【課題】 走査プローブ顕微鏡を用いて、凹凸形状を有する試料（特に急峻なエッジを有する試料）を測定する際には、ユーザによる測定パラメータの設定により、測定形状に誤差が発生する場合がある。本発明は、ユーザの判断によって測定パラメータを設定することなく、容易に、適切な各測定パラメータを設定することができる手法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明では、走査プローブ顕微鏡を用いた試料測定において、スキャン速度、フィードバックゲイン、接触力等の各測定パラメータを変化させて実際の測定対象を測定し、その測定形状から得られた特徴量を用いて適切な測定パラメータを設定する。 （もっと読む）

【課題】 多層構造を有する被加工体において、ＦＩＢ像として認識不可能な位置、さらには光学像としても認識不可能な位置に対しても、精度よく位置合わせを行うことができ、短時間で加工を行うことができるＦＩＢ加工の位置合わせ方法及びＦＩＢ装置を提供する。
【解決手段】 被加工体の加工目的位置の近傍の上層膜をＦＩＢ加工によって除去し、ＦＩＢ像において識別可能なレイアウトパターンを露出させる。当該露出パターンの形状を認識した後、被加工体のレイアウトデータ上で露出パターンを特定する。このようにして特定されたレイアウトデータ上における露出パターンの座標、及び予め指示されているレイアウトデータ上における目的位置の座標から、現実の被加工体上の目的位置を加工位置に位置させるために必要な移動量が演算される。そして、当該移動量に基づいて、現実の被加工体の位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】構造の３次元表面粗さを測定する改良された方法を提供すること。
【解決手段】事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。次いで、これらの連続「スライス」からのデータは、フィーチャについて３次元表面粗さを決定するために使用される。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置の解析対象部を含む層を剥離や研磨で表面化することなく、上層から解析対象部を特定し、直接、断面解析可能とする。
【解決手段】 解析対象部１１より上方の第１の配線層に形成された第1の解析用目印パターン１２と、第１の配線層より上方の第２の配線層に形成された第２の解析用目印パターン１３とを備える。第１および第２の解析用目印パターンは、共に、平面的に見て、解析対象部内にある解析対象箇所を通る直線に平行する直線を一辺とする。また、第１および第２の解析用目印パターンの各一辺側が少なくとも解析対象部と重複するように、第１および第２の解析用目印パターンが解析対象部と部分的に重複している。第１および第２の解析用目印パターンは、平面的に見て、解析対象部に対して互いに他の解析用目印パターンとは反対の方向に、解析対象部とは重複しない領域まで延伸して形成されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置で特定された欠陥は、他の装置を用いて解析が行われる。他の装置での欠陥位置の特定は、ビットパターンがウエハ上に数百個配列されているような場合は手作業でカウントしなければならないため、非常に困難で欠陥位置の誤認識も招く。また欠陥位置の特定に時間がかかるので、欠陥の解析結果がでるまでに時間がかかる。つまり製造ラインへのフィードバックが遅れ、スループットを低下させている。
【解決手段】欠陥検査装置で検出された欠陥の周辺に、レジストを用いてマーキングを形成する。
【効果】欠陥検査装置で検出された欠陥を、解析装置で正確に簡便に特定することができるため、短時間で解析結果が得られる。そのため、製造ラインへのフィードバックが早くなり、歩留まりが向上し、コスト低減に繋がる。 （もっと読む）

【課題】少ない労力で試料のエッジを検出することができる試料エッジ処理装置及び試料エッジ処理方法を提供する。
【解決手段】 この試料エッジ処理装置は、試料２を載置する試料台１０と、試料台１０を平面内で移動させる駆動部１２と、試料台１０上の試料２のエッジ２ａを撮像する撮像部２２と、撮像部２２が撮像した画像内の明度差に基づいて、エッジ２ａを検出する演算部２４と、演算部２４の検出結果を用いて、エッジ２ａの一端から他端までが撮像部２２の撮像エリア内を通るように、駆動部１２に試料台１０を移動させる制御部２４とを具備する。エッジ２ａを研磨する研磨部１４を更に具備してもよい。この場合、演算部２４が検出したエッジ２ａの位置を記憶する記憶部２４ａを更に具備し、制御部２４は、研磨部１４を動作させつつ、記憶部２４ａが記憶したエッジ２ａの位置を用いて、エッジ２ａが研磨部１４に沿って移動するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】
寸法計測法方及びその装置において、パターンの走査型電子顕微鏡画像から得られる画像プロファイルを用いて，パターンの断面形状上の所望の位置におけるパターン寸法を計測できるようにする。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡で撮像して得た試料の二次電子画像を用いて試料上に形成されたパターンの寸法を計測する方法において、走査型電子顕微鏡を用いて試料の二次電子画像を取得し、この取得した二次電子画像の中で寸法を計測するパターンの画像プロファイルを二次電子画像を用いて作成し、予め記憶しておいた断面の形状と寸法とが既知で形状が異なる複数のパターンのそれぞれの二次電子画像から得られた複数のパターンのそれぞれに対応する複数のモデルプロファイルの中から作成した画像プロファイルと最も一致するモデルプロファイルを検索し、この検索して得たモデルプロファイルの情報を用いてパターンの寸法を求めるようにした。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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第１横断区分と第２横断区分との間に置かれた中間区分により画成されるサブミクロン断面を有する被測定構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法。この方法は、基準構造素子の第１部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第１横断区分とを第１の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第１横断区分との間の第１関係を決定する第１ステップで開始する。この第１ステップの後に、基準構造素子の第２部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第２横断区分とを第２の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第２横断区分との間の第２関係を決定する第２ステップが続く。この方法は、上記第１関係及び第２関係に応答して上記被測定構造素子の断面特徴を決定する第３ステップで終了となる。 （もっと読む）