本発明は、乾式熱転写プロセスによって提供することが可能な、新規な誘電体層と、金属組成物を含む新規な電極とを含む薄膜トランジスタに関する。
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ビア開口部とトレンチとが共通に形成されるインプリント技術に基づいてメタライゼーションを形成することによって、従来のプロセス技術に求められたような少なくとも１つのさらなる位置合せプロセスを省略することができることから、プロセスの複雑性を実質的に軽減することができる。さらに、適切に設計されたインプリントモールドを提供することによりインプリントリソグラフィのフレキシビリティおよび実効性が向上し、これにより、信頼性、エレクトロマイグレーションに対する抵抗などの点から、最終的に得られるメタライゼーション構造のパフォーマンスもまた向上する。
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【課題】精度の高いパターンニングを可能にする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタ素子の製造方法において、ゲート絶縁層を形成する工程の後に、ゲート絶縁層の一部を、圧接部材をゲート絶縁層に接触させることにより、変形あるいは変質させる工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光検出器の受光部上の配線構造層等をエッチングして開口部を形成する際の工程を簡素化する。
【解決手段】半導体基板６０上に、シリコン窒化膜８６をＣＶＤ法等により形成した後、配線構造層を含む積層構造８８を形成する。積層構造８８の上に、受光部上に開口を有したフォトレジスト膜１２２を形成し、これをエッチングマスクとして、積層構造８８に対するエッチング処理を行う。このエッチングは、シリコン窒化膜に対する層間絶縁膜の選択比が確保されるような種類・条件として、当該エッチング処理においてシリコン窒化膜８６をエッチングストッパとして機能させる。開口部１１６の底部に露出したシリコン窒化膜８６は反射防止膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層が十分に形成されているか否かを効率よく検査することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコンを含有する半導体層上に金属層を形成する工程と、前記半導体層及び前記金属層に熱を加えることにより、前記半導体層の表面に金属シリサイド層を形成する工程と、前記金属シリサイド層の上方から、該金属シリサイド層をカラー撮像して画像データを生成する工程と、前記画像データを処理して前記金属シリサイド層の彩度を算出する工程と、算出した前記彩度に基づいて、前記金属シリサイド層の形成量を判断する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】原子層成長と気相化学成長を連続して同一の反応装置に実行することにより、従来できなかった高品質膜を形成する。
【解決手段】上部室と、上部室の下側に配置され、シャワーヘッドの軸方向に見て上部室により覆われ、かつ上部室とガス連通しない下部室とを含むシャワーヘッドを使って、基板上に薄膜を形成する方法は、原子層成長（ALD）膜及び化学気相成長（CVD）膜を連続して形成するか、または熱ALD膜及びプラズマALD膜を連続して形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコンを含有する導電膜をハロゲン系ガスでエッチングする際に、導電膜を低抵抗化させることなく確実に残留ハロゲンを除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ハロゲン、またはハロゲン化合物を含有するガスのプラズマにより導電膜のエッチングを行う工程と、前記導電膜に存在するダングリングボンドを水素終端することのないガスのプラズマにより基板上の残留ハロゲンを除去する工程とを有する。上記残留ハロゲン除去の際に使用されるガスは、例えば、酸素ガスを主成分とするガス用いることができる。また、上記導電膜は、例えば、ポリシリコン膜により構成される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な薄膜トランジスタ及びその作製技術を提供することを目的とする。また、薄膜トランジスタを構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタが有する配線や電極パターンは、第１の領域及び第２の領域を有する絶縁表面上に設けられた配線層と、配線層に接する電極層とを有し、前記配線層は前記第２の領域に設けられ、電極層は第１の領域に設けられ、電極層及び配線層に対するぬれ性は、前記第１の領域より前記第２の領域が高い領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 窒素濃度が高く、尚且つ、膜厚の薄いシリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜として形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上にシリコン酸化膜２０を形成し、プラズマ窒化法を用いてシリコン酸化膜に窒素を導入することによって第１のシリコン酸窒化膜３０を形成し、プラズマ窒化法を用いて第１のシリコン酸窒化膜に窒素を導入することによって第２のシリコン酸窒化膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】活性領域の微細化が図れ、且つ、隣接する活性領域間を自己整合的に接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の活性領域Ｒ１０と第２の活性領域Ｒ２０との間に形成されている溝型素子分離領域２のうち、ゲート電極４ａｂの両側に位置する領域の一方側に凹部２Ａが形成されている。この凹部２Ａは、ソース・ドレイン領域６ａとソース・ドレイン領域６ｂに挟まれている。そして、絶縁性サイドウォール５ａｂの側方下に位置する溝型素子分離領域２に設けられた凹部２Ａの側壁上にはシリサイド層７ｄがサイドウォール形状に形成されている。このシリサイド層７ｄは、シリサイド層７ａ及びシリサイド層７ｂと一体的に形成されている。これにより、ソース・ドレイン領域６ａとソース・ドレイン領域６ｂは、シリサイド層７ａ，７ｂ，７ｄを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 導電性にばらつきのない貫通電極を安定して形成するとともに、低コストで貫通電極を形成する方法を提供する。
【解決手段】 非貫通孔を有する基板に、導電性を有し、非貫通孔の容積よりも小量の体積の導電材料を、基板の厚み方向一方側の表面部に供給して、非貫通孔の開口部を塞ぎ、非貫通孔外の空間の圧力を非貫通孔の圧力よりも高くし、非貫通孔内外の差圧によって、導電材料を非貫通孔に充填する充填操作を、非貫通孔が導電材料で満たされるまで繰返し導電材料を充填し、基板の他方の面を、導電材料が外方に露出するまで後退させることによって、導電性にばらつきのない貫通電極を安定して形成する。 （もっと読む）

【課題】温・湿度依存性の低い導電膜の形成方法を提供すること。また、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた金属配線を製造する際に好適な導電膜の形成方法を提供すること。更に、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた導電パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、該基板表面に直接結合し、且つ、親水性基を有するグラフトポリマーを生成させる工程と、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する工程と、無電解メッキを行う工程と、前記親水性基を疎水性に変換する工程と、をこの順に有することを特徴とする導電膜の形成方法、及び該方法で得られた導電膜をエッチングする工程を含む導電パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及びＮＨ_３ガスを同時に導入して基板上で反応させて、Ｔａ−ＮＮ_３を有する還元化合物を生成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及びハロゲンガスを導入してＴａＮ_ｘ(Ｈａｌ)_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚ化合物膜(Ｈａｌは、ハロゲン原子を表す)を形成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してハロゲン化生成物と反応させてタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗の上昇や漏れ電流の増加を抑えつつ、微細化に伴う短チャネル効果を効果的に抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上には、ゲート絶縁膜２を介してゲート電極３が形成されており、ゲート電極３の側壁にはサイドウォール絶縁膜５が形成されている。サイドウォール絶縁膜５の直下の半導体基板１には、エクステンション領域６が形成されており、エクステンション領域６の外側には深いソース・ドレイン領域７が形成されている。ソース・ドレイン領域７の内側であって、ソース・ドレイン領域７と半導体基板１との界面に、拡散抑制膜８が形成されている。拡散抑制膜８は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜からなる。拡散抑制膜８により、ソース・ドレイン領域７中の不純物の横方向拡散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】二酸化シリコン換算膜厚が５ｎｍ未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したＭＩＳＦＥＴにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１の主面上に形成した二酸化シリコン換算膜厚が５ｎｍ未満のゲート絶縁膜９Ａ上にゲート電極材料であるＷ膜１１Ａを形成した後、水分／水素分圧比がＷ膜１１Ａを実質的に酸化せず、シリコンを酸化するような割合に設定された水分＋水素混合ガス雰囲気中でシリコン基板１を熱処理することにより、Ｗ膜１１Ａ直下のゲート絶縁膜９Ａの欠陥を修復する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチＭＭＩＣに採用するＨＥＭＴは、ゲート電極となるＰｔの蒸着膜厚を４０Å〜６０Åにするとよい。しかし、膜厚数十Åの蒸着金属の測定については、通常の触針式の段差計では測定不可能である。膜厚を正確に測定するにはＴＥＭ観察しか方法がないが、その準備として試料作成に非常に時間を要する。また１回の測定で数十万円の費用が発生する。
【解決手段】 シート抵抗値と実蒸着膜厚の一義的な相関データを算出しておき、モニターウエハのシート抵抗値からモニターウエハの実蒸着膜厚を換算し、蒸着機を管理する。管理された蒸着機によってＨＥＭＴを形成することにより、ＴＥＭ観察を行うことなく、日常管理において頻繁にかつ迅速に蒸着金属の膜厚を管理できる。 （もっと読む）

【課題】 スイッチＭＭＩＣに採用するＨＥＭＴは、Ｐｔ埋め込みゲート構造の場合、ゲート電極となるＰｔの蒸着膜厚を４０Å〜６０Åにするとよい。しかし、膜厚数十Åの蒸着金属の膜厚制御は膜厚が薄過ぎるため、蒸着機のチャンバー内に通常配置されている水晶振動子式膜厚計による制御では制御できない。
【解決手段】 蒸着機内に抵抗素子を配置した抵抗回路を設ける。抵抗素子は絶縁基板の両端に電極が配置され、ＨＥＭＴのゲート金属層の蒸着と同時に絶縁基板にモニター用金属層が蒸着される。モニター用金属層の抵抗値を測定し、所定の値に達した時点で蒸着を終了させることにより、膜厚数十Åの蒸着金属の膜厚制御を、水晶振動子式膜厚計による膜厚制御よりはるかに精度良く制御できる。 （もっと読む）

【課題】 しきい値が低い高性能の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０の表面部に形成されるＣＭＯＳを備える半導体装置１において、ＰＭＯＳ１のゲート電極Ｇ４は、窒化タングステンによる表面処理を行なったタングステン上に多結晶シリコン２１を堆積させることにより形成する一方、ＮＭＯＳ１のゲート電極Ｇ２は、タングステン薄膜上にと多結晶シリコン２１を形成した後の熱処理でタングステン薄膜をタングステンシリサイド２３に反応させることにより、ゲート電極Ｇ２の仕事関数をゲート電極Ｇ４の仕事関数からシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】 表面に凹凸パターンを有する基板上に均一な膜を所定の膜厚で成膜する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に凹凸パターンを有する基板上に第１の材料からなる第１の膜厚の薄膜を堆積する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、表面に凹凸パターンを有しないモニタ基板上に前記第１の材料からなる薄膜を形成してその薄膜の膜厚を測定することにより前記第１の膜厚の薄膜を堆積する第１の条件を算出し、前記凹凸パターンを有する基板上に、前記第１の条件よりも厚い薄膜が堆積される第２の条件で前記第１の材料を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）