【課題】ウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することによりドーパント濃度を算出する測定方法において、特にウェーハ表面近傍のドーパント濃度を繰返し測定精度が高くかつ正確に算出することができるドーパント濃度測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃ−Ｖ法によりウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することによりドーパント濃度を算出するドーパント濃度測定方法であって、ウェーハ主表面の空乏層容量リアクタンスＸｃが直列抵抗Ｒｓの１５倍以上になる条件に調整して、調整した条件でウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することを特徴とするドーパント濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】光変調光反射測定技術を用いて、基板の半導体接合の深さの値を測定する方法。
【解決手段】半導体接合を含む少なくとも第１領域を有する基板を得る工程と、参照領域を得る工程と、少なくとも１回、以下のシーケンス、光変調光反射率測定のための測定パラメータのセットを選択する工程１１０、選択されたパラメータのセットを用いて、少なくとも第１領域の上で、半導体接合を有する基板を表す第１光信号を測定する工程１２０、選択されたパラメータのセットを用いて、参照領域の上で、第２光信号を測定する工程１３０、および第２光信号に対する第１光信号の比を測定し（１４０）、この後に、この比から、半導体接合の深さを導き出す工程１５０を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】オートドープの影響を適切に検出可能なオートドープの検出方法の提供。
【解決手段】オートドープの検出方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。このため、ＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。したがって、エピ成長膜におけるオートドープ取り込み部分の抵抗率を、ＰウェハＷｐの抵抗率やエピドープ制御膜部分の抵抗率よりも低くすることができ、この抵抗分布を測定することで、オートドープの発生状況を適切に検出できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与えるＮｉ及びＣｕについての簡便で、かつ高精度の定量分析方法を提供する。
【解決手段】被評価対象のシリコン基板の表裏面にポリシリコン膜を形成する工程(1)、ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)を含む、シリコン基板中のCu及びNiの含有量の評価方法。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度の定量的な測定や、微小領域の不純物濃度分布を測定することができる不純物濃度測定方法を提供する。
【解決手段】まず、走査型トンネル顕微鏡のステージ上に測定試料を載置する。次に、走査型トンネル顕微鏡により測定試料の測定面の傾斜角度を検出する。その後、検出した傾斜角度に基づいて走査型トンネル顕微鏡の探針のｚ方向の最大前進可能値を決める。次いで、走査型トンネル顕微鏡を使用し、探針が最大前進可能値を超えて移動しないようにし、トンネル電流値が一定の条件で探針を測定試料の測定面に沿って走査してＳＴＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの外周部の膜を確実に除去し、シリコンウェーハの外周部に含まれる金属不純物を高感度に分析可能なシリコンウェーハの分析方法を提供する。
【解決手段】溶出装置３０を用いて、外周部Ｅまで酸化膜を除去したシリコンウェーハの外周部Ｅに含まれる金属不純物を溶媒３６に溶出（回収）させる際には、まず、溶出用容器３３に所定量の溶媒３６を注入する。溶媒３６は、シリコンウェーハ１０の特性劣化の原因となるＣｕを確実に溶出させることが可能な、フッ化水素酸、過酸化水素水、および塩酸を含む溶媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来困難であったμ−ＰＣＤ法によるライフタイム測定を用いた拡散ウエハのより的確な品質評価を可能にすることを課題とする。
【解決手段】本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。また、本発明によると、前記拡散ウエハの熱酸化処理は、ウェット酸化で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの電気的特性評価方法及び電子デバイスの電気的特性評価装置に関し、実電子デバイスの電気特性を高精度でモニタリングするとともに、実測したモニタリング結果から抽出した物性値を用いて理論計算を行って精度の高いキャリア分布を取得する方法の提供。
【解決手段】電子デバイス試料の電気的物性値を測定する測定工程と、前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイス試料の電気的物性値を計算する計算工程と、前記測定工程で取得した実測値と前記計算工程で取得した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算工程とを用いて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を短時間で取得し、ＢＭＤ密度分布を高精度に評価することができる半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ中のＢＭＤ密度を評価する方法であって、半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を測定し、その後、半導体ウェーハ面内の複数箇所のＢＭＤ密度を測定し、半導体ウェーハの同じ位置における強励起顕微ＰＬ値と測定したＢＭＤ密度との関係式を求めて、求めた関係式から半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を用いて、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を数値化してＢＭＤ密度分布を評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】走査型容量顕微鏡を用いた半導体測定装置において、半導体基板などの測定サンプルのキャリア濃度を定量的に正確に測定することができ、しかもこのようなキャリア濃度の測定を、測定システムの規模の増大やコストアップを招くことなく低コストで行う方法の提供。
【解決手段】探針６ａと測定対象サンプル（濃度校正サンプル）３ｂ、３ｃとの間に形成される容量に交流電圧を印加したときの、該交流電圧の変化に対する容量の変化の比率である容量変化率を検出し、既知のキャリア濃度を有する測定比較サンプル３ｂ、３ｃにおける、その容量変化率とキャリア濃度との関係に基づいて、測定対象サンプル３ａの容量変化率から、該測定対象サンプル３ａのキャリア濃度の分布を導出する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によって形成されたダメージ層を欠陥層とする熱処理の進行状況を、シリコンウエーハを破壊することなく、また短時間で容易に評価する、つまりゲッタリング能力を十分に有しているかどうかを容易に評価することのできるシリコンウエーハの評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハの一方の表面からイオン注入することによって形成されたダメージ層を欠陥層とするための熱処理をした後に、前記シリコンウエーハの前記欠陥層の状態を評価するための評価方法であって、前記熱処理後に、前記シリコンウエーハのイオン注入を行った側の表面にＸ線回折法を用いてロッキングカーブを測定し、該ロッキングカーブの回折強度のピークの角度から０．００１°以上高角側及び低角側の積分強度を求め、該積分強度を用いて前記ダメージ層が前記欠陥層へどの程度変化したかを評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、基板の主表面をエッチングして基板を処理するときのエッチングの精度を向上し、高感度にシリコン基板の不純物を分析することができる基板処理装置およびシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の不純物の分析に用いる基板処理装置であって、少なくとも、被処理基板を保持するステージと、エッチング溶液を貯留する容器と、前記エッチング溶液の蒸気を前記基板の主表面に局所的に噴射するノズルと、前記ノズルを前記基板の主表面に沿って移動する移動機構と、前記容器から前記ノズルに前記エッチング溶液の蒸気を供給するエッチングガス供給管とを備え、前記ノズルおよび／または前記エッチングガス供給管の外側周囲に前記エッチング溶液の蒸気を加熱するヒーターが設置されているものであることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、ウェーハの薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、洗浄によりウェーハの薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の表面または内部において局所的に存在する金属不純物元素を現実的な時間内で検出、定量可能な元素分析方法を提供する。また、インラインで、できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プロトンを、０°より大きく９０°より小さいプロトン入射角で分析対象の基板へ入射させる。このとき、プロトンの入射により励起され、分析対象の基板から放射される特性Ｘ線は、エネルギー分散型のＸ線検出器等により計測される。分析対象の基板内部に存在する不純物元素は、計測された特性Ｘ線から特定される。プロトンビームを走査することで基板面内の分布を取得でき、異なるプロトン入射角でプロトンを入射することで深さ方向の分布を取得することができる。また、当該元素分析方法を、半導体装置の製造工程に適用することで、金属汚染の分析や導電型決定不純物量の定量をインラインでかつ高精度に実施できる。 （もっと読む）

【課題】 一枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度で、短時間に分析しうるシリコンウェーハの金属不純物の分析方法であって、１枚のシリコンウェーハ表面の任意の箇所での任意の深さにおける金属不純物を測定する為の前処理方法を提供する。
【解決手段】 １枚の洗浄済みシリコンウェーハ表面に、任意の測定個所に白金の針を垂直に立て、針の先にエッチング液を滴下してから電圧をかけることによりシリコンウェーハに垂直の孔をあけて、その孔の中のエッチング液を回収して、該回収エッチング液を定容して各種微量成分分析装置により分析することで対応する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を、汚染金属種によらず高感度に分析可能な手段を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ３表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析するシリコンウェーハの金属汚染分析方法。前記溶液として、フッ化水素酸と過酸化水素水と塩酸との混合溶液を使用する。上記金属汚染分析方法を使用するシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板中および基板上に存在する、基板とは元素組成が異なる領域の評価を、非破壊、高精度、短時間で行うことにより、半導体製造ラインの高性能化を計る。
【解決手段】評価対象試料（基板等）４上に、例えばＭｏターゲットのＸ線源１からモノクロメータ２を介してＸ線３が低い角度で照射される。照射領域は、符号３ａで示される領域である。さらに、この装置には、基板４の中心から延びる基板面の法線を回転軸とする面内回転機構（θｚ）と、ｙ軸に関して入射Ｘ線の入射角度（α１）を変更することができる傾斜角度変更機構と、基板面における測定位置を変更できる移動機構とを有している。特に重要なことは、基板４のうちのある面積だけにＸ線を照射することができ、この領域３ａを変更することができるように構成されている点である。評価は、試料から放出された蛍光X線の強度を測定することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】ライフタイム測定ができない低抵抗のシリコン単結晶の金属汚染状況を速やかに確認することができるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】ライフタイム測定ができない低抵抗のシリコン単結晶から切り出したウェーハを、金属汚染評価用ウェーハと同じ熱処理装置内で同時に熱処理を行って、前記評価用ウェーハに低抵抗シリコン単結晶の汚染金属をゲッタリングさせ、評価用ウェーハのライフタイムを測定することにより低抵抗シリコン単結晶の金属汚染状況を確認する。金属汚染の有無を判定する方法であり、評価用ウェーハとしてライフタイム測定が可能な抵抗（より望ましくは、抵抗率が１０Ωｃｍ前後）を有するウェーハを用い、また、熱処理を１０００〜１２００℃で行えば、金属汚染の評価を安定して確実に、しかも簡便に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】薄厚化半導体基板における重金属汚染測定法を提供する。
【解決手段】有機系酸化膜をスピンコート法、ゾルゲル法により半導体基板に形成し、水銀プローブ法を用いて金属・酸化膜・半導体接合素子を形成するゲート酸化膜形成工程と、これらの素子の接合容量特性から重金属の表面濃度を算出し重金属の検出および定量化をおこなう工程とを有する。 （もっと読む）