【課題】半導体製造プロセスにおけるガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置が大型化すると上蓋開閉に必要な動作範囲が広がり、真空処理装置が設置される空間の天井高さなどに制約を与えることになっていた。また、交換作業時において上蓋等開けた状態に対応できる空間（作業範囲）の確保が必要であり、真空処理装置の周辺には、作業スペースを広げる必要があった。
【解決手段】被処理基板を真空処理する真空容器と、真空容器の開口部を開閉する蓋部材と、蓋部材を真空容器に対して着脱自在に並進移動させる昇降機構と、蓋部材に配置された処理部材を、蓋部材の上方で処理部材のみを表裏反転させる昇降回転機構とを備えて、
処理部材には、被処理基板に対向することにより真空処理を行う構造物が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などによりシート状の基材表面に皮膜を形成するためのシート成膜装置において、水冷構造による構造複雑化を招来することなく、成膜処理等で生ずる熱による膨張変形での各ロールの平行度の狂いを防止できるようになる。
【解決手段】本発明に係るシート成膜装置は、表面に成膜が行われるシート状の基材が巻き付けられる成膜ロール５と、成膜ロール５が内部に配備された真空チャンバ３とを有すると共に、成膜ロール５の両端を内側壁で支持する一対のベース板２２と、少なくとも両側が開口３０となっているチャンバ基体２０とを有し、一対のベース板２２の外側壁が大気開放状態となるように、チャンバ基体２０の開口３０に一対のベース板２２の各々を組み付けることで、真空チャンバ３を構成している。 （もっと読む）

【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２を通して搬送し、シート状基板Ｓに所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、真空処理室２の上流側と下流側に夫々連設した上流側補助真空室３_１や下流側補助真空室３_２に繰出しローラや巻取りローラを収納せずに、且つ、真空処理室２を大気解放せずにシート状基板Ｓを搬送できるようにしたものを提供する。
【解決手段】上流側補助真空室３_１の入口部と、下流側補助真空室３_２の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに，夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４を配置する。また、上流側補助真空室３_１と下流側補助真空室３_２とに、夫々所定長さ分のシート状基板Ｓを引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構５_１，５_２を配置する。 （もっと読む）

【課題】気化器内部の圧力を低く保ち、安定的に大流量の液体原料の気化動作を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔには、圧力損失が小さい、大口径のゲートバルブ方式のメンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４がそれぞれ設けられている。メンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４の設置箇所には、ダイヤフラムバルブのようにバルブ内で流路が狭くなっていたり、バルブ内で流路が屈曲していたりする箇所はなく、実質的にバルブが設けられていない場合の第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔと同等である。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現する。
【解決手段】搬送室１２と、基板を処理する処理室１６とを有し、前記搬送室１２は、基板を当該搬送室１２から前記処理室１６へ搬送する第１の基板搬送部材を有し、前記処理室１６は、前記搬送室１２と隣接され、第１の基板載置台３７を有する第１の処理部３６と、前記第１の処理部３６の内、前記搬送室１２とは異なる側に隣接され、第２の基板載置台４１を有する第２の処理部３８と、前記第１の処理部３６と前記第２の処理部３８の間で基板を搬送する第２の基板搬送部材４０と、少なくとも前記第２の基板搬送部材４０を制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置の真空処理室内部のメンテナンス性を改善する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理物１０７を収容して真空処理を施す第１の処理室１０１と、真空処理される前の被処理物と、真空処理された後の被処理物と、を収容する真空排気可能な第２の処理室１０２と、第１の処理室と第２の処理室との間に、第１の処理室と着脱可能に介装されるゲート部１０３と、ゲート部１０３を通じて、真空処理される前の被処理物を搬入部１０８から真空処理部１０４へと搬入し、真空処理された後の被処理物を真空処理部１０４から搬出部１１９へと搬送する搬出する搬送装置２０２と、第１の処理室と第２の処理室とを離間させる移動機構２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】製膜速度を低減させずに、製膜初期の膜質低下を防止し、安定して基板上に製膜することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、このチャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、チャンバ内のガスを排気するガス排気部と、前記チャンバ内に開口し、前記ガス供給部に連通接続されるガス供給孔を有するカソード電極と、前記カソード電極に対向する位置に配置されるとともに基板が載置されるアノード電極とを備えており、前記カソード電極の基板側表面付近に原料ガスのプラズマを発生させることにより、前記基板上に薄膜を形成するＣＶＤ装置であって、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、少なくとも基板表面を覆う開閉可能なシャッター部を備えており、このシャッター部は、開状態で基板とカソード電極とを対面するのを許容し、閉状態で基板とカソード電極とが対面するのを遮断する。 （もっと読む）

【課題】供給された基板の加熱時間の短縮ができ、タクトタイムの短縮を図ることができる真空処理装置の提供。
【解決手段】被処理基板１０は、連通領域９に移動可能に設けられたサセプタ１１，１２に載置される。搬送装置８は、基板搬入時および搬出時に連通開口１ａを閉鎖してロードロック室領域７を密閉する第１の位置へサセプタ１１，１２を搬送し、成膜処理時に連通開口１ｂを閉鎖して処理室領域４を密閉する第２の位置へサセプタ１１，１２を搬送する。サセプタ１１，１２が第１および第２の位置に搬送されると、連通開口１ａ，１ｂの周囲と載置台との間にＯリング４１，６２が挟持される。サセプタ１１，１２は、載置された被処理基板１０を加熱して所定温度に保持する載置部１０１と、載置部１０１に対して断熱的に設けられたシール部１０２とを有するので、Ｏリング４１，６２の熱劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内壁に堆積するウォールデポの剥離を促進する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、チャンバ３、複数のランプ４１、送風手段５、及び一対の第１開閉扉を備える。チャンバ３は、ウェーハ１が設置されるサセプタ２を内部に配置し、原料ガスＧを内部に導入する。チャンバ３は、サセプタ２の上方を覆う第１隔壁３１、及びサセプタ２の下方を覆う第２隔壁３２を有する。複数のランプ４１は、第１隔壁３１を介してウェーハ１及びサセプタ２を加熱する。送風手段５は、第１隔壁３１の上面に冷却用空気（冷却媒体）Ａを送風する。一対の第１開閉扉は、原料ガスＧが導入されて、サセプタ２を越える下流側の内部領域３ｎと対向する外部領域３ｍに冷却用空気Ａの送風を堰き止めることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周側に位置するプロセスチャンバー部に設置されている、ウェーハ搬送部とプロセスチャンバー部を仕切るゲートバルブ部近傍部の温度低下を改善する。
【解決手段】ウェーハ搬送部２８とプロセスチャンバー部２１とを仕切るゲートバルブ部２９の近傍温度を制御可能とする。ゲートバルブ部２９とプロセスチャンバー部２１との間に新たな仕切部３２を設け、本仕切部３２の材質はプロセスチャンバー部２１と同じ材質とし、さらに仕切部３２の内部には、温度制御可能なヒータ３３および熱電対３４を設け熱電対３４の温度に基づいてヒータ３３の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】プラスチック容器に、アーク放電を発生させずに、障害なく成膜する。
【解決手段】容器首部１ａを有するプラスチック容器１を、上部にチャンバー蓋を有する成膜チャンバー内部に倒立して収納しプラスチック容器内面にプラズマＣＶＤで成膜する成膜装置において、前記成膜チャンバー内部を隔壁板６により上のメインチャンバーと下のサブチャンバーに二分し、前記隔壁板の一部に貫通孔を開け、該貫通孔に前記プラスチック容器の容器首部を被せ、前記メインチャンバー内に前記プラスチック容器を囲むスペーサーと、前記隔壁板上に爪１０を有し、前記チャンバー蓋の閉鎖動作を前記スペーサー中に設置した爪前進カムを介して前記爪に伝達することで前記爪が前記プラスチック容器の容器首部を保持して押し下げて前記隔壁板に押し付けて密着させることにより前記貫通孔をガスシールする。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス時においても装置全体の稼働を停止する必要のないインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、少なくとも一の成膜処理室を含む複数の処理室を直列に接続してなり、成膜処理室は、基板が設置される基板設置部１４１と、設置された前記基板に対して所定の成膜処理を行う成膜手段が設置された成膜手段設置部１４２とからなり、これらの基板設置部と成膜手段設置部とは分離可能に構成されている成膜装置であって、基板設置部と成膜処理室とを隔絶し基板設置部内の真空を保持するシャッター３を備えている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内の加熱手段から真空ゲートバルブへの伝熱を防いで真空ゲートバルブを効果的に保護する真空ゲートバルブ保護装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー４Ｃと前段バッファチャンバー４Ｂとの間で開閉する真空ゲートバルブ７を保護する真空ゲートバルブ保護装置１０において、成膜チャンバー４Ｃ内に設けられると共に、加熱ヒータ９と成膜チャンバー４Ｃとの間における基板Ｗの経路Ｒｔ上への進出及び経路Ｒｔからの退避が可能であり、基板Ｗの経路Ｒｔ上に進出した状態で加熱ヒータ９側を向いて加熱ヒータ９からの熱線を反射する反射板２３を備える。 （もっと読む）

【課題】流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、稼働率を向上させる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス流路を有する弁箱２等の固定部と前記ガス流路を開閉する弁体９等の可動部とを有する弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁装置の前記固定部に、前記ガス流路に固形膜が形成されるのを防止するための固定部用ヒータ２１を設けた半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバー外部の全方位にある装置に熱の輻射による熱ダメージを与えることなく、チャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガスが、例え流れ出しても、全方位ではなく一方向のみから流れ出すように抑えることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９の密着部周縁に沿って形成される開口１２ａを、外側から覆うガード７を有している。ガード７の上下方向の長さは、基板２１を搬送する搬送経路の部分が、それ以外の部分よりも短い。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、半導体基板に成膜処理を行うものであって、半導体基板への成膜処理が行われる本体部２と、出し入れ口を介して本体部２に搬入され若しくは出し入れ口を１８介して本体部２から搬出される半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード／アンロード部３と、出し入れ口１８を開閉する開閉機構１６と、本体部２の気圧を検出する第１センサ２６と、基板ロード／アンロード部３の気圧を検出する第２センサ２９と、第１センサ２６および第２センサ２９からの情報に基づいて、開閉機構１６を制御する制御部２４とを備えたものである。 （もっと読む）