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Fターム[4K057WD01]の内容

エッチングと化学研磨(つや出し) (8,564) | ウェットエッチング方式 (67) | 光照射併用エッチング (8)

Fターム[4K057WD01]に分類される特許

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【課題】複数の成分が混合したエッチング液を加熱による副反応や分離、分解反応を抑制して温度調節することができ、プリント配線基板の配線を均一に形成可能なプリント配線基板の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】複数の成分を混合したエッチング液1を一定の設定温度に温度調節しながら貯留する貯液温調槽2から、プリント配線基板Bのエッチングを行うエッチング処理槽3にエッチング液1を供給して、エッチング処理槽3でプリント配線基板Bにエッチング液1を接触させてプリント配線基板Bの配線を形成するエッチング工程を有するプリント配線基板の製造方法において、エッチング液1に接する貯液温調槽2を含む構成材の接触面の温度をエッチング液1の設定温度以下とし、エッチング液1を直接加熱するようにした。 (もっと読む)


【課題】樹脂層から露出する金属被膜の露出面に付着した樹脂異物を、プラズマ処理によって樹脂層を大きく損傷して除去する従来の表面処理方法の課題を解決する。
【解決手段】樹脂層から露出する金属被膜の露出面に付着した樹脂異物を、前記樹脂層を実質的に損傷することなく粗化できるように、前記樹脂異物を含む金属被膜の露出面にプラズマ処理を施した後、前記金属被膜の露出面の全面に、ノズルからエッチング液を噴射するスプレー式エッチングによってエッチングを施しつつ、前記樹脂異物を除去する。 (もっと読む)


【課題】極めて高精細なパターニングを行うことを可能とする蒸着マスクを含み、取り扱い中に蒸着マスクを破損してしまうことを抑制することができる蒸着マスク付シートを提供する。
【解決手段】蒸着マスク付シート60は、樹脂製シート32と、前記樹脂製シートと積層された金属製シート34とを備えている。金属製シート34には、複数の孔25が形成されている。前記金属製シート34は、前記樹脂製シート32と分離された後に、蒸着マスク20として用いられるようになる。 (もっと読む)


【課題】透明液体中の微粒子等によるレーザ光の減衰を防止し、レーザ光の処理能力の低下を防止することのできるレーザ表面改質装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザ光1をレーザ光の波長に対して透明な液体6で覆われた被照射材料3の表面に照射してアブレーションによりこの被照射材料3の表面層の改質を行うレーザ表面改質装置において、パルスレーザ光を発生させるレーザ発振器12と、液体6が貯溜される貯蔵タンク14と、液体6が液体供給配管9を経由して移送される液体移送ポンプ15と、液体供給配管9に介在し液体6より粒子7を除去するろ過器16と、ろ過器16により粒子7が除去された液体6をレーザ発振器12より伝達されたパルスレーザ光1と同軸に被照射材料3に噴射するレーザ照射装置10と、を有する。 (もっと読む)


【課題】近年電子デバイスの材料として重要性が高まっている銅やGaN等を、加工効率が高く且つ数十μm以上の空間波長領域にわたって精度高く加工する。
【解決手段】酸化性処理液32中に被加工物38を配し、酸性または塩基性を有する固体触媒44を被加工物38の被加工面に接触または極接近させて配して、固体触媒44と接触または極接近している被加工面の表面原子を酸化性処理液32中に溶出させて該加工面を加工する。 (もっと読む)


本発明は、液体ジェットガイドエッチングにより固形物から物質を除去するための方法に関する。本発明に係る方法は、特にウエハの切削、微細構造化、ドーピングまたはそれへの金属被膜形成のためにも使用される。 (もっと読む)


【課題】可視発光が可能で膜厚の均一な多孔質シリコン膜とこの多孔質シリコン膜を簡便かつ再現性よく製造する製造方法とを提供する。また、この多孔質シリコン膜を用いた高発光効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】酸化還元電位が+0.4eV〜+1.5eVの範囲にある酸化剤を含有するフッ化水素酸(HF)水溶液を処理溶液として使用して、短時間(約1〜15分)の光照射により光アシストエッチングを実施し、シリコン結晶の表面に均一な膜厚の多孔質シリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】絶縁層の開口部にフォトレジストを残存させることなく、適切な寸法で配線形成を行い得る配線形成方法を実現すること。
【解決手段】先ず、フォトレジスト5が塗布された半導体装置に対して、絶縁層の開口部分にのみ紫外線が照射されるようにマスク部8及び透過部9が形成された第1のフォトマスク10を介して紫外線を照射する。次いで、開口部領域外の配線形成部分にのみ紫外線が照射されるようにマスク部8及び透過部9が形成された第2のフォトマスク12を介して紫外線を照射する。最後に、現像液により現像を行うと、絶縁層の開口部4と、開口部4以外の部分とでフォトレジスト5が完全に溶解され、適切な寸法で配線が形成された半導体装置が得られる。 (もっと読む)


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