【課題】 内部に残留する液体原料を確実に気化させて液残りの発生を抑制することが可能な気化装置を提供する。
【解決手段】 圧送されてくる液体原料を減圧雰囲気中にて気化させると共に、発生した原料ガスをキャリアガスにより搬送するようにした気化装置において、前記圧送されてくる液体原料を一時的に貯留する液溜め室７０と、前記液溜め室に弁口６６を介して連通された気化室６２と、前記弁口を区画する弁座に前記液溜め室側から着座可能に設けられた弁体７２と、前記弁体を駆動するアクチュエータ手段８１と、前記弁体に前記弁口を臨むようにして設けられたキャリアガス噴射口９２を有するキャリアガス導入手段９０と、前記気化室内の原料ガスを排出する排出口２８とを備える。これにより、内部に残留する液体原料を確実に気化させて液残りの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置において、装置の異常を確実に検出すること。
【解決手段】 第１の監視対象とこの第１の監視対象の大きさに影響を与える第２の監視対象とについて、第２の監視対象の値を種々変えることにより得られた両者の値の組に基づいて、２軸座標系に両者の値の相関データを作成する。バッチ式の成膜処理装置の場合であれば、第１の監視対象及び第２の監視対象は夫々例えば累積膜厚及び圧力調整バルブの角度である。この相関データに基づいて２軸座標系に正常領域と異常領域との境界を定めた境界データを作成し、両者の値で決まる相関データの位置が異常領域に入っていれば異常と判断する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて装置の小形化を図ることができるとともに、製造コストの低減を図ることのできる真空処理装置用開閉機構及び真空処理装置を提供する。
【解決手段】エアシリンダ４８によって、第１のラック４４を上昇させると、第１のガイド部材５２が上昇するとともに、ピニオン４２が回転しながら第１のラック４４の１／２の速度で上昇する。弁体支持部材３３が、ガイド機構３９によって制限された最上部まで上昇すると、第１のガイド溝５３によって回転軸４０が水平方向に移動し、弁体支持部材３３がガイド用突起３６を軸として回転し、第１の弁体３１が水平方向に移動して開口部を閉塞する。 （もっと読む）

【課題】真空容器１全体としての材料コストの低減を図る。
【解決手段】 容器本体３は、内部が真空ポンプ５に接続可能であって、容器本体３の一側に開口部７が形成され、容器本体３に開口部７を開閉する蓋部材９が着脱可能に設けられ、蓋部材９に、真空ポンプ５の排気作動によって容器本体３の内部を真空状態にしたときに、大気圧による外力を容器本体３の内側から受けるサポート部材１７が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】 真空処理装置の装置停止時間を短縮すること。
【解決手段】 真空処理装置１００は、ロード／アンロード室１０とプラズマ処理室２０とが連結されており、プラズマ処理室２０は、上面に開口部Ａを有する真空容器２０ａと開口部Ａを開閉する平板状の上蓋３０とを備えている。上蓋３０の下面（真空容器２０ａ側）および上面には、それぞれ同一の真空処理用機器３１ａおよび３１ｂが表裏対称的に配置されている。上蓋３０を昇降機構４０により上昇させ、回転機構５０により回転軸５４廻りに１８０°回転させ、昇降機構４０により下降させることにより、真空処理用機器３１ａと３１ｂの位置を上下反転し、真空処理用機器３１ａのメンテナンスと並行して真空処理用機器３１ｂを用いた真空処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】混合ガスの配分比率を変化させながら行うＣＶＤ法による酸化珪素薄膜の成膜において、成膜中に有機シリコーンガスと酸化力を有するガスの流量が所定の流量に達するまでの時間を短くなるようにすることにより、成膜チャンバー内に供給する混合ガスの配分比率が所定設定値に迅速に到達するようにし、所定配分比率の混合ガスの下での成膜が短時間で行えるようにした、酸化珪素薄膜の成膜装置及び成膜方法の提供を目的とする。
【解決手段】有機シリコーン化合物ガス及び／または酸化力を有するガスを定流量で供給するための複数個のマスフローコントローラーのそれぞれから送られてくるガスの流量を個別に設定すると共に、切り替えバルブによりこれらのマスフローコントローラーの何れかから送られてくる定流量の有機シリコーン化合物ガス及び／または酸化力を有するガスを成膜チャンバー内に選択して供給するようにして酸化珪素薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時の作業者の閉じ込めを無くす事ができる基板処理装置の提供。
【解決手段】待機室を形成した筐体１１の背面壁にメンテナンス口６６を開閉するメンテナンス扉６７を設け、メンテナンス扉６７の開閉を検知する扉検知スイッチ７２と、メンテナンス扉６７を開状態に維持する開状態維持具８０とを設置する。開状態維持具８０はガイド８１とスライダ８６と押さえ８９と南京錠とを有する。メンテナンス扉６７の開放時に、押さえ８９の挿入部がガイドの押さえ受入れ部から抜け出ると、スライダ８６は自重でガイドの受け部に乗る。この後に、南京錠が南京錠取付孔に掛けられる。押さえ８９の挿入部９０が押さえ受入れ部８４に挿入するのをスライダ８６で阻止されるので、メンテナンス作業中にメンテナンス扉６７が固定されるのを防止でき、作業者の待機室への閉じ込めを無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】 チャンバを閉塞するリッド部を開けることなく、チャンバ内の保守・管理を行えるようにする。
【解決手段】 チャンバ２００内にヒータユニット２０２を設ける。ヒータユニット２０２は昇降自在に設けられ、下降して基板搬送位置に来ると、チャンバ２００の底部に設けたリフトピン２１１がリフトピン穴２０２ａから突き出して基板２０１を保持するようになっている。チャンバ２００の上部開口２００ｃには、チャンバ２００を閉塞するリッド部２０７が設けられる。リッド部２０７には、リフトピン穴２０２ａの真上位置に開口部２０７ｂが設けられる。この開口部２０７ｂには閉塞部材２１９が取り外し可能に設けられて、開口部２０７ｂを閉塞できるようになっている。閉塞部材２１９を透明にしたときは、加熱状態にあるチャンバ２００内のリフトピン穴位置を確認できるようになっている。閉塞部材２１９をリッド部材と同じ部材としたときは、通常の基板処理が行えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 基板が搬入された反応容器内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを交互に供給して成膜処理をすると共に、未反応ガスはガス処理設備に排気する成膜装置において、良好な排気をすること。
【解決手段】 反応容器に第１の原料ガスを供給するときには第１の真空排気路を介して第１の真空排気手段により排気を行い、ガスは第１の排気通路を介してガス処理設備に送る。また反応容器に第２の原料ガスを供給するときには切り替え手段で流路を切り替えて第２の真空排気路を介して第２の真空排気手段により排気を行い、ガスは第２の排気通路を介してガス処理設備に送る構成とする。この場合、排気通路内で原料ガスが混ざって反応物が生成することを抑えることができ、良好な排気を行うことができる。 （もっと読む）