【課題】エピタキシャル層の成長完了までの時間を短縮し、基板上に成長させるエピタキシャル層の種類を選択成長可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガスが供給され、その原料ガスで基板９上に半導体膜を成長させる反応炉３と、その反応炉３内に設けられ、基板９を収納穴１０に収納して保持する成長用治具４とを備えた半導体製造装置１において、成長用治具４に、収納穴１０を開閉するシャッター１１を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、基板保持具が垂下された昇降軸で片持支持された場合に、振動、揺れを抑制し、基板移載時の搬送、移載精度の向上を図る。
【解決手段】
基板保持具４に保持された基板を収納し、処理する処理室６と、該処理室下方に連設される予備室９と、前記基板保持具を支持し、前記処理室を閉塞する炉口蓋１２と、該炉口蓋を支持する炉口蓋支持部２２と、該炉口蓋支持部を支持する昇降軸２１と、該昇降軸を吊下げ支持しつつ昇降させる昇降手段１４と、前記基板保持具に基板を搬入出する基板移載手段２９とを備え、前記基板保持具に基板を搬入出する際に、前記炉口蓋支持部の振動を抑制する振動抑制手段を前記予備室内に設けた。
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【課題】装置高さを変えることなく、また反応容器サイズを変えることなく、反応容器のメンテナンスを行うことを可能にする。
【解決手段】基板処理装置、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室２０１を閉塞する蓋体と、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記蓋体に載置される着脱治具４００と、前記反応容器２０７の内側壁に該反応容器２０７の下端より上方側に設けられ、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記着脱治具４００の上面と突き当てられる支持部とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】複数の排気管を接続する排気下流側接続部のメンテナンスを容易にする。
【解決手段】筐体を備えた基板処理装置であって、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記反応容器２０７の下端を閉塞する蓋体と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給管２３０と、前記加熱装置と前記蓋体との間の前記反応容器２０７の側壁に一体成形され該反応容器２０７内を排気する複数の排気管２３１とを筐体内に有し、前記複数の排気管２３１の排気下流側接続部を、前記筐体一側面に面するメンテナンスエリア側に配置する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの増加を招くことなく、プラズマの着火時等に外部にマイクロ波が漏洩することを抑制することができ、漏洩したマイクロ波によって放電等が発生する可能性を従来に比べて低減することのできるマイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波プラズマ処理装置用ゲートバルブを提供する。
【解決手段】ゲートバルブ２６は、処理チャンバー１の開口２５の形状に合わせて矩形状に構成され、開口２５より大きな寸法を有する板状の弁体２６ａを有している。弁体２６ａには、処理チャンバー１の外側に当接、押圧されて気密封止を行うための気密封止部材２６ｄが設けられている。この気密封止部材２６ｄの外周部には、気密封止部材２６ｄの周囲を囲むように、溝状に形成されたマイクロ波反射機構２６ｅが設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板搬送チャンバ及び真空処理チャンバとしての使用に適する、ロードロックチャンバを提供する。
【解決手段】管状本体から分離した上部及び底部プレートを有する真空チャンバが提供され、チャンバは少なくとも２つの基板アクセスポート１１６が形成された管状本体１４８を含み、上部プレート１０４は本体の上端面に気密に配置され、底部プレートは本体の下端表面に気密に配置される。複数の固定具（ファスナー）が上部と底部プレートの間で本体をクランプする。分離された少なくとも１つの上部と底部を有するチャンバ本体を含む。特に、ロードロックチャンバ、基板搬送チャンバ及び真空処理チャンバとしての使用に適する。 （もっと読む）

【課題】 処理システムのためのシーリングのデバイスおよび方法を提供することである。
【解決手段】 処理システムの移送空間から真空分離された処理システムの処理空間内で基板を処理するための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムが示される。シーリングデバイスは、処理空間を規定するように構成された第１のチャンバアセンブリと、移送空間を規定するように構成された第２のチャンバアセンブリとの間に配置される。シーリングデバイスが係合するときに、真空アイソレーションは、処理空間と、移送空間との間に提供される。シーリングデバイスは、２つ以上の接触突起を備え、その接触突起は、その間に形成される１つ以上のポケットを有している。シーリングデバイスが、第１のチャンバアセンブリと、第２のチャンバアセンブリとの間に係合するとき、ガスは、１つ以上のポケット内に閉じ込められる。 （もっと読む）

【課題】弁開度を実用領域で使用する際に処理空間の雰囲気を載置台の周囲に均等に分散させて排気することができる処理装置を提供する。
【解決手段】底部に排気口５０を有して真空引き可能になされた処理容器４２と、被処理体Ｗを載置するために処理容器内に設けられた載置台４４と、排気口に連結されると共にスライド式の弁体９４により弁口９８の開口領域の面積を変えることができる圧力制御弁８８と、圧力制御弁に接続された排気系９０と、を備えて被処理体に対して所定のプロセス圧力下にて所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、圧力制御弁の弁開度の実用領域によって形成される開口領域内に前記載置台の中心軸が位置するように圧力制御弁を偏心させて設ける。 （もっと読む）

【課題】チャンバの外部から被エッチング部材の状態を確認することができる基板処理装置とする。
【解決手段】光導入窓３１を通して光照射手段３３からの赤外線を被エッチング部材１１に照射し、光導出窓３２を通して被エッチング部材１１で反射した赤外線を受光手段３４に導き、受光手段３４で受光した赤外線の分析を行って被エッチング部材１１への付着物の付着状況や付着物の確認を行い、チャンバ１の外部から被エッチング部材１１の状態を確認する。 （もっと読む）

本発明は、ＡＬＤ反応器のための装填装置に関し、ＡＬＤ反応器は、第１の端壁部（６）と、後部フランジを備える第２の端壁部（２０）と、第１の端壁部と第２の端壁部とを連結する側壁部／ケーシング（２２）とを有する真空チャンバ（２）、ならびに真空チャンバ（２）の内部に提供される反応チャンバ（４）を備える。本発明によれば、装填装置は、真空チャンバ（２）の側壁部／ケーシング（２２）内に提供され、その場合、１つまたはそれ以上の基板（１０）が、真空チャンバ（２）の側壁部（２２）を介して、反応チャンバ（４）内に案内され得る、およびそこから除去され得る。 （もっと読む）

【課題】金属汚染のみならず基板面内の膜厚均一性をも向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウェハ２００をプラズマＰで処理する処理室２０１と、処理室２０１に開口してウェハ２００を出入りさせるゲート２０５と、ゲート２０５を開閉するゲートバルブ２４４と、処理室２０１の内側をプラズマＰから保護する絶縁性の処理室ウォール２８０とを設ける。ゲートバルブ２４４を含むゲート２０５の内側に絶縁性のスクリーン２５０及びゲートウォール２５１を設け、プラズマＰから見たゲート２０５の電気インピーダンスを絶縁性の処理室ウォール２８０を設けた処理室２０１よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】 真空処理室への水分の混入を確実に防止することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理室１０とロードロック室２０との間には、それぞれ弁体３１ａ，３１ｂを有するゲートバルブ３０ａ，３０ｂが二重に配備されている。また、ロードロック室２０には、コンダクタンスの異なる３本の排気管２１，２２，２３が接続されており、それぞれ開閉弁６２，６３，６４を介して真空ポンプ６０に接続されている。また、ロードロック室２０の内部にＮ_２ガスを導入するＮ_２ガス供給源２６も接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ランニングコストを低減し、メンテナンスが容易で、かつ弁体表面を清浄に保つことのできるゲートバルブを得る。
【解決手段】本発明の光触媒被覆ゲートバルブは、弁体２の少なくとも一部に設けた透明部材７と、透明部材７の表面に形成した光触媒膜８と、光触媒膜８に光を照射する光源１１とを設けたものである。なお、透明部材７は光源１１からの光の一部またはすべてが紫外線から可視光線の全て、または一部を透過するものである。また、弁体２の内部に光源１１用の電源１３を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】 スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制することができ、内部リークの発生も防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 筒体状の処理容器１４内に被処理体Ｗを保持し、全開及び全閉を含んで弁開度を任意に設定することができる弁機構８６が途中に介設された真空排気系８２により処理容器内の雰囲気を排気しつつ処理容器内に原料ガスと反応性ガスとを供給するようにした成膜装置を用いて薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスと反応性ガスとを処理容器内へ交互に供給すると共に、原料ガスの供給時の弁機構の弁開度を、原料ガスの非供給時の弁開度よりも、全閉状態を除いて小さく設定する。これにより、スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 構造自体を簡単化して小型化及び低コスト化を実現でき、しかも、動作の信頼性を高く維持することが可能なゲートバルブ装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の処理を施すための処理チャンバ４Ａ〜４Ｄの搬出入口３７に取り付けられて、真空状態の搬送室６側から前記被処理体を通過させると共に前記搬出入口を開閉するゲートバルブ装置１２Ａ〜１２Ｄにおいて、搬出入口を開閉するように着座可能になされた弁体５２と、弁体の両端部に、搬出入口に対する弁体の押圧方向に沿って設けられる弁体支持ロッド５４と、弁体支持ロッドに連結されて弁体支持ロッドに対して直交する方向への駆動力を弁体支持ロッドの弁体の押圧方向への推進力と弁体を回転する方向への回転力とに時系列的に変換するためのカム機構５６とにより構成する。 （もっと読む）

原子層堆積（ＡＬＤ）法の反応容器であって、その反応容器が真空チャンバ（１）を備え、その真空チャンバ（１）が、ロード扉を備えた第１の端部壁（２）と、後部フランジを備えた第２の端部壁（３）と、第１の端部壁と第２の端部壁（２、３）を連結する側壁／筐体（４）と、ソース材料を反応容器の真空チャンバ（１）に供給するための少なくとも１つのソース材料取付具（５）とを有する反応容器。本発明によれば、少なくとも１つのソース材料取付具（５）は、反応容器の真空チャンバ（１）の側壁／筐体（４）に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ上への微粒子などの異物の付着を防止し、半導体装置の製造歩留りを向上する。
【解決手段】 真空ポンプ８ａと接続された処理室２と、真空ポンプ８ｂおよびマスフローコントローラ９と接続された搬送室４と、処理室２−搬送室４間のゲートバルブ３ａとを備えるプラズマＣＶＤ装置１において、搬送室４の圧力をマスフローコントローラ９からの不活性ガスで制御し、処理室２の圧力より搬送室４の圧力を高くした後、ゲートバルブ３ａを開ける。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単であり、かつドアの密閉度が高く装置内を高真空に保つことが可能な半導体製造装置のドア密閉機構を提供する。
【解決手段】キャップロックＣＬは、スローププレート９と、スローププレート９上に溶接固定された斜行ブロック１１と、斜行ブロック１１の側面に固定されたプッシュボルト１３と、フック８とを主たる構成として備えている。スローププレート９は、傾斜面がフランジドア６の端縁部に向けて下がる方向となるように固定され、この傾斜面上に固定された斜行ブロック１１も、フランジドア６の端縁部に向けて下がる方向に傾斜している。そして、斜行ブロック１１内に形成された中空部１１ｂ内にスライドバー１０ｂがスライド自在に挿入され、中空部１１ｂから突出したスライドバー１０ｂの一方の端部にフック８が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 低コストで信頼性の高い真空処理装置を提供する。
【解決手段】 ２つの真空容器２０３，２０４の間に配置され各々を連通して一方から他方に処理対象の試料が搬送される封止されたゲート１１０と、このゲートの経路上に配置され第１の開口２０５および第２の開口２０６の各々に面する第１の弁体２１０ａおよび第２の弁体２１０ｂとこれら弁体が連結されたシャフト２１１とを有して前記開口の各々を選択的に開閉するゲートバルブ２０８とを備えた真空処理装置であって、ゲートバルブ２０８は、２１１シャフトの他端側に連結されシャフトをその軸の方向に移動させる軸方向駆動部３０１と、シャフト２１１の一端側と他端側との間に配置されシャフト２１１の軸と交差する所定の回転軸２０７の周りにシャフトを回転させる回転駆動部２１３とを有し、シャフト２１１の軸方向について回転軸２０７と他端との間のシャフト上の部位に回転させる力が伝達される。 （もっと読む）

原子層堆積（ＡＬＤ）式薄膜堆積装置は、堆積チャンバを含み、当該堆積チャンバは、その内部に画定された空間内において載置されたウエハ上に薄膜を堆積させるように構成される。堆積チャンバは、その空間と連通するガス流入口を備える。ガスシステムは、堆積チャンバのガス流入口にガスを送出するように構成される。ガスシステムの少なくとも一部分が、堆積チャンバ上方に配置される。ガスシステムは、複数のガスの流れを混合する混合器を含む。移送部材は、混合器およびガス流入口と流体連通する。移送部材は、水平方向に末広形になった一対の壁を含み、当該壁は、ガス流入口に入る前に水平方向にガスを拡散させるように形成される。
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