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Fターム[4M104DD99]の内容

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Fターム[4M104DD99]に分類される特許

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本発明は、先端状に形成された金属パターンを有するナノプリントされたデバイスに関する。それぞれの金属パターンは、先端のベースを有する下の層(30)と先端自身を有する上の層(31)とを備え、硬度および化学的特性を制御された二層構造を持つ。
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【課題】 基板への接着性が良好で、且つ、良好に駆動可能な有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタを設けた有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法の提供。
【解決手段】 支持体と金属箔とをラミネートする接着層を支持体上に有し、前記支持体と前記金属箔とが前記接着層によりラミネートされ、前記支持体上にラミネートされた前記金属箔表面が研磨されたものであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】不純物の除去力を向上させながらも、金属層の損傷を最小化することができる半導体基板洗浄用組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法において、半導体基板上に金属を含む構造物パターン形成し酸性水溶液78ないし99.98質量%、第1キレート剤0.01ないし11質量%を含む半導体基板洗浄用組成物を、半導体基板に適用して構造物パターンの不純物が覆っていない第1表面部位上に第1腐食抑制膜を形成し、構造物パターンの不純物が覆っている第2表面部位上の不純物を除去する。 (もっと読む)


本発明は、基板(1)および少なくとも1つの半導体要素を含んだ半導体本体(11)を有した半導体デバイス(10)の製造方法に関する。その方法では、要素の形成後、少なくとも1つの電気的絶縁層(2)または電気的導体層(3)を含んだ層構造が形成され、開口部が、パターン形成されたフォトレジスト層(4)およびエッチング・プロセスの助けによって層構造中に形成され、残渣が、エッチング・プロセス中に半導体本体(11)の表面上に形成され、エッチング・プロセス後に、フォトレジスト層(4)が、酸素含有化合物を使用する処理によって灰にされ、その後、表面が、酸を水で希釈した溶液を含んだ洗浄剤を、室温より高い温度に加熱して使用する洗浄作業を受け、それによって形成された残渣が除去される。本発明によれば、硫酸が、洗浄剤用の酸として選択される。
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【課題】より小型が可能なPN接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】PN接合ダイオードのカソード電極22及びアノード電極23を共に、シリコン基板10の一方の主面に形成することにより、カソード電極22及びアノード電極23とをリードフレーム26に、ワイヤー等で接続することなく、接着することを可能にする。 (もっと読む)


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