カンチレバー尖端がショットキー障壁を形成しながら半導体試料との接触状態に入るようになっている原子間力顕微鏡を用いた、半導体試料の表面および/または表面付近の層領域のドーパント密度の算出方法が説明され、前記半導体試料の内部の前記ショットキー領域の空間範囲を決定している空間電荷領域が、その空間範囲に関して起振されるように、前記カンチレバー尖端と前記半導体試料との間の前記ショットキー障壁の領域に交流電位が印加され、その振動が前記カンチレバーに伝達され検出されて、それに基づきドーパント密度が算出される。 （もっと読む）

【課題】実用性に優れた半導体基板の品質評価方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板表面をエッチングする工程と、異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記半導体基板の品質を、前記検出される輝点の数および／または分布パターンに基づき評価する。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記評価される品質は、基板に含まれる汚染金属の種類であり、前記汚染金属の種類を、前記検出された輝点の元素分析を行うことによって特定する。 （もっと読む）

【課題】半導体試料に加えられるダメージの影響の低減が可能で、より鮮明な不純物濃度分布に関する情報を取得することが可能な半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法を提供すること。
【解決手段】収束イオンビームを用いて、ｐ型とｎ型のうちの１つ以上の導電型の不純物を含む半導体基板から半導体片を切り出す切出工程Ｓ１１０と、切出工程Ｓ１１０で切り出した半導体片を、１０μｍ以下の厚さの導電性の箔の上に固定して電気的に接続する箔固定工程Ｓ１２０と、箔固定工程Ｓ１２０で導電性の箔の上に固定された半導体片に、所定の希ガスイオンを照射して、切出工程Ｓ１１０で生じたダメージ層の一部または全部を除去して半導体試料を形成するダメージ緩和工程Ｓ１３０と、を備える構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入量に制限されることなく、半導体ウエハ面内の詳細なイオン注入量分布を評価する。
【解決手段】 評価用ウエハ２において、ソース１０ａ及びドレイン１０ｂと、ソース１０ａとドレイン１０ｂの間に形成されたチャネル領域１０ｃと、チャネル領域１０ｃ上に形成されたゲート酸化膜１０ｄと、ゲート酸化膜１０ｄ上に形成されたゲート電極１０ｅとを備えた、複数の同一構造をもつ評価用トランジスタ１０のみが、半導体ウエハ２ａの主表面全体に等密度に分布して形成されている。各評価用トランジスタがフィールド酸化膜８によって他の評価用トランジスタ１０と電気的に分離されている。チャネル領域１０ｃは、イオン注入量分布の評価対象であるイオン注入が施されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＴ−ＩＲ法によるシリコン結晶中の炭素濃度の測定において、カーボン赤外吸収ピーク近傍のベースラインを水平化し、簡便に特定することができ、低濃度であっても、より正確に測定することができるシリコン結晶中の炭素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】被測定シリコン結晶が、ｎ型であり、抵抗率が１．５Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、０．５Ωｃｍ以上１．０Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、また、前記被測定シリコン結晶が、ｐ型であり、抵抗率が２０Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．５Ωｃｍ以上２０Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、エッチング面の反射率が３５％以上４５％以下となるように、サンプルの表面形状を制御する。 （もっと読む）

本発明は、非破壊方法で、未知の半導体基板から少なくとも活性キャリアプロファイルを決定するための方法および装置を提供する。該方法は、ｍ個の反射信号から２ｍ個の独立した測定値を生成すること、これらの２ｍ個の測定値を２ｍ個の独立したキャリアプロファイル値と相関させることを含む。該方法は、追加の２ｍ個の測定値を生成し、４ｍ個の測定値を４ｍ個のプロファイル値と相関させることによって、活性キャリアプロファイルおよび第２パラメータプロファイルを決定することをさらに含む。該方法は、全部で２ｍ［ｎ，ｋ］個の測定値を生成し、［ｎ，ｋ］個の独立した材料パラメータ深さプロファイルを決定することをさらに含み、各材料パラメータプロファイルはｍ個のポイントからなる。
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【課題】平坦な基板に数十nmの深さに注入した不純物の深さ分布を非破壊で精度よく測定する方法を提供する。
【解決手段】数十nmの深さに不純物を注入した基板に、入射角度を走査しながらＸ線を入射し、被測定試料によって反射されたＸ線の干渉振動曲線を測定し、干渉振動曲線のデータから、被測定試料に注入された不純物元素の深さ分布を測定する。干渉振動曲線のデータの解析は、Ｘ線反射率を表す解析式に干渉振動曲線をフィッティングすることにより行う。この際、不純物分布を適当な関数に近似し、関数に含まれるパラメータを最適化することにより深さ分布を得る。 （もっと読む）

【課題】 高い感度で基板を評価可能な半導体評価装置を提供する。
【解決手段】 半導体評価装置は、半導体基板に向かって進行する第１プローブ光を照射するプローブレーザＰｂを含む。第１ハーフミラーＭｈ２は、第１プローブ光の一部の第２プローブ光を第１プローブ光から取り出す。光測定器Ｄは、第１プローブ光が半導体基板により反射されることにより得られる第１反射プローブ光と、第２プローブ光が参照用の内部状態を有する第１参照サンプルにより反射されることにより得られる第２反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む。 （もっと読む）

【課題】 ブロードバンドギャップ半導体のキャリア濃度を非破壊・非接触で解析する方法を提供する。
【解決手段】 不純物添加型ワイドギャップ半導体の励起子共鳴吸収の吸収曲線の非対称性に基づいて、該半導体のキャリア濃度を求めるキャリア濃度の解析方法である。 （もっと読む）

【課題】
従来では、パッケージ基板をモデル化して解析することは行われておらず、パッケージ設計前にパッケージ基板を考慮した電源解析を行うことは不可能であった。
【解決手段】
電源解析方法は、半導体素子が搭載されるパッケージ基板を複数の第１の領域に分割し、前記複数の第１の領域に対して、仮想の平板導体を設定し、前記平板導体のインダクタンス特性を含む複数の電気特性を計算し、それぞれの第１の領域内のヴィア数から、前記インダクタンス特性に関して補正を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のキャリア濃度を精度良く効率的に測定する。
【解決手段】 キャリア濃度Ｎｃに依存しない方法で探針試料間距離Ｓの基準点を決定した後（ステップＳ１）、探針試料間距離Ｓとトンネル電流Ｉｔとの関係を求め（ステップＳ２）、これを適当な関数式を用いてフィッティングし（ステップＳ３）、その関数式の中の濃度依存性の係数を、あらかじめ作成したデータテーブルを参照する等して、キャリア濃度Ｎｃに変換する（ステップＳ４）。これにより、濃度測定のスループットを向上させると共に、変換処理を簡略化して変換精度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】従来は、不純物の注入深さを良好に監視することができなかった。
【解決手段】イオン注入装置によってウェハに注入された不純物の注入深さを測定装置で測定し、測定された不純物の注入深さが許容範囲内か否かを監視する不純物の注入深さ監視方法において、絶縁膜６４と、絶縁膜の上に、１０００Å単位以下の厚さで形成されたＳｉ層６６とを有するウェハ６０を測定用ウェハとして用い、測定用ウェハに対して、測定用ウェハの主表面となるＳｉ層の表面の上方から不純物を注入した後、熱処理を施し、測定装置によって、熱処理済みの測定用ウェハの主表面の表面抵抗率Ｒｓを測定するとともに、表面抵抗率に対応する、測定用ウェハに注入された不純物の濃度がピークとなる、主表面からの濃度ピーク深さＲｐを、主表面からの不純物の注入深さとして検出する。 （もっと読む）

本発明は、１回の方法で、互いに独立して、半導体基板のキャリア濃度レベルと接合深さとを、非破壊の方法で特定するための方法および装置を提供する。
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【課題】半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性をテストする方法を提供する。
【解決手段】基材４上にスクリーン誘電層６が配設された半導体ウェハ２を提供する工程と、スクリーン誘電層６の表面に、スクリーン誘電層６が露出される少なくとも１つの開口部１０が形成されたフォトレジスト８を形成する工程と、フォトレジスト８が形成された半導体ウェハ２の表面にイオン注入する工程と、フォトレジスト８を除去する工程と、半導体ウェハ２をアニーリングする前にイオンを含む半導体材料とアラインメントされているか、又は、その近傍にある半導体ウェハ２のスクリーン誘電層６又は基材４の表面又はいずれかによって、少なくとも１つの電気接点部２２を形成する工程と、電気接点部２２を介して電気的刺激を与えることにより半導体材料の電気反応を測定する工程と、測定された電気反応から、許容差内でイオン注入されたか否かを判断する工程とを有する。 （もっと読む）

半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するために、半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流す。半導体ウエハに対して光パルスを照射すると、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流が第２の値へと増大する。光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値へ向かう変化速度を測定する。この変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度が測定される。
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【課題】 断面試料の観察面に残存する加工ダメージ層を簡単かつ効果的に除去する手段を備え、半導体デバイスの断面に関する各種測定を精度よく実施することが可能な断面試料を作製する方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板上に不純物を導入したシリコン層を有する半導体デバイスの断面試料片を作製する方法において、半導体デバイスの断面を露出させ、その断面を平坦化または薄膜化する加工を施した後、断面試料を過酸化水素とアンモニアと超純水とを含み、過酸化水素濃度がアンモニア濃度と等しいかまたはアンモニア濃度よりも高い処理液に浸漬させ、加工ダメージ層を除去し、加工ダメージ層が除去された断面表面に均一なシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体材料の温度を常に一定に保つための温度調整機構や多くの余分な工程を要することなく、周囲温度及び材料自体の温度変化にかかわらず、所定の応力測定を高精度かつ高速に行なえるようにする。
【解決手段】 単結晶シリコン基板３Ａ上にＳｉＧｅ層３Ｃ及び歪みシリコン層３Ｄを積層して作製された半導体材料３に単結晶シリコン基板３Ａにまで到達する波長の励起光を照射し、その照射に伴う基板３Ａからのラマンスペクトルのピークシフト量から半導体材料３の温度を推定し、その推定温度を用いて歪みシリコン層３Ｄ及びＳｉＧｅ層３Ｃのラマンスペクトルのピークシフトを補正し、その補正されたラマンスペクトルのピークシフト情報により、それら各層３Ｄ，３Ｃの内部応力を算出する。
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本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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【課題】 多孔質材料を特徴づける方法とシステムを提供することである。
【解決手段】 多孔質材料上の処理の有効性を診断するための方法とシステムである。たとえば、多孔質材料は、多孔質低誘電率材料を含むことができる。特に、方法は、材料の多孔率を特徴づけるためにＦＴＩＲスペクトロスコピーを利用することができ、材料の孔をシーリングする有効性を評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノレベル構造組成評価用試料、観察方法、観察装置、及び、多層膜構造を有するデバイスの製造方法に関し、微細領域において複雑に変化する組成構造を精度良く評価する。
【解決手段】 分析試料部１の表面より外部エネルギー或いは内部エネルギーにより前記分析試料部１を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱することにより分析試料部１のナノレベルの構造組成を観察するためのナノレベル構造組成観察用試料の分析試料部１を共通の柄部分２に対して複数の方向に突出する針状部分３〜７から構成する。 （もっと読む）