【課題】臨界膜厚よりも薄い歪み半導体混晶薄膜の室温のバンドギャップエネルギーを簡便に測定する方法を提供すること。
【解決手段】半導体結晶基板１上に、厚さ２００ｎｍ、アクセプタ濃度１×１０^２０ｃｍ^−３のＧａＡｓＳｂからなるｐ型エピタキシャル膜２、測定対象であるドーピングを施していないＩｎ_０．８５Ａｌ_０．１５Ｐからなる混晶薄膜３、および、厚さ５０ｎｍ、ドナー濃度１×１０^１９ｃｍ^−３のＩｎＧａＡｓからなるｎ型エピタキシャル膜４を、この順序で順次形成されてなる試料５の分光反射スペクトルに現れるフランツ−ケルディッシュ振動のピークおよび谷に光子エネルギーが低い方から順に番号を付し、第ｊ番目のピークまたは谷に対応する係数〔(３π/２)(ｊ−１/２)〕^２／３と、第ｊ番目のピークまたは谷における光子エネルギーとの直線関係から混晶薄膜３のバンドギャップエネルギーを求めることを特徴とする半導体結晶測定方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】シーリングリング組立部品と電気化学容量電圧（ＥＣＶ)の測定結果に使用する電気化学セルへのシーリングリングの据付の改良方法に関する。
【解決手段】リング２は、リングの中央の穴５とホルダー１の正面の間の流動体の交流を提供する少なくとも一つの二番目の穴６が設けられたホルダー１の中に設置される。その二番目の穴６は効果的に気泡を取り除き電解液を活性化するその或いはそれぞれの二番目の穴６を通ってシーリングリング２に入ってくる電解液に一定の循環流を与えるために平行方向でしかし中央の穴の内壁に対して接線方向に位置補正されている。ホルダー１は繊細なシーリングの表面を損傷する危険性をかなり少なくしてリングの取り外しを容易にしている。
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【課題】半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域にドーピングされた不純物の深さ方向分布を測定する事は、既存のどの方法においても、主として深さ方向分解能の不足によって、不可能であった。しかし、これを実現させることが最新半導体デバイス開発において必要であるため、これを可能にする技術の実現が切望されていた。
【解決手段】本発明では、半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域について、その最表面の１ｎｍ以下の薄い領域を、不純物分布を乱すことなく酸化し、その酸化膜中を薬液により溶解させる。そして、薬液中にとりこまれる不純物量と半導体構成元素量を既存の方法で定量する。これを繰り返すことによって、今まで実質的に不可能だった１０ｎｍ程度の極浅領域の不純物深さ方向濃度分布測定を可能にさせる。 （もっと読む）

ウェーハ加工プロセスにおける更なるステップとして、ドーピングされた層の横方向急峻性を監視するために、どのような半導体ウェーハ加工プロセスをも変更することができる。一実施形態においては、１つ以上のドーピングされた領域を含むテスト構造が、製品ウェーハに形成され（例えば、１つ以上のトランジスタと同時に）、テスト構造の１つ以上の寸法が測定され、ウェーハのその他のドーピング領域における、例えば、同時に形成されたトランジスタにおける横方向急峻性の判断として使用される。テスト構造におけるドーピングされる領域は、お互いに一定の間隔を置いて規則正しく配置することができ、あるいは、隣接するドーピングされた領域間の間隔を変化させて配置されてもよい。あるいは、または、それに加えて、複数のテスト構造が、単一ウェーハに形成されてもよく、それぞれのテスト構造においては、ドーピングされた領域は、一定の空間的間隔で配置され、異なるテスト構造は、異なる空間的間隔を有する。
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ウェーハ加工プロセスにおける更なるステップとして、ドーピングされた層の横方向急峻性を監視するために、どのような半導体ウェーハ加工プロセスをも変更することができる。一実施形態においては、１つ以上のドーピングされた領域を含むテスト構造が、製品ウェーハに形成され（例えば、１つ以上のトランジスタと同時に）、テスト構造の１つ以上の寸法が測定され、ウェーハのその他のドーピング領域における、例えば、同時に形成されたトランジスタにおける横方向急峻性の判断として使用される。テスト構造におけるドーピングされる領域は、お互いに一定の間隔を置いて規則正しく配置することができ、あるいは、隣接するドーピングされた領域間の間隔を変化させて配置されてもよい。あるいは、または、それに加えて、複数のテスト構造が、単一ウェーハに形成されてもよく、それぞれのテスト構造においては、ドーピングされた領域は、一定の空間的間隔で配置され、異なるテスト構造は、異なる空間的間隔を有する。
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