【課題】リーク電流を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。半導体層は、半導体基板上に形成され第１の不純物濃度よりも小さい第２の不純物濃度を有する。複数のトレンチは、半導体層の上面から下方に延びるように半導体層中に形成されている。導電層は、絶縁層を介してトレンチを埋めるように形成され且つ半導体層の上面から第１の位置まで下方に延びる。第１半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第２の位置に達し且つ第２の不純物濃度より小さい第３の不純物濃度を有する。アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。半導体層の上面から第２の位置までの長さは、半導体層の上面から第１の位置までの長さの１／２以下である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低閾値動作に可及的に適した実効仕事関数を有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置を提供することを可能にする。
【解決手段】Ｈｆ（或いはＺｒ）酸化物に高価数金属を添加することでギャップ内準位を作りだし、窒素あるいはフッ素などによりギャップ内準位の位置を変化させることで、最適な実効仕事関数を有する電極を備え、低閾値動作が可能なＣＭＩＳデバイスを実現した。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜の流動性の低下を抑制しつつ、耐熱性を向上させる。
【解決手段】イオンビームデポジションなどの方法にて高純度アルミニウム膜１５を絶縁層１３上に形成した後、イオンビームデポジション法にて、添加元素１７を含む添加元素膜１６を高純度アルミニウム膜１５上に形成し、添加元素膜１６の熱処理を行うことで、添加元素膜１６に含まれる添加元素１７を高純度アルミニウム膜１５に拡散させ、高純度アルミニウム膜１５に添加元素１７を添加する。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板上に、ゲート絶縁膜と、高濃度リンドープポリシリコン膜及び上層ポリシリコン膜とからなるゲート電極とを順次備え、上層ポリシリコン膜中でのリン濃度は、高濃度リンドープポリシリコン膜から離れるにつれて低下することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜のＳｉＯ₂換算膜厚の薄膜化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、アモルファスもしくは多結晶のＳｉ_1-xＧｅ_x（０≦ｘ＜０．２５）を主成分とし、シリコン原子を置換する配置にあるようなｐ型不純物を含有するゲート電極とを具備する半導体装置である。前記ゲート電極における前記シリコン原子を置換する配置にあるようなｐ型不純物は、５×１０¹⁹個／ｃｍ³以上５×１０²⁰個／ｃｍ³以下の濃度で含有された第一のｐ型不純物と、前記第一のｐ型不純物より原子半径が小さい第二のｐ型の不純物とを含み、しかも第一のｐ型不純物と第二のｐ型不純物とが共有結合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細化された構造において仕事関数の異なるゲート電極を同一半導体基板上に形成したＭＯＳ型半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳ型半導体装置の製造方法が、半導体基板に、第１および第２半導体素子形成領域を規定する工程と、半導体基板上に、ゲート絶縁膜、モリブデン膜、および窒素含有膜を順次積層する工程と、窒素含有膜からモリブデン膜に窒素を導入する工程と、窒素含有膜を選択的に除去し、第１半導体素子形成領域上に窒素含有膜を残す工程と、半導体基板上に、多結晶シリコン膜を形成する工程と、エッチングにより第１ゲート電極、第２ゲート電極を形成する工程と、第１および第２ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と、熱処理により第２ゲート電極に含まれるモリブデン膜中の窒素を減少させて、第１ゲート電極に含まれるモリブデン膜中の窒素量との間に差異を設ける工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来と同等の駆動力を確保しつつ、ヘテロ界面で生じる漏れ電流を低減することが可能な高耐圧電界効果トランジスタを容易に製造する。
【解決手段】基板１とドレイン領域２からなる半導体基体の一主面側に第二のヘテロ半導体領域形成用半導体層４００を積層する工程と、所定の開口１４を有するマスク層９をマスクとして用いて、第二のヘテロ半導体領域形成用半導体層４００を選択的にエッチングして第二のヘテロ半導体領域４を形成する工程と、マスク層９を有した状態で、第一のヘテロ半導体領域形成用半導体層３００を積層する工程と、第一のヘテロ半導体領域形成用半導体層３００を選択的にエッチングして第一のヘテロ半導体領域３を形成する工程と、第一のヘテロ半導体領域３並びに半導体基体に接するようにゲート絶縁膜５を形成する工程を有する。 （もっと読む）