件とスパッタリングのための電力とを独立して制御でき、薄膜を形成させつつ希土類元素のスパッタリングをすることができる。 （もっと読む）

【課題】 複数の処理室を有する基板処理装置において、セルフガスクリーニングのタイミングを調整し、成膜処理数を増加させる。
【解決手段】 基板の搬送を行う搬送手段を有する搬送室２と、この搬送室２に連接される少なくとも一つの予備室（ロードロック室Ｌ１）と、前記搬送室２に連接され、前記基板に成膜処理又はクリーニング処理を施す複数の処理室Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と、前記各処理室Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３において、前記成膜処理と前記クリーニング処理とが繰り返されるように制御する制御手段（コントローラ５）と、を有し、前記制御手段が、全ての処理室で同時に成膜処理を行わせずに、前記複数の処理室Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち、所定数の処理室でのみ成膜処理を行わせ、他の処理室はクリーニング処理を行わせるように構成される。 （もっと読む）

【課題】優れた耐屈曲性、耐熱性およびガスバリア性を兼ね備えた積層フィルムを提供することにある。
【解決手段】基板フィルム上に少なくとも１層の無機層（Ａ）と、少なくとも１層のアモルファスカーボンを主成分とするアモルファスカーボン層（Ｂ）とを有し、少なくとも１層の前記アモルファスカーボン層（Ｂ）の表面における（酸素原子数／炭素原子数）の比が０．０１以上であることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に、しきい値特性のシフトを生じないリーク電流特性に優れたＨｆＳｉＯ_４膜を形成する。
【解決手段】 希フッ酸処理したシリコン基板表面に、Ｈｆと窒素を含む有機金属原料を供給し、ＨｆＮの核形成を行い、前記核形成工程の後、前記シリコン基板表面に、Ｈｆを含む有機金属原料とＳｉを含む有機原料とを供給し、Ｈｆシリケート膜をＣＶＤ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルかつ十分なバリア性能および耐熱性を有するガスバリアフィルム、耐久性と軽量化とを両立させた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に、少なくとも一層の無機物からなるバリア層と少なくとも一層の有機層とを交互に有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層の少なくとも一層が原子層デポジッション法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ法）によって形成されたことを特徴とするガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性と水蒸気バリア性が向上した粘土薄膜基板、および、その粘土薄膜基板を用いた表示素子を提供する。
【解決手段】粘土薄膜基板は、粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜１１の少なくとも片面に、ガスバリア無機質層１２が積層されている。また、他の粘土薄膜基板においては、粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜の少なくとも片面に、平坦化無機質層が積層され、該平坦化無機質層の上に、ガスバリア無機質層が積層されている。ガスバリア無機質層は、窒素を含む酸化珪素膜よりなり、平坦化無機質層は、炭素を含む酸化珪素膜よりなる。これらの粘土薄膜基板は、エレクトロルミネッセンス表示素子および液晶表示素子の基板に好適に使用できる。 （もっと読む）

連続的堆積処理でＳｉ膜を成膜する方法が供される。当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する工程、前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する工程、及び前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングすることによって前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程、を有する。Ｓｉ膜は基板上に、選択的又は非選択的に堆積されて良い。堆積は自己制限的であっても良いし、非自己制限的であっても良い。他の実施例は、連続的堆積処理でＳｉＧｅ膜を成膜する方法を供する。
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【課題】 本発明の目的は、ＯＮＯ構造の積層膜を形成する場合において、重複する操
作を極力省くと共に、重複する操作の時間を極力短縮することにより、スループットを向
上させることのできる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板１を反応炉２０内に搬入する工程と、反応炉２０内で基板１上に酸
化膜と窒化膜の積層膜を形成する工程と、積層膜形成後の基板１を反応炉２０より搬出す
る工程とを有し、積層膜形成工程では、反応炉２０内の圧力を大気圧よりも低い圧力とし
た状態で、反応炉２０内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を
含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空けて交互に供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、このIII族窒化物半導体層の形成方法を用いたIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 サファイア基板１０上に形成されるマスク１１の被覆部１１１の被覆部１１１の断面形状を略台形形状とし、被覆部１１１の断面形状がサファイア基板１０側から上方に向かって幅狭となるようにする。また、マスク１１の開口部１１２の断面形状は、サファイア基板１０側から上方に向かって幅広となるようにする。マスク１１の開口部１１２からＧａＮ半導体層を成長させ、ＧａＮ基板を得る。 （もっと読む）

【課題】真空装置を不要にして全体としてコンパクト化及び低コスト化を実現できるＡＬＤによる湿式成膜方法および装置を提供すること。
【解決手段】本ＡＬＤによる湿式成膜方法は、ＡＬＤによる膜形成用の原料液体を、該原料液体の沸点以下の温度範囲で昇温した基板表面に大気圧下で接触させる工程と、前記基板表面から前記原料液体を除く工程と、前記ＡＬＤによる膜形成用の酸化剤液体又は窒化剤液体を、該酸化剤液体又は窒化剤液体の沸点以下の温度範囲で昇温した前記基板表面に大気圧下で接触させる工程と、前記基板表面から前記酸化剤液体を除く工程と、を１サイクルとして基板表面に１原子層の薄膜が形成され、前記サイクルを繰り返すことで多原子層の薄膜が形成されること。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼からなる装飾品で、耐食性が高く、ニッケルの溶出が極めて少なく、耐傷付き性に優れた白色被膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼からなる装飾品用基材と、該基材表面に湿式メッキ法で形成されたバリアー層と、該バリアー層の表面に乾式メッキ法により形成された下地層と、該下地層の表面に乾式メッキ法により形成された耐摩耗層、および該耐摩耗層の表面に乾式メッキ法により形成された最外層からなる発色層とから構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、エッチング性に優れ、低抵抗値、高い透過率、良好な表面平滑性を併せ持つ透明電極及び透明電極の製造方法を提供することである。
【解決手段】 透明基材上に透明高屈折率層と金属粒子とを交互に積層し、総膜厚が３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であって、かつ表面抵抗値が１Ω／□以上、１３Ω／□以下であることを特徴とする透明電極。 （もっと読む）

白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐摩耗性に優れるとともに靭性にも優れた酸化物被膜を有する表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、該被膜は、硼窒化チタンからなる第１被膜と、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、およびこれらの２以上を主成分とする固溶体からなる群から選ばれる少なくとも１種によって構成される第２被膜とを含み、該第１被膜は、上記基材と上記第２被膜との間であって、上記第２被膜の直下に位置し、該第２被膜は、少なくとも切削に関与する部位において圧縮応力を有することを特徴とする表面被覆切削工具に係る。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブを用いることなく簡素な構造により、固定空間を複数の処理を行える個別空間に区分する機能を備えると共に、ダストや付着物のメンテナンスを大気開放することなく行える真空薄膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０５を搬送するトレー１０４に、トレー仕切り板２０１と、容器側仕切り板２０２とトレー防着板３０１を備え、搬送により真空容器１０１を個別空間に区分することにより、各処理源１０２の付近の空間を容易な構造で処理空間２０３を形成することが可能となる。 （もっと読む）

磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜（１３）と、陽極酸化アルミナ膜（１３）の上部表面及び細孔（１４）の内壁に形成された炭素層（１５）と、細孔（１４）の炭素層（１５）を介して内部に形成された磁性粒子（１６）と、炭素層（１５）及び磁性粒子（１６）の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層（１５）により陽極酸化アルミナ膜（１３）の表面及び細孔（１４）の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜（１３）を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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【課題】 圧力の制御性を低下させることなく圧力差の大きく異なる複数の処理を行なうことを可能とする真空装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバーと該真空チャンバーにガスを供給する手段と該真空チャンバーを排気する排気手段とを有する真空装置において、前記排気手段は、第一の圧力で処理を行なうための第一の排気手段１２４と第二の圧力で処理を行なうための第二の排気手段１２６とを有し、第二の圧力で処理を行なう際には第一の排気手段１２４は停止させ、かつ第一の排気手段１２４を通して真空チャンバーを排気することが可能なように第二の排気手段１２６が第一の排気手段１２４より下流に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 自動生産効率の向上及び障害発生時のリカバリ処理の短縮を可能とする。
【解決手段】 第１の制御手段（主制御部１２）と第２の制御手段１１とを有する。主制御部１２は、装置本体のサブユニット１３を制御し、主制御部１２とサブユニット１３との間で送受信される第１の通信電文をロギングする。第２の制御手段１１は、主制御部１２とホストコンピュータ１０との間に介在され、ホストコンピュータ１０と主制御部１２との間で送受信される第２の通信電文をロギングする。第２の制御手段１１は、主制御部１２によりロギングされる第１の通信電文を受け取ることにより、この受け取った第１の通信電文を第２の制御手段１１によりロギングされる第２の通信電文の入出力状態であって、ホストコンピュータ１０、第２の制御手段１１、主制御部、及びサブユニット１３間の入出力状態をディスプレイ１１ｂに表示する。 （もっと読む）