【課題】半導体デバイスの複雑な構造のばらつきを直感的かつ定量的に評価することができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物の像を検出する画像検出部６、検出した画像を処理する画像処理部９１、被検査物をスキャンするビーム制御系９２およびステージ制御系９３を有するスキャン制御部を備えた画像検出部１０と、検出した画像から外観を検査する外観検査処理部２０とを備えた外観検査装置において、外観検査処理部１０が、取得した複数の像を重ね合わせ、像の各点（ｘ，ｙ）における代表的な値（代表値データμ(ｘ，ｙ)）を求める代表値データ作成処理機能２１２と、複数の像の各点（ｘ、ｙ）における許容範囲の値（ばらつきデータσ(ｘ，ｙ)）とを求めるばらつきデータ作成処理機能２１３と、代表的値データとばらつきデータとを元に、検査対象物の良否を判定する判定処理機能２１４を有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】開示されている方法は、フィーチャの断面を繰り返し生成することによって、１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する。方法は、１または複数の加工済みフィーチャに近接する表面をミリングする工程を含み、ミリングされた表面は、フィーチャが位置する層と実質的に平行である。ミリング工程ごとに、１または複数の加工済みフィーチャのトップダウン画像化工程が、複数の断面画像を生成する。複数の断面画像の各々は、加工済みフィーチャの表現に再構成される。 （もっと読む）

【解決手段】第１器機（２３０）を使用して、規定断面のトレンチ（１１０）を有する第１半導体製品を画像化する。一方、同時に、第２器機（２２０）を使用して、規定断面のおトレンチを有する第２半導体製品を形成する。さらに、本開示の方法によれば、粗加工およびそれに続く微細加工を施すことにより、半導体製品に規定断面のトレンチ（１１０）を形成する。 （もっと読む）

【課題】断面および観察対象断面が所定位置に配置された複数の断面像を取得することが可能な、画像取得方法を提供する。
【解決手段】断面像撮影工程（Ｓ５２）の前に、観察対象断面以外の領域をＥＢ走査してリファレンスマーク画像を撮影するマーク画像撮影工程（Ｓ４２）と、撮影されたリファレンスマーク画像をリファレンスマーク基準画像と比較して、所定時点に対する現在のＳＥＭドリフト量を算出するドリフト量算出工程（Ｓ４４）と、所定時点に対する現在の観察対象断面のオフセット量を算出するオフセット量算出工程（Ｓ４６）とを有し、断面像撮影工程（Ｓ５２）では、所定時点におけるＥＢ走査領域をＳＥＭドリフト量およびオフセット量に基づいて補正し、断面像を撮影する構成とした。 （もっと読む）

【課題】多層膜構造の化合物半導体基板の検査において、高精度に品質評価を行える検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層及びＧａＮ層が順次積層された化合物半導体基板１０の検査方法であって、バッファ層及びＧａＮの積層方向における断面を露出させる工程（Ｓ１）と、露出した断面にレーザを照射して、その断面のバッファ層、ＧａＮ層、及びバッファ層とＧａＮ層との界面の３点の応力を評価する工程と（Ｓ２）、縦軸を応力値、横軸を測定位置とした座標面に、３点の応力の応力値を各々プロットし、そのプロットした３点の座標面における位置により、化合物半導体基板１０の良否を判断する工程（Ｓ３）とを行う。 （もっと読む）

【課題】高精度に断面解析を行う方法の提供。
【解決手段】素子と、半導体基板１１の上方から見て素子を通る仮想直線の両側にそれぞれ配置された少なくとも一対の位置決めマーカ１６ａ，１６ｂと、を半導体基板１１上に形成する工程と、所定の工程で素子の断面構造を観察する半導体基板１１を選択する工程と、位置決めマーカ１６ａ，１６ｂの断面幅および／または位置決めマーカ１６ａ，１６ｂと素子との距離に基づいて、素子を含んだ壁構造体を形成する工程と、壁構造体の断面構造を観察する工程と、を有する半導体装置１０の製造方法によって、高精度に断面観察を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】配線内部の一部分にボイドが発生しているような場合でも、ボイドを検出することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子部を有する半導体装置の製造方法において、基板１２上に絶縁膜２２を形成する工程と、絶縁膜２２に複数の孔部を形成する工程と、これら複数の孔部に埋め込まれるよう、絶縁膜２２上にメタル部２４を形成する工程と、これら複数の孔部にメタル部２４を残存させ、ボイド検出用モニター部１６がディッシングにより素子部より窪んだ形状をなすよう、絶縁膜２２が露出するまでメタル部２４を研磨する工程と、ボイド検出用モニター部１６のメタル部２４表面にボイド１０が露出しているか否かを検出する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

【課題】共通のイオンビームカラムを用いて試料の加工とダメージ層の除去とを迅速に実行することができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ガスイオン源１１から引き出されたイオンビーム１２を試料３１に導くイオンビーム光学系と、イオンビーム１２を通過させてイオンビーム１２の断面を成形する開口１５ａ〜１５ｃを有するマスク１５と、ガスイオン源１１に印加する加速電圧及びマスク１５の動作を制御するイオンビームカラム制御部１８とを備え、イオンビームカラム制御部１８は、マスク１５の開口１５ｂ，１５ｃに通して断面成形した高速加工用のイオンビーム１２を投射して試料３１又は試料片５０を加工する手順と、高速加工用のイオンビームに比較して加速電圧を下げ、加工後の試料３１又は試料片５０の観察面にイオンビーム１２を投射して観察面のダメージ層を除去する手順とを実行可能である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の断面を観察するための技術において、同一のイオン源から引き出したイオンビームを用いて、試料を加工し、試料の被加工部分の観察を可能にするイオンビーム加工・観察技術を提供する。
【解決手段】試料を加工するガスイオンビーム種と試料を観察するときのガスイオンビーム種を切り替えることが可能である装置とする。試料加工時のガスイオンビーム種と試料観察時のガスイオンビーム種との切り替えを実現するためのイオン源として、ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２系統備え、各々のガス系統において各々のガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を各々設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工によって所望の断面を得る。
【解決手段】解析領域１０に、下層配線１３、上層配線１４およびビア１５と共に、そのビア１５に対する所定の位置に、所定の形状で、複数のマーカ１６を形成する。マーカ１６は、解析領域１０のＦＩＢ加工方向Ｆに断面を形成していったときに、その断面とビア１５との距離によって、その断面における現れ方が異なるように形成する。ＦＩＢ加工時のマーカ１６の現れ方の違いから、形成した断面とビア１５との距離を判別することができ、その判別結果を用いて、所望の断面を容易に精度良く得ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】描画加工に費やす時間が短縮でき、試料の加工や観測の精度が高い半導体の加工観察装置を提供すること。
【解決手段】Ｇａイオンビームが含まれる描画加工用イオンビームを照射する加工装置と、電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置と、Ａｒイオンビームが含まれる除粉用イオンビームを照射する除粉装置と、これらの三つの装置をまとめて収める真空容器と、この真空容器に置かれ、かつ試料を載置する載置テーブルとを有し、三つの装置の照射する各ビームが試料に集合するように配置され、電子ビームの照射で試料から発生する二次電子を検知する検知器を有し、かつ電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置の加速電圧を０．６ｋｅＶ〜３ｋｅＶ程度にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高価な２次元ステージを用いることなくサファイアインゴット等の被測定物内に存在する欠陥等散乱体の位置と大きさ等を観察できる光散乱観察装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１からのレーザ光線を被測定物５へ照射し被測定物から出射されるレーザ光線をＣＣＤカメラ７で撮影して被測定物内に存在する散乱体を観察する光散乱観察装置であって、レーザ光源と被測定物との間の光路上に、直線偏光の方位を回転させる２分の１波長板２とガルバノミラー３および反射ミラー４が配置されると共に、２分の１波長板を透過したレーザ光線がガルバノミラーと反射ミラーにより平面状に走査されて被測定物断面の散乱像が観察されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工による薄板化を行うＴＥＭ用観察試料の作製において、ＦＩＢ加工試料台への試料設置における試料表面の傾斜誤差を精度高く補正する。
【解決手段】観察を行う試料表面とその近傍の斜面部に、それぞれ直線状をなす目印があり、各部の目印の直線状位置関係に関し、一直線に繋がっていない場合、あるいは平行関係にない場合、ＦＩＢ加工面は所定の位置から傾いており、試料台の回転機構などを用いて、前記関係が一直線に繋がるように調整することで、試料面の傾斜を補正する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で試料の断面を広範囲に観察することができる試料観察方法及び試料観察装置を提供する。
【解決手段】微細パターンが形成されたウエハである平板状の試料Ｓに対して、グロー放電によって表面から深さ方向に掘削し、試料Ｓの表面から深さ方向に掘削断面を形成する。形成した掘削断面に電子線を照射し、ＳＥＭによって試料Ｓの掘削断面の観察を行う。グロー放電によって、試料Ｓの特定の位置に掘削断面を形成することができ、また試料Ｓの表面を広範囲に短時間で掘削することができる。従って、ウエハに形成された微細パターンの欠損の検査を、簡便に短時間で広範囲に実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】正確な断面観察を行なうことができる観察用試料を、簡便な方法により、素早く大量に作製することが可能な観察用試料の作製方法及び観察用試料を提供する。
【解決手段】単結晶基板２上に金属膜３が成膜された試料１０の金属膜３側の表面に罫書線１０ａを形成し、試料１０を、液体窒素５０中で冷却しながら、罫書線１０ａに沿ってへき開する方法とする。 （もっと読む）

【課題】所望の位置における断面をより容易かつ確実に取得可能な薄膜積層体の検査方法を提供すること。
【解決手段】基板本体２上に形成された線状パターン１５と、基板本体２上に線状パターン１５と線状パターン１５上で交差するように形成された第１電極層１６とを有する第１ＴＦＤ素子１８の検査方法において、基板本体２を、線状パターン１５の一端辺１５ｃと第１電極層１６の一端辺１６ａとの第１交点Ｐ１と平面視で重なる箇所を支点として応力をかけて、第１ＴＦＤ素子１８のうち少なくとも平面視で線状パターン１５及び第１電極層１６と重なる領域を、第１電極層１６の一端辺１６ａに沿って割断する割断工程を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造工程の途中段階で試料の断面を検査し、この試料を再び製造ラインに戻して、この試料の製造及び製造ラインに影響を与えずに製造を継続すること。
【解決手段】半導体ウエハの製造途中の任意の工程後に、半導体ウエハの断面を露出させるために局所的に加工する工程と、前記断面の検査を行う工程と、前記検査で不良と判断された場合、前記断面検査情報と、前記任意の工程までの製造来歴情報と、前記任意の工程までの異物やパターン等の検査情報と、設計情報と、に基づいて半導体ウエハの不良解析を行い、前記不良解析結果に基づいて前記任意の工程までの製造条件を修正する工程と、半導体ウエハの断面を露出させるために除去した部分を埋め込む工程と、からなり、前記任意の工程の次の工程に前記半導体ウエハを戻して製造を継続する半導体ウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いた欠陥部位を含むマイクロサンプリング摘出等の加工において、高速に安定して加工を行い、スループットを向上する。
【解決手段】加工を開始する前に、加工点でのビーム直径を計測し、ビーム径とビーム走査間隔とがほぼ一致するように加工条件を決める。サンプルプローブを欠陥部に可能な限り接近させて、プローブ移動時間を短縮し、マイクロサンプル切り出し時間を短縮化する為に、パターン部で発生した計測異常値を検出し、除去することで計測精度を上げる。更に、ガスアシスト処理を行っている間、試料室内の真空度を監視し、異常時にガスノズル、ガス源の温度を上昇させ、所定の圧力値まで制御を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く、試料表面にFIB照射損傷を与えることなく、SEM試料やSTEM試料を作製する。
【解決手段】試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 （もっと読む）