【課題】反応室本体の開口部を封止する封止部材を有する反応室を備え、開口部と封止部材の間からの反応ガスの漏れを高精度に検出できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室Ｍ１とその内部に反応ガスを供給するガス供給手段１５を備え、ガス供給手段１５により反応ガスを反応室Ｍ１の内部に供給することにより反応室Ｍ１に収容されたウェーハの表面に気相成長を行う気相成長装置１０であって、反応室Ｍ１は、ウェーハが収容される収容空間を形成すると共に収容空間にウェーハを導入するための開口部Ｍ３を有する反応室本体Ｍ２と、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３を封止する封止部材１３とを有し、気相成長装置１０は、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３に対して封止部材１３を締め付ける締め付け部材３１と、締め付け部材３１による封止部材１３の締め付け力についての開口部Ｍ３が拡がる方向のバランスの良否を判定可能な状態とするバランス判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 コンタミネーションの発生を防いだ成膜装置を提供する。
【解決手段】 互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順次基板の表面に供給するサイクルを複数回行うことにより、反応生成物を積層させて薄膜を形成する成膜装置において、真空容器内に設けられた回転テーブルと、回転テーブルの同一円周上に、基板を載置するため回転テーブルに設けられた複数の基板載置部と、第１の反応ガス供給手段と、第２の反応ガス供給手段と、分離ガス供給手段と、回転テーブルの中心部周辺において上下より挟み込むように圧接させることが可能な上部固定部材及び下部固定部材とを備え、上部固定部材は、石英又はセラミックスにより形成されているものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制し処理の歩溜りを向上するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマが形成される処理室と、前記プラズマに面して軸周りに回転する回転体と、前記軸の軸受部の前記プラズマに面する側に配置され、前記軸受部の軸受面と軸との間の隙間より大きくされた段差を有する空間とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

本明細書内に開示される実施形態は、概して、スリットバルブドアで処理チャンバを密閉する方法に関する。ドアは、最初に、処理チャンバ用開口の下方の位置から高い位置まで持ち上げられる。その後、ドアは、ドア表面にあるＯリングがシール面にちょうど接触するまで拡張する。そして、ドアは、シール面に対してＯリングを圧縮するために再び拡張する。ドアは、ドアの内部容積内にガスを流すことによって拡張する。ドア内の圧力蓄積を制御することによって、ドアが拡張する速度は制御され、これによってドアが静かにシール面に接触し、その後、シール面に対して圧縮することを保証する。従って、処理チャンバに衝撃を与える又は振動させ、プロセスを汚染する可能性のある望まれない粒子を生成するかもしれない過大な力でシール面にドアが接触することを防ぐかもしれない。
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【課題】チャンバのドアを信頼性良く密封する方法および装置を提供する。
【解決手段】 チャンバのチャンバ壁から密封面を隔離するステップと、密封面とチャンバ壁間のチャンバを密封するステップと、を含む方法が提供されている。たわみの傾向があるチャンバ壁区域と、密封面を提供する固定区域と、チャンバ壁区域と固定区域に取り付けられたフレキシブルなベローズと、を含む装置が提供される。開口部を有するチャンバ壁を含むチャンバと、開口部を密封する為に配置されたドアと、開口部に隣接し、チャンバ壁から隔離された密封面と、密封面およびチャンバ壁間のシールと、を含むシステムが提供されている。 （もっと読む）

【課題】成膜中に塵や不純物ガスを発生しない部品を提供する。
【解決手段】枠体１１の処理面１４をサンドブラスト処理してから、該処理面１４をリン酸を含む処理液でエッチングすると、サンドブラスト処理の際に、処理面１４に付着した付着物は、処理面１４に露出するチタンが処理液に溶解することで除去され、清浄な付着面１５が得られる。付着面１５はアンカー効果を発現する程表面粗さが大きいから、成膜中に薄膜２１が剥がれない。また、枠体１１が加熱されても、リン酸を放出しないから、不純物が発生しない。 （もっと読む）

【課題】弁体を降温させた後に、弁体を開く際に発生するトラブルを防止する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室２０１に対してウエハを搬送する搬送室３０１と、処理室２０１と搬送室３０１との間に設けられウエハを通過させる搬送口２４７と、搬送口２４７を開閉する弁体２４４ｃと、弁体２４４ｃと搬送口２４７との間に設けられたシール部材２４４ｄと、弁体２４４ｃに設けられたヒータ２４４ｅと、弁体２４４ｃを駆動させるシリンダ装置２４４ａとを備えた基板処理装置において、弁体２４４ｃにモニタＴＣ２４４ｇを設け、モニタＴＣ２４４ｇのモニタ温度が設定温度以下となった時に弁体２４４ｃを開けないようにシリンダ装置２４４ａを制御し、かつ、アラームを発生させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ間での移送時に基板の取り付け／取り外しを行う必要がない薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に複数積層された薄膜を製造する装置であって、開口部を有する複数の成膜室１３１〜１３６と、前記開口部を閉鎖するように該開口部に装着可能な板状部材３３及びと該装着時に前記成膜室内に位置する該板状部材の面に前記基板を固定する基板固定機構３４とを有する基板保持機構３０Ｂと、前記複数の成膜室１３１〜１３６の前記開口部の間で前記基板保持機構３０Ｂを移動させる移動機構３０Ａと、を備える。この装置では基板を基板保持機構３０Ｂで保持したままで順次成膜室を移動させることができるため、移送時に基板の取り付け／取り外しを行う必要がない。それにより製造効率を向上させると共に装置の故障を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバを効率的にメンテナンスすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下部チャンバ１２及び上部チャンバ１３を有する処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台２０と、処理ガス供給装置２７と、コイル３２と、コイル用高周波電源３３と、貫通穴４１ａを有し、昇降自在に設けられる昇降板４１と、昇降板４１を支持して昇降させる昇降機構４２と、上部チャンバ１３を固定するための固定機構４６とを備える。固定機構４６は、固定板４７と、固定板４７により天板１６と昇降板４１とを連結，固定するための固定板４７及び第１固定ボルト４８，４９と、保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定するための第２固定ボルト５０と、環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定するための第３固定ボルト５１とからなる。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。
【解決手段】第１の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第１の原料ガスから反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む当該反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置；基板を支持する基板支持部；および、前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第２の原料ガスを供給する供給部；を備える堆積装置。 （もっと読む）

【課題】マニホールドの腐蝕防止およびマニホールドを原因とする金属汚染を防止。
【解決手段】反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、該加熱装置より外部に設けられた非金属材料で構成され、前記反応管の軸心に対し直交する方向の第一の厚さが、前記反応管に隣接する位置の前記反応管の軸心と平行方向の第二の厚さより厚く形成されており、少なくとも一部が前記反応管の内壁より内側に突き出された突出部を有し、少なくとも該突出部に、前記反応管内へガスを供給するガス供給部を備えるマニホールドと、を有する基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】熱処理の面内均一性の劣化を抑制してこれを高めることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに熱処理を施す処理装置において、一側にゲートバルブ９０を有すると共に天井側にシール部材５６を介して蓋部４４を有する処理容器４２と、被処理体を載置する載置台６８と、ガス導入手段４８と、容器内の雰囲気を排気する排気手段５８と、被処理体用加熱手段７０と、ゲートバルブ加熱手段９６と、容器側壁に設けた容器加熱手段９８と、容器加熱手段を制御することによりゲートバルブ側の側壁の設定温度よりもゲートバルブとは反対側の側壁の設定温度の方が高くなるようにすると共に、設定温度は熱処理により発生する反応副生成物の昇華温度以上又は前記ガスの凝縮付着温度以上で且つシール部材の透過ガスが増加する温度以下となるようにする温度制御部１１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】
クランプ力の管理、クランプ力の均一化が容易であり、又小型化が可能であるクランプ装置を具備した基板処理装置を提供し、又係る基板処理装置による半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板８を搬入出する開口部１６を有し、内部で基板を処理する反応容器４，１１と、前記開口部を開閉する蓋体１７と、該蓋体乃至前記反応容器に対して回転及び往復移動可能に設けられ、回転及び往復移動により前記蓋体と前記反応容器とを係合解除可能なロック部材１９と、該ロック部材を回転及び往復移動させる移動機構とを具備する。
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【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】
流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】
弁箱２等の固定部と弁体９等の可動部とから成る弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置、前記弁装置の前記固定部に、ガス流路に臨接する前記固定部を前記反応室から排気されたガス中に含まれる凝固分の凝固温度以上に加熱維持するためのヒータ３１を設けた。
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【課題】発熱体４と基板ホルダー５間を遮蔽及び開口するためのシャッター７を備えた化学蒸着装置において、シャッター７の開閉制御を最適化して成膜開始初期の膜質の劣悪性を解消する。
【解決手段】前記シャッター７が遮蔽位置にある状態で前記発熱体４への通電を開始し、前記発熱体４を所定温度まで発熱させた後、原料ガスの供給を開始すると共に、排気速度を制御して、処理容器１内を所定の圧力とし、その後前記シャッター７を開口位置へ移動させる制御部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造して生産性を向上させた半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】チャンバ本体２１は、底部本体２１Ａ、第一筒体２１Ｂ、第二筒体２１Ｃ、及び蓋体２１Ｄを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体２１は、その空間Ｓに、基板Ｂを載置するステージ２２と、基板Ｂに対向する複数の触媒体Ｗと、各触媒体Ｗに接続される複数の接続端子３２とを有し、また、その蓋体２１Ｄに、各接続端子３２に対応する複数の押圧端子Ｔを有する。そして、蓋体２１Ｄは、第二筒体２１Ｃに積重ねられる状態で、対応する接続端子３２を押圧する。 （もっと読む）

本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。
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【課題】腐食性のクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入路における処理容器の直近に設けられた遮断弁の遮断機能の低下を防止する技術を提供すること。
【解決手段】熱処理時にクリーニングガス導入路の近傍に設けられた遮断弁の二次側にパージガスを供給するにあたり、パージガスを遮断弁のダイアフラムを介してその二次側に流れるようにする。具体的にはクリーニングガスの流入口を開閉するダイアフラムが配置された通気室において、前記ダイアフラムを介してクリーニングガスの流出口とは反対側に前記通気室にパージガスが流入するパージガス流入口を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を行うチャンバーに用いられる圧力制御バルブにおいて、シール部材の長寿命化を達成することができる圧力制御バルブを提供すること。
【解決手段】 チャンバー１１側と排気装置５３，５４側とを連通する開口６１ｂを備えた弁ボディ６１と、前記開口を閉止する封止用弁体６２と、該封止用弁体に設けられたシール部材６２ａ及びその外側の保護シール６２ｂと、前記開口６１ｂを所定の開度だけ開口するシール部材を持たない制御用弁体６３と、を設け、プラズマ処理をする場合は、開口を制御用弁体で所定の開度にし、封止用弁体６２は、弁退避部に退避させておく。弁退避部では、保護シールの内側にシール部材が密封されるので、シール部材はプラズマやラジカルに曝されない。 （もっと読む）